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今天11月12日周四2 条
11月11日周三
  1. Semiconductor Engineering28

    UCIe 互连在 2.5D 与 3D 多芯粒设计中的差异与工程考量

    白皮书分析了 UCIe 在 2.5D 与 3D 多芯粒设计中的互连差异:2.5D 封装的 UCIe 链路需穿过封装通道,插入损耗、串扰和速率提升会影响 PHY 与封装设计;3D 设计则凭更短的垂直连接与细间距键合,靠连接密度提升带宽,减少对高速串行化、均衡和通道训练的需求。内容还涵盖 F2B 与 F2F 拓扑对接口设计的影响,以及 3D 集成对实现、测试和可靠性的改变。

  2. 中微公司 · 新闻发布64

    中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备并交付首台

    中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备,首台已付运国内一家集成电路封装客户。该设备采用 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术,兼容带框架 200mm、300mm 晶圆,可切割最小 5μm 切割道、支持 25–700μm 晶圆厚度,系统最多搭载 6 个刻蚀反应台,并支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后切割及背面刻蚀等工艺。

    推荐理由:首台等离子体晶圆切割设备付运封装客户,国产设备进入先进封装切割环节的落地节点。

  3. Semiconductor Engineering49

    混合键合间距缩小至5μm以下,检测与量测面临极限挑战

    混合键合间距正从当前量产的4至9μm向5μm以下收缩,50nm颗粒和表面污染即可导致键合失效。CMP需将铜凹陷控制在几纳米并保持0.5nm RMS粗糙度,预键合检测须区分致命缺陷与无害形貌变化。键合后的埋藏缺陷检测仍是最大难题,红外、X射线和超声成像在分辨率、灵敏度与吞吐上各有局限。

  4. Semiconductor Engineering42

    AI 迭代提速,芯片测试难以跟上节奏

    AI 模型与工作负载的迭代速度已超过芯片设计、制造和测试周期,迫使芯片厂商重新思考测试策略。多 die 封装和更多测试插入点产生海量数据,且分散在不同公司和工厂之间难以共享;硅光目前已有 5 个测试插入点,面板级封装还将带来全新设备与工艺。客户还要求延长昂贵的 AI 硬件寿命,使老化与可靠性监控变得更复杂。

  5. Semiconductor Engineering38

    缩短光刻学习周期以加速 FOPLP 量产爬坡

    针对扇出面板级封装(FOPLP)爬坡中的光刻难题,将离线量测数据与良率预测算法结合,可在投入实际试产前评估工艺窗口。在 HVM 工艺的生产基板上评估时,良率预测与实测差异最初为 1.2% 至 2.7%,标准化检查流程后降至 0.2% 至 0.8%。该方法用仿真筛选参数组合、再用 qualification 基板验证,减少试错迭代并缩短开发周期。

  6. DIGITIMES60

    蓝思科技计划2026年底前建成首条TGV玻璃基板中试线,寻求与韩国芯片厂合作

    蓝思科技计划在2026年底前建成并运行首条TGV玻璃基板中试线,从手机玻璃业务延伸至先进芯片封装。公司中国区总裁江南在10月28日深圳C-TOUCH & DISPLAY SHENZHEN 2026展会接受ZDNet Korea采访时表示,公司正寻求与韩国半导体及存储企业建立合作。

  7. DIGITIMES68

    VIS 称新加坡晶圆厂 2027 年成增长引擎,产能近售罄、AI 中介层约占半营收

    VIS 表示新加坡晶圆厂预计 2027 年成为增长引擎,产能接近售罄且客户承诺已锁定,AI 中介层预计贡献约一半营收。扩产可能加速,但折旧与固定成本上升预计将给盈利能力带来压力。

    推荐理由:VIS 新加坡 12 英寸厂产能接近售罄、AI 中介层约占一半营收,可观察折旧与固定成本对利润的挤压。

  8. DIGITIMES77

    NVIDIA 与 SPIL 扩大 CPO 光引擎供应,2027 年中期产能提升 15 倍

    NVIDIA 与 ASE 旗下 SPIL 正扩大共封装光学(CPO)光引擎供应,目标到 2027 年中期将产能提升 15 倍,到 2028 年底提升 30 倍,推动 CPO 走向量产。随着数据中心流量增长,传统电信号在功耗和带宽上的限制正加速 AI 基础设施向光互连转型。

    推荐理由:NVIDIA 与 SPIL 给出 CPO 光引擎产能扩张时间表,可据此跟踪共封装光学从样品走向量产的节奏。

11月9日周一
  1. DIGITIMES72

    Nittobo 追加 200 亿日元扩产 T-Glass,2029 财年产能提至 2025 财年 3.6 倍

    日本 Nittobo(Nitto Boseki)计划追加投资 200 亿日元(约 1.27 亿美元),扩产用于先进半导体封装的低热膨胀系数(low-CTE)玻璃纤维布 T-Glass。扩产完成后,到 2029 财年产能将提升至 2025 财年的 3.6 倍,反映 AI 芯片厂商需求增长下 T-Glass 供应持续紧张。

    推荐理由:Nittobo 追加 200 亿日元扩产 T-Glass,读者可据此跟踪低 CTE 玻纤布供给紧张对先进封装材料端的约束。

11月8日周日
  1. Semiconductor Engineering22

    芯片行业周报:Nvidia 调查 CEO、H200 滞留香港与三星 HBM 扩产

    Nvidia 董事会宣布调查 CEO 黄仁勋,此前其承认与一名疑似中国间谍存在亲密关系,该事件随美国政府调查 Nvidia AI 芯片非法输华而曝光。约 60 万颗 Nvidia H200 AI 芯片滞留香港等待输往中国大陆的批准,三星和 SK hynix 的 HBM 则被指经走私渠道流入中国 AI 芯片开发商。