国机精工(002046.SZ):精密陶瓷制品客户以半导体设备厂为主
国机精工(002046.SZ)表示其精密陶瓷制品客户以半导体设备厂为主。该表述明确了公司该业务的下游客户结构。
国机精工(002046.SZ)表示其精密陶瓷制品客户以半导体设备厂为主。该表述明确了公司该业务的下游客户结构。
电子工程专辑发文称,国产半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并称其为全球首次。原文正文只有标题信息,未披露设备厂商、设备型号、工艺参数或验证进展。
华卓精科再度冲刺科创板IPO,与另一家复旦系国产半导体公司形成"清华VS复旦"的IPO对照。原文未披露两家公司的具体产品型号、募资金额与发行估值等细节。
阿里巴巴11月10日提交申请,拟分拆旗下芯片设计部门平头哥(T-Head)在香港独立上市。分拆上市将使投资者可直接持有其芯片业务,同时中国AI生态正寻求以国产方案降低对美国半导体的依赖。
中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备,首台已付运国内一家集成电路封装客户。该设备采用 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术,兼容带框架 200mm、300mm 晶圆,可切割最小 5μm 切割道、支持 25–700μm 晶圆厚度,系统最多搭载 6 个刻蚀反应台,并支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后切割及背面刻蚀等工艺。
推荐理由:首台等离子体晶圆切割设备付运封装客户,国产设备进入先进封装切割环节的落地节点。
印度11月6日依据电子元器件制造计划(ECMS)批准12项申请,拟投资750.3亿卢比(约7.969亿美元),扩大对本土材料与制造设备的支持。这些项目预计带来3904.5亿卢比产值,并创造7127个直接就业岗位。
随着全球卫星产业转向标准化与量产,卫星子系统、通信硬件和星载计算系统需求加速。英国航天企业正关注台湾在先进半导体制造、电子硬件和高精度制造方面的优势,将其视为国际航天公司不可或缺的供应链伙伴。
NVIDIA 在 KubeCon + CloudNativeCon 上把用于保障和治理自主智能体的开源运行时 NVIDIA OpenShell 捐赠给 CNCF,成为 Sandbox 项目。
香港01报道称,新一代光刻机步入量产,国产化率突破90%,关键部件实现全自主。报道以“突破封锁”描述这一进展,但未披露设备型号、制程节点、产能或具体零部件清单。
上海微电子新一代前道干式光刻机在进博会上亮相,关键零部件国产化率超过90%。
搜狐网报道称,光谷造半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并已量产出货,报道称其为全球首次。正文未披露设备厂商名称、设备型号及具体量产数量。
证券之星报道,拓荆科技拟以25亿元收购无锡尚积,该交易被称为年内半导体设备领域最大并购方案。原文未展开双方交易结构、标的业务或整合细节,标题表述的重点落在不仅做大更要做强。
科德数控(688305.SH)称,其KMC系列五轴立式加工中心已在多种半导体设备结构件加工中获得广泛应用。
国产等离子晶圆切割设备完成交付,为先进封装关键环节提供自主方案,设备切割道最小可达5微米。该设备由此进入封装关键环节。
第九届进博会上,中国新一代光刻机模型亮相,报道称其性能直追国际标杆。原文未披露该光刻机的型号、制程节点、产能或厂商信息。
海思光刻机于11月集中交付,覆盖12寸、8寸、6寸三种规格,并发往日本等国。原文未披露具体型号、交付数量与客户名称。
GlobalFoundries 表示计划于 2027 年初演示 7nm FDSOI 工艺 FDX Fusion,其逻辑密度达 14M–18M gates/mm²,晶体管密度超过第一代 22FDX 的两倍。
中国新一代光刻机模型在进博会上亮相,其关键零部件国产化率突破90%。
中国新一代光刻机模型亮相,国产化率超过90%。原文未披露该模型的型号、制程节点、光源方案及厂商信息。
我国新一代光刻机模型亮相。原文未披露该模型的型号、技术参数、制程节点或研发主体等具体信息。
长江存储(YMTC)正推进半导体设备国产化,目标实现70%的国产芯片制造设备采用率。但先进NAND制造仍依赖外国设备,本土供应商正加速向先进制造环节扩展。
SMEE 在进博会上展示了共享干法光刻平台模型。原文未披露该平台的具体型号、参数或可用性信息。
上海微电子新一代光刻机模型亮相,展示我国前道光刻装备自主化的阶段性成果。原文未披露该机型的具体型号、制程节点与量产时间等信息。
上海微电子展出两款前道干式光刻机模型。原文未披露具体型号、制程节点与参数信息。
中国新一代光刻机模型亮相,关键零部件国产化率突破90%。原文未披露该模型的型号、制程节点、光源方案及展出场合等具体信息。
美国国防部战略资本办公室(OSC)向加州圣克拉拉半导体初创公司Halo Industries提供7500万美元有条件贷款承诺。该资金预计将带动等额私人资本,用于扩大碳化硅(SiC)半导体晶圆制造,面向国防、AI基础设施和高压功率电子,以减少美国对海外关键半导体材料的依赖。
国产新一代光刻机模型亮相,性能直追国际标杆。原文未披露该模型的型号、制程节点、光源方案或具体性能参数,也未说明研发主体与展出场合。报道称全国产半导体可期,但未给出量产时间表或可用性信息。
上海微电子(SMEE)展示覆盖前道晶圆制造与先进封装的新一代自研光刻系统,并称前道设备关键部件国产化率超过 90%,相关设备正推进量产。这是中国半导体设备本土化进程的又一进展。
上海微电子在进博会展出新一代前道干式光刻机模型,该系列设备累计流片已超千万片。原文未披露新机型的具体型号、制程节点与参数信息。
上海微电子前道干式光刻机落地,流片突破千万片。该报道将这一进展称为国产光刻机的里程碑,但未披露设备型号、制程节点或客户信息。
上海微电子新一代光刻机模型亮相,展示我国前道光刻装备自主化的阶段性成果。原文未披露该机型的型号、制程节点、光源方案与量产时间等具体参数。
我国新一代光刻机模型亮相。华尔街见闻报道称其为重大突破,但未披露该模型的型号、技术参数或研发主体等信息。
中国半导体设备商报告订单创纪录并延续至2027年,AI驱动的先进存储、逻辑芯片和封装投资带动本土设备需求。刻蚀、薄膜沉积、清洗和电镀等环节供应商普遍受益,但零部件交付约束可能推迟订单转化为收入。
长江存储计划其第四座NAND闪存工厂最多70%的制造设备从国内供应商采购,明显高于现有产线的国产设备占比。该公司正借此扩产面向AI与数据中心的先进存储产品。
推荐理由:长江存储新厂设备国产化目标升至70%,可跟踪国产设备在先进存储产线的导入节奏。
GlobalFoundries FD-SOI 业务部门副总裁 Sudipto Bose 在采访中详解 FDX Fusion 工艺,称其基于平面晶体管和 DUV 光刻实现 8nm 级逻辑密度(1400 万门/平方毫米)与 7nm 级功耗性能,无需 EUV。
电子工程专辑解读一份 2026 年报告,梳理 40 余家国产厂商在晶圆制造设备领域的竞争态势,指出整体国产化率为 21%,其中光刻环节仅 1%。报告以国产化率为主线对比各环节厂商进展。
驱动之家报道称,上海微电子前道干式光刻机已落地,流片突破千万片。原文仅给出这一标题式信息,未披露具体机型、客户或时间节点。
国家集成电路产业投资基金三期(大基金三期)将重心从定向半导体投资转向大规模制造与产业整合,向士兰微12英寸模拟芯片项目注资9亿元人民币(约1.34亿美元)。报道称,该基金同时关注设备收购,以补齐半导体供应链缺口。
印度电子和信息技术部秘书S.Krishnan表示,在India Semiconductor Mission 2.0下计划约24个月开发一款本土GPU芯片,但未公布制造商或芯片供应商。印度还计划将基于RISC-V架构的国产SHAKTI和VEGA处理器推向商用市场,二者为CPU设计,与此次GPU目标相互独立。
日本光刻胶于10月提价,多重催化下国产替代进入加速兑现期。原文未披露具体厂商、涨幅与产品型号等信息。