缩短光刻学习周期以加速 FOPLP 量产爬坡

针对扇出面板级封装（FOPLP）爬坡中的光刻难题，将离线量测数据与良率预测算法结合，可在投入实际试产前评估工艺窗口。在 HVM 工艺的生产基板上评估时，良率预测与实测差异最初为 1.2% 至 2.7%，标准化检查流程后降至 0.2% 至 0.8%。该方法用仿真筛选参数组合、再用 qualification 基板验证，减少试错迭代并缩短开发周期。