Aixtron 三季度营收 1.836 亿欧元,环比增 60%,受 AI 数据中心光通信需求驱动
Aixtron SE 2026 年三季度营收 1.836 亿欧元,位于 1.80 亿欧元±2000 万欧元的指引区间内,环比增长 60%、同比增长 54%,从一季度 5900 万欧元的低谷继续回升。这家德国沉积设备厂商将增长归因于 AI 数据中心带来的光通信需求。
Aixtron SE 2026 年三季度营收 1.836 亿欧元,位于 1.80 亿欧元±2000 万欧元的指引区间内,环比增长 60%、同比增长 54%,从一季度 5900 万欧元的低谷继续回升。这家德国沉积设备厂商将增长归因于 AI 数据中心带来的光通信需求。
湖北省经济和信息化厅发布消息称,武汉造半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并称为全球首次。原文仅有标题与来源信息,未披露设备厂商、具体型号、工艺参数或量产时间。
电子工程专辑发文称,国产半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并称其为全球首次。原文正文只有标题信息,未披露设备厂商、设备型号、工艺参数或验证进展。
江苏希磁半导体(HISIGK)已备好 14 台自动化光刻系统待交付,覆盖 300mm、200mm 和 150mm 晶圆平台。其特色半导体设备业务面向 MEMS、AR 光学和 LED 芯片等市场。
推荐理由:国产光刻设备从 MEMS、AR 光学等特色工艺切入,14 台多尺寸平台设备的交付进度可作为观察切口。
中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备,首台已付运国内一家集成电路封装客户。该设备采用 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术,兼容带框架 200mm、300mm 晶圆,可切割最小 5μm 切割道、支持 25–700μm 晶圆厚度,系统最多搭载 6 个刻蚀反应台,并支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后切割及背面刻蚀等工艺。
推荐理由:首台等离子体晶圆切割设备付运封装客户,国产设备进入先进封装切割环节的落地节点。
爱利彼半导体设备(上海)股份有限公司启动IPO辅导,拟首次公开发行股票并上市。
搜狐网报道称,光谷造半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并已量产出货,报道称其为全球首次。正文未披露设备厂商名称、设备型号及具体量产数量。
中微首台等离子切割机已交付,最小支持5微米切割道,指向先进封装应用。原文仅给出交付与切割道规格,未披露客户、订单数量及量产时间表。
科德数控(688305.SH)称,其KMC系列五轴立式加工中心已在多种半导体设备结构件加工中获得广泛应用。
中微公司首台先进封装设备顺利付运。原文仅有标题信息,未披露设备型号、交付客户及交付数量等细节。
国产等离子晶圆切割设备完成交付,为先进封装关键环节提供自主方案,设备切割道最小可达5微米。该设备由此进入封装关键环节。
中国半导体设备商报告订单创纪录并延续至2027年,AI驱动的先进存储、逻辑芯片和封装投资带动本土设备需求。刻蚀、薄膜沉积、清洗和电镀等环节供应商普遍受益,但零部件交付约束可能推迟订单转化为收入。
长江存储计划其第四座NAND闪存工厂最多70%的制造设备从国内供应商采购,明显高于现有产线的国产设备占比。该公司正借此扩产面向AI与数据中心的先进存储产品。
推荐理由:长江存储新厂设备国产化目标升至70%,可跟踪国产设备在先进存储产线的导入节奏。
华海清科11月4日面向Micro LED领域推出的磨-划-洗成套方案首套集成系统装备顺利出机,这是公司首次实现集成系统装备出机。该方案由Versatile-GM300HC减薄装备、Versatile-DT200边缘修整装备和HPC-F3400单片清洗装备构成,兼容8/12英寸产品。
中微公司(688012)业绩爆发,已开发出54种高端半导体设备。
中微公司(688012)业绩爆发,已开发出54种高端半导体设备。
国林科技10月30日回应半导体设备话题,称其半导体专用臭氧及机能水设备的核心器件可实现自研自制。
Intel在10月29日财报电话会上表示,服务器需求超过供应,公司正扩大产能并增加设备订单,带动设备与材料供应商参与扩产。管理层指出当前有三重约束:晶圆生产、封装基板,以及以色列工厂受扰造成的产出损失,解决这些问题并让新增产能上线都需要时间,相关收益将分阶段体现。
ACM Shanghai 交付首台 310×310mm 面板级电镀设备,订单积压增长 88%。随着 AI 芯片封装尺寸持续增大,面板级封装设备正逐步推进客户验证与量产。
Intel 在 SEMI 于旧金山 SEMICON West 展前举办的供应商论坛上告诉台湾芯片设备与材料供应商,若想获得其订单,需提前备好备件与服务能力。
KLA 正评估在印度开展制造业务,并考虑就印度 Semicon 2.0 激励计划提交一到两项申请。该消息由《经济时报》10 月 29 日援引知情人士报道,KLA 未回应其询问。
ASM International 上调增长目标,反映先进制程投资对其沉积设备的需求增速快于原计划。公司接下来需确保零部件供应充足,以支撑客户向更复杂逻辑与存储制造迁移带来的扩张。
荷兰半导体设备制造商 ASM International(ASMIY.US)上调 2027 年营收目标约 24%,并有望提前三年实现 2030 年目标。
精测电子宣布多款设备已完成客户交付并实现落地应用。原文未披露具体设备型号、交付数量及客户名称。
北方华创首台面向先进工艺节点的12英寸微波ECR等离子体刻蚀设备Acme Helix430正式问世,与公司现有ICP和CCP刻蚀设备形成技术路线互补。该设备采用自研微波ECR等离子体技术,可同步获得高密度等离子体与超低离子轰击能量,适配浅沟槽隔离、栅极刻蚀等核心工艺,并引入原子层刻蚀(ALE)模式。
推荐理由:原文给出北方华创首台12英寸微波ECR刻蚀设备的技术路线与工艺验证,读者可据此跟踪国产刻蚀在GAA节点的路线补齐。
韩国 OLED 蒸镀设备厂商 Sunic System 再获一笔海外 OLEDoS(硅基 OLED)蒸镀设备订单,瞄准 XR 与智能眼镜市场增长。随着 AI 向可穿戴设备延伸,公司正借此扩大在 OLEDoS 设备领域的海外布局。
新益昌前三季度净利润同比增长超7倍,半导体设备业务成为业绩增长的主要拉动力。
财联社报道,受益于三星与SK海力士扩产,韩国多家半导体设备商的积压订单翻番。原文未披露具体设备商名称、订单金额与交付时间。
中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺,采用全对称腔体结构、集成气柜设计和双制冷/双加热晶圆基座,并搭载量产的Primo C6V3传输系统。中微公司称该产品填补了国内下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
推荐理由:中微公司首台气相高选择性刻蚀设备付运国内客户,可据此跟踪其在GAA与3D存储器件工艺中的导入节奏。
华海清科在2026湾芯展发布中束流离子注入机 iHQ-900E 和面向先进封装的国产面板级 CMP 量产方案 Master-P510APEX。iHQ-900E 围绕剂量均匀性、角度及 WPH 等指标展示相较国外竞品的性能优势。同期 Universal-200 Smart 通过深圳平湖实验室国产化验收,公司获授湾芯展卓越企业荣誉。
华海清科在第二十六届国芯展上集中展示CMP、离子注入、减薄、划切、湿法等高端半导体装备及服务,离子注入系列装备成为现场交流热点。公司面向板级先进封装推出Panel CMP、Panel减薄等系列装备与成套解决方案,副总裁陈炯在同期论坛重点解读了离子注入系列装备的产品布局。
中微公司在2026湾芯展上重点推介最新发布的两款设备,Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀机与Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备。
推荐理由:中微在展会上推介两款新设备,其中ALD钼设备切入存储厂商钼基字线切换窗口,可跟踪其客户导入节奏。
中微公司携平台化产品矩阵亮相首届国芯展,其自主研发的Primo UD-RIE电容耦合等离子体刻蚀设备同时获得2026工博会CIIF大奖与"国芯展"创新成果奖。该设备为12英寸高端CCP刻蚀机,配备六个单反应台反应腔,可满足极高深宽比刻蚀要求。截至2026年6月底,中微公司累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。
华海清科自主研发的全自动板级CMP量产装备Master-P510APEX顺利出机,发往先进封装产线投入量产应用,为国内首台进入量产线的全自动板级CMP装备。该装备针对大尺寸板级封装设计,具备全板面均匀性与平坦化控制能力,支持低缺陷抛光,并通过智能终点检测与自动化控制实现多种工艺模式切换。华海清科称将围绕面板级工艺需求逐步推出覆盖多工艺环节的成套解决方案。
推荐理由:国产板级CMP装备首次进入量产线,可跟踪板级封装工艺环节的国产设备配套进度。
中微公司在CSEAC 2026期间推出六款自主研发的高端设备,覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD金属钼、金属硅化物集成沉积及碳化硅外延等环节。其中Primo XD-RIE™刻蚀机支持70到90比1深宽比,Performo QuaStar® ON单系统最多同时处理16片晶圆,Prefima Unicore™ AM为12英寸ALD金属钼设备,面向三维超高堆叠字线填充。
推荐理由:中微公司一次发布六款自研设备,覆盖极高深宽比刻蚀与多类薄膜沉积,产品矩阵向存储与逻辑关键工艺延伸。
华海清科新一代双工作台高效划切装备Versatile-DT300D首台正式出机,发往国内先进存储龙头企业。该装备面向存储芯片、先进封装、图像传感器场景定制开发,搭载双工作台全自动切割模块与高洁净清洗系统,并集成智能量测模块拓展切割量测与缺陷检测范围。华海清科现有产品矩阵覆盖CMP、离子注入、减薄、划切、边缘抛光、湿法、晶圆再生及耗材维保服务。
推荐理由:国产划切装备首台进入国内先进存储龙头产线,可跟踪其在先进封装与存储场景的验证进展。
北方华创面向全球市场推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备SICRIUS SN302D Ⅱ,基于全石英腔体架构从源头切断金属污染源。该设备通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线,替代人工经验调参,并配备多温区复合式精密温控系统与原位智能清洗工艺。公司称其适配先进逻辑、存储、功率及第三代半导体、先进封装、硅光集成等场景,已构建涵盖氧化、退火、LPCVD、PEALD的全品类立式炉量产平台。
推荐理由:北方华创推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备,全石英腔体与智能温控是其针对金属污染和均匀性的设计取向。
北方华创多项自主研发真空核心技术成果入选工信部2026年度工业母机创新产品典型案例名单。入选成果来自真空新能源装备事业群,涵盖真空高压气淬炉关键零部件、曲面PVD镀膜设备,以及大型复杂腔室与多腔室真空系统两大测试评价平台。
北方华创在SNEC 2026光伏展展出光伏硅片及电池片整线解决方案,并推出新一代大尺寸单晶硅生长设备,热场预留扩容至42英寸,整体功耗降10%、氧含量缩减5%、晶棒生长稳定性提升30%。电池端同步推出新一代磷扩散、硼扩散、氧化退火、PECVD、LPCVD、PVD等关键工艺装备,炉体电能损耗下降8%、气体利用率提升10%、热排降低40%。
北方华创正式发布全新12英寸气体团簇离子束(GCIB)刻蚀设备Acme Glaion130,覆盖先进逻辑、存储、封装、硅光芯片及AR/VR应用场景。设备攻克气体团簇离子源、高速运动下电极、动态精确控制算法三大技术,搭载原位膜厚量测装置,可实现晶圆局部定点精修。公司称其整面刻蚀膜厚控制精准,保持原子级光滑表面,综合性能达到同类型设备领先水平。
推荐理由:北方华创发布12英寸GCIB刻蚀设备,覆盖先进逻辑、存储与先进封装,可跟踪国产高端刻蚀设备的场景落地。