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10月24日周六
  1. EE Times22

    Arm 就高通诉讼陪审团裁决作出回应

    Arm 就高通与 Arm 在特拉华联邦法院诉讼的陪审团裁决向 EE Times 作出回应,由 Arm CMO 在电话采访中说明其立场。此前 EE Times 已对该裁决进行初步报道。

10月23日周五
  1. Electronics Weekly42

    一周最热:Google 与 Synaptics 推 xMCU、NVHBM 采用 TSMC 3nm 基片、Qualcomm 全球裁员

    Synaptics 与 Google 推出 xMCU,将异构 AI 原生计算与可扩展至数百 MB 的定制 DRAM 集成,Astra SR200 系列面向 AI 可穿戴与电池供电传感设备。NVIDIA 要求 Samsung、SK hynix、Micron 为其定制 HBM「NVHBM」采用 TSMC 3nm 基片。Qualcomm CEO 备忘录显示将启动全球裁员,通知于下月开始,人数未披露。

  2. Semiconductor Today40

    ST 扩展 MasterGaN 集成晶体管/驱动器系列,新增 MasterGaN7

    STMicroelectronics 扩展 MasterGaN 集成晶体管/驱动器系列,新增 MasterGaN7 器件,内含 650V 增强型氮化镓(GaN)晶体管,最大额定电流 6A。新系列面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用,帮助设计人员提升效率与功率密度。

  3. Tom's Hardware · Semiconductors40

    没有 EUV,中国如何用 DUV 多重曝光造先进芯片,代价是什么

    出口管制使 ASML 的 EUV 无法进入中国,中国芯片厂转而用 DUV 多重曝光生产先进芯片。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 称,193 浸没式机台三次曝光成本约与一次 EUV 曝光持平,到四层掩膜时 EUV 更具成本效益且缺陷更少。摩根士丹利估计长鑫存储每片晶圆产出的 bit 数仅约为西方厂商的三分之一。

  4. Semiconductor Engineering32

    芯片行业一周回顾:CHIPS法案研发资助、Nvidia供应链扩产与存储路线图

    美国商务部与四家公司签署最高3.89亿美元半导体研发资助意向书,涵盖垂直GaN与超高纯石英技术,政府将以少数无投票权股权作为条件。Nvidia与Amkor、SPIL、三星电机、KYEC、IBIDEN、Unimicron扩大制造与封装合作,其中Amkor协议使亚利桑那与韩国合计达30亿美元,目标2028年底中介层晶圆产能提升逾四倍。

  5. SK hynix News42

    Solidigm 终止潜在 IPO 评估,重申长期增长与股东价值承诺

    Solidigm 已停止对潜在 pre-IPO 和 IPO 选项的评估,该审查原本旨在为其美国新建晶圆厂融资、以满足 AI 存储需求。公司称此举源于近期资本市场状况与股价走势,并不反映其增长前景或投资需求发生变化。SK hynix 表示将继续评估投资时机、规模与融资方式,并探索支持 Solidigm 增长的其他选项。

10月22日周四
  1. Tom's Hardware · Semiconductors58

    台积电要求设备供应商提供不含中国稀土磁体的电机方案

    台积电已开始接触设备供应商,探讨能否提供配备无需稀土材料电机的工厂自动化设备,以降低对中国主导稀土供应链的依赖。据路透社10月22日援引知情人士报道,中国约占全球稀土开采的70%,并控制约90%的精炼和约95%的成品永磁体。中国2025年4月对七种中重稀土及磁体实施出口管制,10月9日扩大范围后又暂停该扩展措施一年至2026年11月10日,此后又延长90天。

  2. Semiconductor Engineering22

    PVTW:把硅表征从 PVT 扩展到真实工作负载

    业界提出在传统 PVT 表征中加入工作负载维度形成 PVTW,通过 ATE 与 SLT 结合的混合架构实现 ATE、SLT、组合三种模式。组合模式下可让芯片运行确定性负载的同时由 ATE 控制并测量电压,例如 ATPG SHMOO 显示 0.72 V 正常而 SRAM 密集负载在 0.76 V 即出错,40 mV 差异成为定位裕量来源的表征信息。

  3. Semiconductor Engineering32

    芯片微缩超越晶体管:SEMICON West 2026 聚焦系统级协同优化

    SEMICON West 2026 上,SEMI 预计 2030 年市场规模超 2 万亿美元、2035 年或达 3 万亿美元,今年 300mm 晶圆厂设备支出将达 1490 亿美元。先进封装、光子学、功率与测试正融合为同一个优化问题,Intel Foundry 与 Marvell 高管称封装已成为系统创新的起点。AI 也从辅助工具走向长周期自主智能体,行业关注将赋予它多少工程与制造权限。

  4. Semiconductor Engineering33

    Intel Foundry 解读堆叠芯片架构的供电取舍:FIVR、CoaxMIL 与 C2VR

    Intel Foundry 在供电白皮书中提出把电压调节移近负载,以应对堆叠芯片架构下电流密度与独立电压域数量上升带来的供电难题。其技术组合包括 CoaxMIL 磁电感、全电容式 IVR chiplet C2VR,以及可置于封装层内或计算裸片下方的 IVR chiplet 架构。这些方案旨在降低封装内电流密度、提升调节带宽并减少对大容量去耦电容网络的依赖。

  5. SK hynix News22

    SK hynix 解读 AI 基础设施未来设计:从单服务器走向机架与整座数据中心

    SK hynix 在 AI Infrastructure Insight 系列终篇中提出,AI 基础设施设计的基本单位正从单台服务器扩展到机架乃至整座数据中心,机架级系统将整个机架作为单一计算系统统一设计。文章强调,竞争不再只取决于单个组件性能,而取决于计算、内存、存储、网络与供电制冷的整合程度,并提出从设计初期就统筹各环节的 co-design 方法。

  6. Tom's Hardware · Semiconductors42

    Intel 亚利桑那 Fab 62 开始安装生产设备,俄亥俄工厂同步更新进展

    Intel 周三宣布亚利桑那 Fab 62 已开始安装生产设备,该厂预计 2028 年底前投入运营,但尚未公布量产时间与制程。Intel 同时确认 High-NA EUV 已进入大规模量产,用于 D1X 厂生产 Panther Lake 等芯片。俄亥俄 One 工厂首座厂房完成首个主要结构桁架安装,Intel 未给出投产时间表。

  7. 华海清科 · 新闻中心22

    华海清科首席科学家路新春获ICPT 2026杰出成就奖

    华海清科(688120)首席科学家路新春在韩国首尔召开的ICPT 2026上获颁杰出成就奖,以表彰其在CMP领域的开创性研究与产业化贡献。他带领团队研制出我国首台12英寸商用CMP装备并实现规模化量产,打破国外长期技术垄断。

  8. 中微公司 · 新闻发布72

    中微公司全球首台Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备付运国内客户

    中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺,采用全对称腔体结构、集成气柜设计和双制冷/双加热晶圆基座,并搭载量产的Primo C6V3传输系统。中微公司称该产品填补了国内下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

    推荐理由:中微公司首台气相高选择性刻蚀设备付运国内客户,可据此跟踪其在GAA与3D存储器件工艺中的导入节奏。