富士康Fan-out RDL抢进先进封装市场,锁定车用Chiplet与端侧AI商机
DIGITIMES Research Insight指出,富士康以Fan-out RDL切入先进封装市场,目标锁定车用Chiplet与端侧AI商机。
DIGITIMES Research Insight指出,富士康以Fan-out RDL切入先进封装市场,目标锁定车用Chiplet与端侧AI商机。
DIGITIMES Research Insight指出,富士康以Fan-out RDL切入先进封装市场,目标锁定车用Chiplet与端侧AI商机。
三星计划明年初完成先进封装技术3D Cube-H的开发。该技术是三星推进先进封装布局的一部分,具体参数与量产时间尚未披露。
三星计划明年初完成先进封装技术3D Cube-H的开发。该技术是三星推进先进封装布局的一部分,具体参数与量产时间尚未披露。
Moomoo 刊文讨论 EMIB 受关注背景下先进封装进入内卷期。原文未披露具体厂商、型号、参数或产能数字,仅以标题给出这一行业判断。
白皮书分析了 UCIe 在 2.5D 与 3D 多芯粒设计中的互连差异:2.5D 封装的 UCIe 链路需穿过封装通道,插入损耗、串扰和速率提升会影响 PHY 与封装设计;3D 设计则凭更短的垂直连接与细间距键合,靠连接密度提升带宽,减少对高速串行化、均衡和通道训练的需求。内容还涵盖 F2B 与 F2F 拓扑对接口设计的影响,以及 3D 集成对实现、测试和可靠性的改变。
SynPower 与 AblePrint Technology 签署战略合作协议,共同开发具备翘曲抑制退火系统(WSAS)功能的基板设备,深化双方在半导体先进封装与高端 ABF 产品领域的合作。
中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备,首台已付运国内一家集成电路封装客户。该设备采用 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术,兼容带框架 200mm、300mm 晶圆,可切割最小 5μm 切割道、支持 25–700μm 晶圆厚度,系统最多搭载 6 个刻蚀反应台,并支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后切割及背面刻蚀等工艺。
推荐理由:首台等离子体晶圆切割设备付运封装客户,国产设备进入先进封装切割环节的落地节点。
混合键合间距正从当前量产的4至9μm向5μm以下收缩,50nm颗粒和表面污染即可导致键合失效。CMP需将铜凹陷控制在几纳米并保持0.5nm RMS粗糙度,预键合检测须区分致命缺陷与无害形貌变化。键合后的埋藏缺陷检测仍是最大难题,红外、X射线和超声成像在分辨率、灵敏度与吞吐上各有局限。
西门子 Tessent Streaming Scan Network 与 Teradyne UltraFLEXplus 组成联合方案,通过设备自带的 PCIe 接口经 UltraPort 服务器传输扫描测试数据,并在标准 IG-XL 编程模型内完成测试设置、执行与调试。
PDF Solutions 基于 CEO John Kibarian 在 CONNECT 活动上的演讲,提出 AI 给半导体制造带来能源、数据与算力、供应链三重效率挑战。
AI 模型与工作负载的迭代速度已超过芯片设计、制造和测试周期,迫使芯片厂商重新思考测试策略。多 die 封装和更多测试插入点产生海量数据,且分散在不同公司和工厂之间难以共享;硅光目前已有 5 个测试插入点,面板级封装还将带来全新设备与工艺。客户还要求延长昂贵的 AI 硬件寿命,使老化与可靠性监控变得更复杂。
针对扇出面板级封装(FOPLP)爬坡中的光刻难题,将离线量测数据与良率预测算法结合,可在投入实际试产前评估工艺窗口。在 HVM 工艺的生产基板上评估时,良率预测与实测差异最初为 1.2% 至 2.7%,标准化检查流程后降至 0.2% 至 0.8%。该方法用仿真筛选参数组合、再用 qualification 基板验证,减少试错迭代并缩短开发周期。
蓝思科技计划在2026年底前建成并运行首条TGV玻璃基板中试线,从手机玻璃业务延伸至先进芯片封装。公司中国区总裁江南在10月28日深圳C-TOUCH & DISPLAY SHENZHEN 2026展会接受ZDNet Korea采访时表示,公司正寻求与韩国半导体及存储企业建立合作。
VIS 表示新加坡晶圆厂预计 2027 年成为增长引擎,产能接近售罄且客户承诺已锁定,AI 中介层预计贡献约一半营收。扩产可能加速,但折旧与固定成本上升预计将给盈利能力带来压力。
推荐理由:VIS 新加坡 12 英寸厂产能接近售罄、AI 中介层约占一半营收,可观察折旧与固定成本对利润的挤压。
NVIDIA 与 ASE 旗下 SPIL 正扩大共封装光学(CPO)光引擎供应,目标到 2027 年中期将产能提升 15 倍,到 2028 年底提升 30 倍,推动 CPO 走向量产。随着数据中心流量增长,传统电信号在功耗和带宽上的限制正加速 AI 基础设施向光互连转型。
推荐理由:NVIDIA 与 SPIL 给出 CPO 光引擎产能扩张时间表,可据此跟踪共封装光学从样品走向量产的节奏。
Henkel Korea 计划在首尔投资 121 亿韩元,扩建半导体先进封装材料研发中心。该投资将用于扩充先进封装材料相关研发能力。
恩纳基宣布自研A19 FC高精度倒装键合装备完成首批交付。原文未披露交付数量、客户及设备具体规格。
华泰证券指出,AI景气正向下游扩散,利好光通信、RISC-V与先进封装设备。该观点将光通信、RISC-V及先进封装设备列为受益方向。
中微首台等离子切割机已交付,最小支持5微米切割道,指向先进封装应用。原文仅给出交付与切割道规格,未披露客户、订单数量及量产时间表。
消息称三星电子计划明年初完成先进封装技术“3D Cube-H”的开发。该技术面向先进封装环节,目前原文未披露更多参数与量产时间表。
三星电子计划于2027年初完成下一代先进封装技术3D Cube-H的开发。该技术面向先进封装环节,具体参数与量产时间未在文中披露。
中微公司首台先进封装设备顺利付运。原文仅有标题信息,未披露设备型号、交付客户及交付数量等细节。
国产等离子晶圆切割设备完成交付,为先进封装关键环节提供自主方案,设备切割道最小可达5微米。该设备由此进入封装关键环节。
先进封装企业芯德半导体登陆港交所,成为南京新增的一家上市企业。该公司被称为先进封装领域的“小巨人”企业。
普莱信推出精度达0.1μm的亚微米固晶机,称其为全球最高精度。原文未披露该设备的型号、产能、价格与上市时间等进一步信息。
搜狐网报道称,英伟达出钱帮矽品建新厂房,被解读为CoWoS扩产实锤,日月光盘前涨近6%。原文未披露投资金额、厂房产能规模与投产时间。
Paras Semiconductors 与总部位于美国的 BroadPak 于11月6日宣布建立技术合作,在印度建设先进半导体封装能力,核心是计划投资620亿卢比(约6.59亿美元)在中央邦建设一座 OSAT 工厂。
Semiconductor Engineering 刊文解读 AI scale-up 光互连标准 OCI-MSA,其创始成员包括 AMD、Broadcom、Meta、Microsoft、NVIDIA 和 OpenAI。
日本 Nittobo(Nitto Boseki)计划追加投资 200 亿日元(约 1.27 亿美元),扩产用于先进半导体封装的低热膨胀系数(low-CTE)玻璃纤维布 T-Glass。扩产完成后,到 2029 财年产能将提升至 2025 财年的 3.6 倍,反映 AI 芯片厂商需求增长下 T-Glass 供应持续紧张。
推荐理由:Nittobo 追加 200 亿日元扩产 T-Glass,读者可据此跟踪低 CTE 玻纤布供给紧张对先进封装材料端的约束。
印度扩大半导体封装与组装产能的推进速度可能超过其芯片测试基础设施的发展,从而推高成本并延长对海外设施的依赖。OSAT 投资正在推进,但测试环节的配套能力仍是风险点。
联发科先进封装副总经理 Shang Hou 表示,AI 驱动的先进封装需求激增,已让 CoWoS 从一项"有趣"的技术变成难题,锁定晶圆、封装与基板产能成为联发科的首要任务。
驱动之家报道称,英伟达以数十亿美元扶持日月光,以分流台积电CoWoS的产能压力,报道将这一动作归因于先进封装产能缺口凸显。原文正文仅有标题与来源信息,未披露具体金额、产能数字或时间表。
据 The Elec 11 月 6 日报道,韩国 JNTC 已进入 NVIDIA 的采购供应商名单,并向其供应 TGV(玻璃通孔)基板的付费样品,其中包括 2mm 厚玻璃芯。JNTC 由此成为 NVIDIA 玻璃基板样品供应方之一。
联发科侯上勇称 CoWoS 从有趣变头痛,卡位封装产能已成当务之急。他指出,封装产能的争夺正成为当前的关键挑战。
由 Pat Gelsinger 支持的 Georgia Tech 衍生公司 Nagare Labs 称,其 Z2RAM 可把 SRAM 速度、DRAM 密度的存储直接堆叠在 AI 芯片之上。
Nvidia 董事会宣布调查 CEO 黄仁勋,此前其承认与一名疑似中国间谍存在亲密关系,该事件随美国政府调查 Nvidia AI 芯片非法输华而曝光。约 60 万颗 Nvidia H200 AI 芯片滞留香港等待输往中国大陆的批准,三星和 SK hynix 的 HBM 则被指经走私渠道流入中国 AI 芯片开发商。
苏大维格(300331.SZ)表示,公司在先进封装检测领域的布局尚未实现量产收入。该回应明确了这一业务目前仍处于未产生规模化营收的阶段。
英特尔EMIB封装良率已超90%,成本比台积电CoWoS低50%,被视为其封装业务的重要商机。
英伟达正寻求破解存储瓶颈,台积电据悉考虑布局3D DRAM。财联社报道了这一动向,但未披露具体技术路线、时间表或投资规模。