Arm 就高通诉讼陪审团裁决作出回应
Arm 就高通与 Arm 在特拉华联邦法院诉讼的陪审团裁决向 EE Times 作出回应,由 Arm CMO 在电话采访中说明其立场。此前 EE Times 已对该裁决进行初步报道。
Arm 就高通与 Arm 在特拉华联邦法院诉讼的陪审团裁决向 EE Times 作出回应,由 Arm CMO 在电话采访中说明其立场。此前 EE Times 已对该裁决进行初步报道。
麻省理工学院 2024 年分拆出的功率半导体初创公司 Vertical Semiconductor 与美国商务部 CHIPS 研发办公室签署意向书,将依据 CHIPS 和科学法案获得最高 7300 万美元联邦激励资金。
Synaptics 与 Google 推出 xMCU,将异构 AI 原生计算与可扩展至数百 MB 的定制 DRAM 集成,Astra SR200 系列面向 AI 可穿戴与电池供电传感设备。NVIDIA 要求 Samsung、SK hynix、Micron 为其定制 HBM「NVHBM」采用 TSMC 3nm 基片。Qualcomm CEO 备忘录显示将启动全球裁员,通知于下月开始,人数未披露。
STMicroelectronics 扩展 MasterGaN 集成晶体管/驱动器系列,新增 MasterGaN7 器件,内含 650V 增强型氮化镓(GaN)晶体管,最大额定电流 6A。新系列面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用,帮助设计人员提升效率与功率密度。
出口管制使 ASML 的 EUV 无法进入中国,中国芯片厂转而用 DUV 多重曝光生产先进芯片。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 称,193 浸没式机台三次曝光成本约与一次 EUV 曝光持平,到四层掩膜时 EUV 更具成本效益且缺陷更少。摩根士丹利估计长鑫存储每片晶圆产出的 bit 数仅约为西方厂商的三分之一。
Atomera 与 IQE 签署联合开发协议(JDA),共同推动高性能、低成本的 RF GaN-on-Si 进入量产市场。Atomera 提供晶体管材料与技术授权,IQE 负责外延晶圆与衬底制造。
10 月 13 日特拉华州联邦陪审团就 Arm 与 Qualcomm 的诉讼作出裁决,陪审团认定 Arm 违反 Qualcomm 的架构许可协议,扣留了 ACK 与 OOB 两类交付物。
美国商务部与四家公司签署最高3.89亿美元半导体研发资助意向书,涵盖垂直GaN与超高纯石英技术,政府将以少数无投票权股权作为条件。Nvidia与Amkor、SPIL、三星电机、KYEC、IBIDEN、Unimicron扩大制造与封装合作,其中Amkor协议使亚利桑那与韩国合计达30亿美元,目标2028年底中介层晶圆产能提升逾四倍。
财联社报道,受益于三星与SK海力士扩产,韩国多家半导体设备商的积压订单翻番。原文未披露具体设备商名称、订单金额与交付时间。
证券之星发布先进封装机械行业研究,指出CoWoS需求正在孕育国产替代机遇,建议关注核心增量环节的设备企业。原文未披露具体设备型号、参数或市场数据。
Semiconductor Intelligence 指出,2026 年全球电子生产增长持续加速,美国 8 月三个月均值同比增 8.1%,日本从 1 月下降 1.5% 转为 8 月增长 17.6%,EU 27 从 1 月下降 10.5% 转为 7 月增长 16.9%。
NVIDIA CEO 黄仁勋访问阿斯塔纳,Firebird 与哈萨克斯坦政府签署投资协议,获美国出口许可引进 45,000 块 NVIDIA Grace Blackwell GPU,首期与 Kazakhtelecom 在 Data Center Valley 建设,目标 2027 年三季度商用。
Solidigm 已停止对潜在 pre-IPO 和 IPO 选项的评估,该审查原本旨在为其美国新建晶圆厂融资、以满足 AI 存储需求。公司称此举源于近期资本市场状况与股价走势,并不反映其增长前景或投资需求发生变化。SK hynix 表示将继续评估投资时机、规模与融资方式,并探索支持 Solidigm 增长的其他选项。
BIWIN 面向从云端基础设施、企业数据中心到边缘设备与可穿戴 AI 产品的 AI 负载,提供下一代存储与内存解决方案。文章覆盖 AI 对行业、应用与计算架构的改造,以及云端到边缘的存储需求变化。
Deepx 创始人兼 CEO Lokwon Kim 表示,公司正构建开放软件生态,以将物理 AI 扩展到数据中心之外。他认为边缘 AI 的下一场竞争未必只由 TOPS 决定,更关键的问题另有其他。
NVIDIA 推出 AIOps 平台 Minerva,汇聚 GPU、网络、存储、调度器与工作负载的遥测数据,用专用 AI 模型把告警聚合成带根因的单一事件。平台以 AI 工厂良率为核心指标,覆盖 GPU 小时、goodput、集群正常运行时间与 token 产出,并内置 AI 助手支持自然语言排查。
台积电已开始接触设备供应商,探讨能否提供配备无需稀土材料电机的工厂自动化设备,以降低对中国主导稀土供应链的依赖。据路透社10月22日援引知情人士报道,中国约占全球稀土开采的70%,并控制约90%的精炼和约95%的成品永磁体。中国2025年4月对七种中重稀土及磁体实施出口管制,10月9日扩大范围后又暂停该扩展措施一年至2026年11月10日,此后又延长90天。
Goodram 在波兰制造工厂通过 80°C 老化测试和 400 多套诊断平台验证 DRAM 与 SSD 的可靠性,并配合进阶环境验证流程。文章梳理了该工厂的质量控制程序如何支撑产品可靠性验证。
中微公司宣布其半导体设备取得重要突破。原文未披露具体设备型号、技术参数与突破细节。
Everspin Technologies 正将 MRAM 从既有工业应用拓展至 AI 服务器、数据中心和卫星系统。公司瞄准 AI 工作负载带来的需求,推动 MRAM 进入这些新场景。
在 SPIE Photomask Technology + EUV Lithography 会议上,来自 IBM、Carl Zeiss SMT、Micron、ASML、Tekscend 与 Applied Materials 的专家小组讨论指出,EPE 已不再是单一光刻指标,而是涵盖掩模、扫描仪、光刻胶、刻蚀、量测与 OPC 的系统级问题。
业界提出在传统 PVT 表征中加入工作负载维度形成 PVTW,通过 ATE 与 SLT 结合的混合架构实现 ATE、SLT、组合三种模式。组合模式下可让芯片运行确定性负载的同时由 ATE 控制并测量电压,例如 ATPG SHMOO 显示 0.72 V 正常而 SRAM 密集负载在 0.76 V 即出错,40 mV 差异成为定位裕量来源的表征信息。
SEMICON West 2026 上,SEMI 预计 2030 年市场规模超 2 万亿美元、2035 年或达 3 万亿美元,今年 300mm 晶圆厂设备支出将达 1490 亿美元。先进封装、光子学、功率与测试正融合为同一个优化问题,Intel Foundry 与 Marvell 高管称封装已成为系统创新的起点。AI 也从辅助工具走向长周期自主智能体,行业关注将赋予它多少工程与制造权限。
Semiverse Solutions 团队用 SEMulator3D 数字孪生工艺建模验证了一种自对准 CFET(SA-CFET)架构,通过 SA-BPR、SA-CT、SA-TSV 三个自对准模块缓解接触拥挤与金属栅隔离难题。
Intel Foundry 在供电白皮书中提出把电压调节移近负载,以应对堆叠芯片架构下电流密度与独立电压域数量上升带来的供电难题。其技术组合包括 CoaxMIL 磁电感、全电容式 IVR chiplet C2VR,以及可置于封装层内或计算裸片下方的 IVR chiplet 架构。这些方案旨在降低封装内电流密度、提升调节带宽并减少对大容量去耦电容网络的依赖。
Semiconductor Engineering 汇总多位业界人士观点指出,先进封装从 300mm 晶圆转向 600mm 面板并非简单放大,涂布、光刻、翘曲控制与检测等围绕圆形工件建立的工艺假设都需要重新审视。
Semiconductor Engineering 分析指出,晶圆厂与 OSAT 的传统分工正在模糊,2.5D 集成和面板级封装成为重叠最大的领域,混合键合目前仍以晶圆厂为主,但随着需求超过晶圆厂产能,可能向 OSAT 扩散。
SK hynix 在 AI Infrastructure Insight 系列终篇中提出,AI 基础设施设计的基本单位正从单台服务器扩展到机架乃至整座数据中心,机架级系统将整个机架作为单一计算系统统一设计。文章强调,竞争不再只取决于单个组件性能,而取决于计算、内存、存储、网络与供电制冷的整合程度,并提出从设计初期就统筹各环节的 co-design 方法。
Revolut 正基于 NVIDIA 加速计算以单一基础模型 PRAGMA 重建技术栈,在 Blackwell Ultra GPU 上使用 cuDF 与 Dynamo-Triton 将其规模化用于生产,初期服务 8000 万客户并设计支持 3 倍扩展。
NVIDIA 扩展 Cosmos 平台,新增训练工具、仿真 checkpoint 和 Cosmos Data Factory 蓝图,该平台在六个开放模型排行榜中进入前五。
NVIDIA DSX AI Factory Platform 将电网、变电站与机架内的算力作为同一系统进行规划、仿真和运行,以应对电力瓶颈——目前超 3000 亿美元设备积压、美国并网队列中逾 200 吉瓦项目等待接入。
SK海力士正在推进一项HBM散热新技术,通过嵌入元件可将热阻降低30%。该技术针对HBM的散热问题,目前处于推进阶段。
CKL超科林宣布品牌焕新,以“在中国,为中国”战略深耕本土半导体设备市场。此次焕新聚焦本土化布局,服务中国半导体设备市场需求。
TrendForce 最新 AI 服务器产业研究预计,2027 年服务器 CPU 出货量同比增长超过 40%,ARM 架构产品将继续扩大市场份额。研究指出,自 2025 年下半年以来服务器 CPU 需求稳步增长。
Navitas 发布超高压 SiC 功率模块系列,面向先进能源与电网基础设施。该产品属于其超高压 SiC 功率模块产品家族,公司主营 GaN 与 SiC 功率半导体。
Intel 周三宣布亚利桑那 Fab 62 已开始安装生产设备,该厂预计 2028 年底前投入运营,但尚未公布量产时间与制程。Intel 同时确认 High-NA EUV 已进入大规模量产,用于 D1X 厂生产 Panther Lake 等芯片。俄亥俄 One 工厂首座厂房完成首个主要结构桁架安装,Intel 未给出投产时间表。
英飞凌宣布与NVIDIA深化在AI数据中心800V直流供电架构上的合作,此次公告聚焦高压中间总线转换器(IBC),这是AI数据中心供电链路中最关键、要求最高的转换环节之一。公告时间配合NVIDIA于10月20日至22日在柏林举行的GTC开发者大会。
荷兰埃因霍温光子集成公司 Photon Bridge 融资 1000 万欧元,用于解决 AI 基础设施中激光器产能瓶颈——连接日益扩大的 AI 处理器集群需要数百万颗激光器。
华海清科(688120)首席科学家路新春在韩国首尔召开的ICPT 2026上获颁杰出成就奖,以表彰其在CMP领域的开创性研究与产业化贡献。他带领团队研制出我国首台12英寸商用CMP装备并实现规模化量产,打破国外长期技术垄断。
中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺,采用全对称腔体结构、集成气柜设计和双制冷/双加热晶圆基座,并搭载量产的Primo C6V3传输系统。中微公司称该产品填补了国内下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
推荐理由:中微公司首台气相高选择性刻蚀设备付运国内客户,可据此跟踪其在GAA与3D存储器件工艺中的导入节奏。