SK hynix锁定2027–28年过半产能，中小买家转向现货市场
据独立电子元器件分销商Smith，大型客户通过长期协议锁定未来存储供应，SK hynix已锁定2027–28年过半产能，规模较小的电子制造商则转向现货市场采购存储。原文未披露具体协议数量与价格水平。
全部硬科技卡点动态
DIGITIMESAI 评分5757 DIGITIMESAI 评分3737 IEMC 董事长：TSMC 不可能做 3D DRAM，CXMT 扩产才是更大威胁
IEMC 董事长 Charles Kau 称 TSMC「做不了 3D DRAM」，否认其应 Nvidia 请求评估进入下一代存储市场的报道。TSMC 对市场猜测不予置评，并强调仍专注核心代工业务。
DIGITIMESAI 评分4444 Ingentec 前10个月营收同比增长79%
Ingentec 2026年1-10月合并营收达13.29亿新台币（4040万美元），同比增长79.32%。但10月营收约1.3亿新台币，环比下降8.59%、同比下降18.37%，原因是面向日本、韩国及本土客户的特种气体出货略有减少。
DIGITIMESAI 评分5050 华勤技术拟投10亿元建晶圆代工业务，AI服务器之外再向上游延伸
华勤技术计划投资10亿元（约1.4986亿美元）设立晶圆代工业务，在拓展AI服务器与数据中心业务的同时加强上游半导体布局。
DIGITIMESAI 评分1818 SK Hynix 任命 HBM 老将 Hyun Ahn 领导美洲新业务部门
SK Hynix 任命前开发负责人 Hyun Ahn 领导新设立的美洲业务部门，以应对定制 HBM 竞争加剧。此举旨在让供应商更贴近美国芯片设计企业。
DIGITIMESAI 评分4343 Smith：内存短缺推动服务器买家转向准系统采购
独立电子元器件分销商 Smith 表示，部分服务器买家因零部件短缺导致交付复杂化，开始要求采购准系统并计划单独购买内存，另有买家选择升级现有基础设施而非购置新服务器。
DIGITIMESAI 评分4646 Ion Electronic Materials 目标 2027 年盈利，特种气体业务放量
由台湾「DRAM 教父」高启全主导的 Ion Electronic Materials 目标在 2027 年实现盈利，依托特种气体业务放量。公司 2026 年前三季度气体营收达 5.34 亿新台币（约 1620 万美元），同比增长超过 30%。第三季度亏损收窄至约 80 万新台币，接近损益两平。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分3838 光刻大战开打：三星与 SK 海力士重金争夺 EUV 产能，加码先进 DRAM 扩产
三星与 SK 海力士重金争夺 EUV 产能，加码先进 DRAM 扩产。双方围绕 EUV 光刻设备展开竞争，以支撑先进 DRAM 的产能扩张。
Tom's Hardware · Semiconductors精选AI 评分7070 马斯克 Terafab 计划 2032 年后月产 100 万片晶圆，其中 70 万片为存储
据 Financial News 报道，特斯拉与 SpaceX 合资的 Terafab 已向设备商非正式提出，2032 年后月产 100 万片晶圆的目标，其中约 70%（70 万片）规划为存储、逾 30 万片为逻辑芯片，存储部分若全部为 DRAM 将接近三星估算的月产 65 万至 70 万片水平。
推荐理由：Terafab 万片级月产能规划与采购团队赴日催交期并列，呈现一处新进者的产能爬坡时间表。
DIGITIMESAI 评分4444 Rapidus 拟以台湾芯片集群模式为范本，计划在北海道再建 3 座工厂
Rapidus 总裁 Atsuyoshi Koike 表示，将以台湾为范本在北海道构建半导体产业集群，并计划在北海道再建 3 座工厂。IBM Japan 正在 Rapidus 工厂附近设立新办公室，以加强对该公司的支持。
DIGITIMESAI 评分5252 AI 需求推高订单，世界先进 8 英寸成熟制程产能趋紧、价格看涨
世界先进（Vanguard）预计 2026 年第四季度其 8 英寸成熟制程晶圆厂产能利用率将超过 90%，AI 数据中心需求带动电源管理 IC 与功率元件订单增长。公司称这一趋势指向产能趋紧、价格走高，AI 相关营收在其业务中的比重也在上升。
DIGITIMES精选AI 评分6868 VIS 称新加坡晶圆厂 2027 年成增长引擎，产能近售罄、AI 中介层约占半营收
VIS 表示新加坡晶圆厂预计 2027 年成为增长引擎，产能接近售罄且客户承诺已锁定，AI 中介层预计贡献约一半营收。扩产可能加速，但折旧与固定成本上升预计将给盈利能力带来压力。
推荐理由：VIS 新加坡 12 英寸厂产能接近售罄、AI 中介层约占一半营收，可观察折旧与固定成本对利润的挤压。
DIGITIMESAI 评分2020 华邦电子董事长呼吁存储涨价降温，预计发放30个月奖金，Nuvoton 启动接班计划
华邦电子董事长 Arthur Chiao 呼吁存储价格与利润在当前阶段不要再进一步上涨，警告存储独好、其他产业承压的市场对消费者和整体经济不利。他同时预计将发放30个月奖金，Nuvoton 正规划接班。
DIGITIMESAI 评分4444 Tekscend：AI 需求推动存储芯片厂商加大光掩模外包
日本 Tekscend Photomask 称，AI 芯片需求挤压自有产能，存储芯片厂商正将更多光掩模生产外包。最先进的 EUV 掩模仍由厂商内部制造，更多传统掩模则转向外部供应商。
DIGITIMESAI 评分5050 三井化学以 116 亿美元收购 JSR，加码半导体材料
三井化学计划以 1.84 万亿日元（约合 116 亿美元，含承债）收购半导体材料制造商 JSR，以强化其在全球半导体材料市场的地位并加速业务组合转型。
DIGITIMESAI 评分6060 Phison 锁定 2027 年 NAND 目标供应量逾七成，CEO 称 AI 需求将再度升温
Phison Electronics CEO Pua Khein-Seng 预计春节后 AI 需求将再次升温，NAND Flash 供应趋紧，大容量 TLC 和 QLC 产品的争夺将加剧。公司已锁定 2027 年目标供应量的 70% 以上。
DIGITIMESAI 评分3939 AI 服务器需求挤占印度 PCB 供应，材料成本飙升
AI 服务器需求导致材料供应商将产能转向 AI 服务器，印度电子产品制造商 PCB 采购价格大幅上涨。行业团体警告可能出现减产和消费价格上涨。
DIGITIMESAI 评分1414 TSMC 2026 年 10 月营收同比增长 59.7%，AI 芯片需求强劲
TSMC 2026 年 10 月营收同比增长 59.7%，延续强劲增长势头。AI 基础设施所用先进芯片需求持续支撑半导体行业，为其业绩提供动力。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2929 底部抗反射涂层（BARC）市场展望2035：先进节点光刻支撑增长
IndexBox 发布底部抗反射涂层（BARC）市场展望至2035年，先进节点光刻需求被列为支撑市场增长的主要因素。原文未披露具体市场规模、增速数字或主要厂商信息。
Google新闻 · 光刻胶/设备材料AI 评分3232 光华科技拟2.25亿元增资及受让凯诺中星21.46%股权，推进半导体光刻胶产业协同
光华科技拟以2.25亿元增资及受让凯诺中星21.46%股权，围绕半导体光刻胶等赛道推进产业协同。
Google新闻 · 光刻胶/设备材料AI 评分3636 光华科技斥资2.25亿元布局光刻胶赛道，标的投前估值9.25亿元
光华科技宣布斥资2.25亿元布局光刻胶赛道，交易标的投前估值为9.25亿元。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4141 三星电子与SK海力士争夺EUV光刻机 各自投入或达20万亿韩元
三星电子与SK海力士围绕EUV光刻机展开争夺，各自投入或达20万亿韩元。两家存储厂商正以大规模设备投资抢占EUV产能。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4242 彤程新材：当前光刻胶产能利用率超50%
彤程新材当前光刻胶产能利用率超过50%。该数据由公司在回应中披露，未提及具体产线或产品型号。
Google新闻 · 光刻胶/设备材料AI 评分4242 彤程新材：光刻胶产能利用率超50%，电子材料板块多品类贡献收入
彤程新材当前光刻胶产能利用率超过50%，电子材料板块多个品类已贡献收入。
DIGITIMESAI 评分5858 马斯克 Terafab 据报规划存储产能对标三星 DRAM 规模
由 Tesla 和 SpaceX 支持的芯片制造项目 Terafab 据报规划的存储产能将比肩全球最大 DRAM 厂商。该项目已在接触日本和韩国的设备与材料供应商，但供应商和分析师对时间表与需求能否兑现存疑。
DIGITIMESAI 评分5858 三星电子德州泰勒晶圆厂或于12月中下旬开始试运行
三星电子位于德州泰勒的晶圆厂可能在2026年12月中下旬开始试运行，目前正在安装和测试生产设备，计划2027年进入商业量产。
Electronics WeeklyAI 评分5858 GlobalFoundries 计划明年演示 7nm FDSOI 工艺 FDX Fusion
GlobalFoundries 表示计划于 2027 年初演示 7nm FDSOI 工艺 FDX Fusion，其逻辑密度达 14M–18M gates/mm²，晶体管密度超过第一代 22FDX 的两倍。
Electronics WeeklyAI 评分3838 传 TSMC 有意布局 3D DRAM，任命前 Micron 高管徐国晋评估
多家行业报道称 TSMC 已任命副总裁徐国晋评估切入 3D DRAM 的路径，包括新建晶圆厂还是改造现有产线，但相关动作预计仍需数年。3D DRAM 在单一 die 内垂直堆叠存储单元，相比堆叠 die 的 HBM 可在更小面积提供更大容量。
DIGITIMESAI 评分3030 TSMC 回应 3D DRAM 传闻：重申专注代工业务
TSMC 否认正在考虑进军先进存储芯片制造，称仍专注于晶圆代工业务。此前有报道称其计划为 NVIDIA 生产 3D DRAM。台湾业内人士表示，TSMC 短期内大规模进入 DRAM 生产的可能性不大。
DIGITIMESAI 评分4040 威刚预计 2026 年第四季度营收小幅下滑，AI 投资转向海外
威刚（Adata）2026 年 10 月合并营收 170.6 亿新台币（约 5.216 亿美元），环比增长 8.5%、同比增长 282.3%，创单月营收第三高。公司预计年末客户库存调整将令第四季度营收低于第三季度，2026 年前 10 个月营收达 1343.7 亿新台币、同比增长 222.7%。威刚预计 2026 年全年营运表现将继续攀升。
DIGITIMESAI 评分6060 DIGITIMES 播客解读苹果长约锁产能与英特尔 18A 回退至 Intel 3
DIGITIMES 分析师 Luke Lin 从苹果与英特尔近期财报中提炼出两条供应链信号：苹果正通过激进的长约采购锁定产能，英特尔则将 18A 产能回退至较旧的 Intel 3 节点，以应对紧迫的服务器 CPU 需求。上述变化发生在存储成本飙升与大规模 AI 基础设施建设的背景下。
DIGITIMESAI 评分4242 创见董事长：2027 年 DRAM 供应或减半，存储价格趋于见顶
创见（Transcend）董事长 Peter Shu 预计，DRAM 与 NAND Flash 价格在 2026 年第三季度企稳后将趋于见顶，进一步上涨空间有限、下跌可能性也不大。他指出 DRAM 仍处于短缺状态，而 NAND Flash 供应已趋稳，并预计 2027 年 DRAM 供应可能减半。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 AI降温也没便宜内存买：三大厂产能被HBM掏空，转型容易回头难
驱动之家指出，即便AI需求降温，内存也未必便宜，因为三大厂的产能已被HBM占用，转向HBM后难以回头恢复普通内存供给。
DIGITIMESAI 评分6060 三星加速平泽 P5 Fab 2 建设，预计存储芯片短缺持续至 2028 年
三星电子计划于 2027 年 1 月在韩国平泽 P5 Fab 2 启动结构施工，以加快存储产能扩张。DealSite 报道称，芯片短缺预计将持续至 2028 年。
DIGITIMESAI 评分5858 沪硅产业预计2026年底完成300mm硅片月产能扩至120万片
沪硅产业（NSIG）预计到2026年底完成扩产，300mm硅片月产能达到120万片。公司希望借此受益于硅片价格回升，以及硅光用SOI衬底需求增长，但盈利能力仍面临压力。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分5858 GlobalFoundries 高管详解 FDX Fusion：无需 EUV 实现 7nm 级性能，目标 2030 年量产
GlobalFoundries FD-SOI 业务部门副总裁 Sudipto Bose 在采访中详解 FDX Fusion 工艺，称其基于平面晶体管和 DUV 光刻实现 8nm 级逻辑密度（1400 万门/平方毫米）与 7nm 级功耗性能，无需 EUV。
DIGITIMESAI 评分5858 三星据报向DB Group出售约300台8英寸晶圆制造设备
三星电子据报已同意将已关闭的器兴8英寸S7晶圆厂的约300台半导体制造设备出售给韩国DB Group。此举背景是DB HiTek面临产能紧张，而三星正准备退出8英寸代工业务。
DIGITIMESAI 评分4242 SK Hynix 旗下 Solidigm 考虑在美国建 NAND 闪存晶圆厂，资金与时间表未定
SK Hynix 子公司 Solidigm 正考虑在美国建设一座 NAND 闪存晶圆厂，但资金和投资时间表尚未确定。DIGITIMES Intelligence 认为，在 AI 驱动的存储需求和美国政府支持前景下，该项目很可能推进。
DIGITIMESAI 评分3838 全球 AI 内存短缺推动台湾启动先进内存计划
全球 AI 需求激增引发内存短缺，导致供应持续紧张与涨价，市场目前由 Samsung Electronics、SK Hynix 和 Micron Technology 主导。台湾据此启动先进内存计划。中国 ChangXin Memory Technologies（CXMT）虽快速扩大量产能力，但受美国出口管制与网络安全顾虑影响，仍无法在美国市场与美韩对手直接竞争。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4242 英伟达寻求破解存储瓶颈，台积电据悉考虑布局3D DRAM
英伟达正寻求破解存储瓶颈，台积电据悉考虑布局3D DRAM。财联社报道了这一动向，但未披露具体技术路线、时间表或投资规模。