混合键合间距缩小至5μm以下，检测与量测面临极限挑战

混合键合间距正从当前量产的4至9μm向5μm以下收缩，50nm颗粒和表面污染即可导致键合失效。CMP需将铜凹陷控制在几纳米并保持0.5nm RMS粗糙度，预键合检测须区分致命缺陷与无害形貌变化。键合后的埋藏缺陷检测仍是最大难题，红外、X射线和超声成像在分辨率、灵敏度与吞吐上各有局限。