PVTW：把硅表征从 PVT 扩展到真实工作负载

业界提出在传统 PVT 表征中加入工作负载维度形成 PVTW，通过 ATE 与 SLT 结合的混合架构实现 ATE、SLT、组合三种模式。组合模式下可让芯片运行确定性负载的同时由 ATE 控制并测量电压，例如 ATPG SHMOO 显示 0.72 V 正常而 SRAM 密集负载在 0.76 V 即出错，40 mV 差异成为定位裕量来源的表征信息。