湖北省经信厅称武汉造半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离
湖北省经济和信息化厅发布消息称,武汉造半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并称为全球首次。原文仅有标题与来源信息,未披露设备厂商、具体型号、工艺参数或量产时间。
湖北省经济和信息化厅发布消息称,武汉造半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并称为全球首次。原文仅有标题与来源信息,未披露设备厂商、具体型号、工艺参数或量产时间。
电子工程专辑发文称,国产半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并称其为全球首次。原文正文只有标题信息,未披露设备厂商、设备型号、工艺参数或验证进展。
中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备,首台已付运国内一家集成电路封装客户。该设备采用 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术,兼容带框架 200mm、300mm 晶圆,可切割最小 5μm 切割道、支持 25–700μm 晶圆厚度,系统最多搭载 6 个刻蚀反应台,并支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后切割及背面刻蚀等工艺。
推荐理由:首台等离子体晶圆切割设备付运封装客户,国产设备进入先进封装切割环节的落地节点。
爱利彼半导体设备已启动IPO辅导备案,辅导机构为申万宏源。
爱利彼半导体设备启动IPO辅导备案,由申万宏源担任辅导机构。原文未披露具体产品型号、融资规模或上市板块等细节。
爱利彼半导体设备(上海)股份有限公司启动IPO辅导,拟首次公开发行股票并上市。
西门子 Tessent Streaming Scan Network 与 Teradyne UltraFLEXplus 组成联合方案,通过设备自带的 PCIe 接口经 UltraPort 服务器传输扫描测试数据,并在标准 IG-XL 编程模型内完成测试设置、执行与调试。
SK hynix 参与的半导体测试设施 Trinity Fab 将于 2027 年 10 月开始测试芯片制造设备与材料,该设施投资 8746 亿韩元(约 6.51 亿美元),将按 SK hynix 的量产标准运营。
搜狐网报道称,光谷造半导体设备实现350mm碳化硅激光剥离,并已量产出货,报道称其为全球首次。正文未披露设备厂商名称、设备型号及具体量产数量。
证券之星报道,拓荆科技拟以25亿元收购无锡尚积,该交易被称为年内半导体设备领域最大并购方案。原文未展开双方交易结构、标的业务或整合细节,标题表述的重点落在不仅做大更要做强。
中微首台等离子切割机已交付,最小支持5微米切割道,指向先进封装应用。原文仅给出交付与切割道规格,未披露客户、订单数量及量产时间表。
科德数控(688305.SH)称,其KMC系列五轴立式加工中心已在多种半导体设备结构件加工中获得广泛应用。
国产等离子晶圆切割设备完成交付,为先进封装关键环节提供自主方案,设备切割道最小可达5微米。该设备由此进入封装关键环节。
V5 Technologies 2026年前10个月合并营收突破新台币26亿元,同比增长69.7%。10月单月营收新台币3.16亿元(约961万美元),环比增长1.67%,同比增长32.5%。
中国半导体设备商报告订单创纪录并延续至2027年,AI驱动的先进存储、逻辑芯片和封装投资带动本土设备需求。刻蚀、薄膜沉积、清洗和电镀等环节供应商普遍受益,但零部件交付约束可能推迟订单转化为收入。
长江存储计划其第四座NAND闪存工厂最多70%的制造设备从国内供应商采购,明显高于现有产线的国产设备占比。该公司正借此扩产面向AI与数据中心的先进存储产品。
推荐理由:长江存储新厂设备国产化目标升至70%,可跟踪国产设备在先进存储产线的导入节奏。
Emerson 发布 NI PXIe-4086 数字万用表及 PXIe-5160、PXIe-5162 示波器新版本,均属 NI PXI 平台,可搭配近期推出的 NI Nigel AI 方案使用。PXIe-5160 提供 2 或 4 通道、最高 2.5 GS/s 采样率、500 MHz 带宽,英国起售价 £14,700。产品面向半导体、交通与航空航天等高通道混合测量测试。
电子工程专辑解读一份 2026 年报告,梳理 40 余家国产厂商在晶圆制造设备领域的竞争态势,指出整体国产化率为 21%,其中光刻环节仅 1%。报告以国产化率为主线对比各环节厂商进展。
Cosmic Group 将于 11 月 10 日至 13 日在慕尼黑参加 SEMICON Europa 2026,与 electronica 同期举办,展位为 C1255。公司此次参展聚焦高复杂度半导体测试解决方案。
据 ETNews 援引业界消息,AI 驱动的晶圆厂扩产使部分设备交期超过两年,芯片厂正提前锁定最早 2029 年交付的生产设备,并比以往提前数年谈判供货合同。
推荐理由:AI 驱动的扩产把部分设备交期推到两年以上,芯片厂已提前锁定 2029 年交付。
华海清科11月4日面向Micro LED领域推出的磨-划-洗成套方案首套集成系统装备顺利出机,这是公司首次实现集成系统装备出机。该方案由Versatile-GM300HC减薄装备、Versatile-DT200边缘修整装备和HPC-F3400单片清洗装备构成,兼容8/12英寸产品。
Screen Holdings 在京都长冈京投资 250 亿日元(约 1.5753 亿美元)建设半导体清洗设备生产基地,并将截至 2027 年 3 月的年度资本开支预算提高至 580 亿日元(约 3.6733 亿美元)。新工厂计划于 2028 年 1 月投产。
日本 SCREEN 半导体设备接单创新高,将投入 250 亿日圆扩产,目标产能增加 70%。
华海清科全资子公司华海清科(上海)半导体有限公司通过公开挂牌竞得浦东新区金桥“装备小镇”一宗国有建设用地使用权,出让面积约4.6万平方米,上海集成电路高端装备研发制造基地项目用地正式落定。
推荐理由:原文给出上海基地约17亿元投资与4.6万平方米用地落定,可跟踪离子注入、CMP、减薄装备产能扩充节奏。
Tokyo Electron(TEL)预计年度营业利润增长近 90%,原因是芯片制造商为满足 AI 硬件需求而加快资本支出。公司同时宣布 1500 亿日元股份回购计划。
中微公司(688012)业绩爆发,已开发出54种高端半导体设备。
中微公司(688012)业绩爆发,已开发出54种高端半导体设备。
国林科技10月30日回应半导体设备话题,称其半导体专用臭氧及机能水设备的核心器件可实现自研自制。
中微公司前三季度营收突破百亿元,并已开发出54种高端半导体设备。
Intel在10月29日财报电话会上表示,服务器需求超过供应,公司正扩大产能并增加设备订单,带动设备与材料供应商参与扩产。管理层指出当前有三重约束:晶圆生产、封装基板,以及以色列工厂受扰造成的产出损失,解决这些问题并让新增产能上线都需要时间,相关收益将分阶段体现。
ACM Shanghai 交付首台 310×310mm 面板级电镀设备,订单积压增长 88%。随着 AI 芯片封装尺寸持续增大,面板级封装设备正逐步推进客户验证与量产。
Intel 在 SEMI 于旧金山 SEMICON West 展前举办的供应商论坛上告诉台湾芯片设备与材料供应商,若想获得其订单,需提前备好备件与服务能力。
KLA 正评估在印度开展制造业务,并考虑就印度 Semicon 2.0 激励计划提交一到两项申请。该消息由《经济时报》10 月 29 日援引知情人士报道,KLA 未回应其询问。
KLA 最新业绩显示,AI 芯片制造扩张带动量检测设备需求上升,复杂系统的交付能力正成为其增长的核心约束。公司对 12 月季度的展望转强,但光学元件供应和存储成本上升给扩产带来复杂因素。
ASM International 上调增长目标,反映先进制程投资对其沉积设备的需求增速快于原计划。公司接下来需确保零部件供应充足,以支撑客户向更复杂逻辑与存储制造迁移带来的扩张。
越好电子宣布其TGV先进封装金属化溅镀设备已在大尺寸玻璃基板、最高15:1深宽比通孔上完成全工艺验证。该验证覆盖玻璃基板TGV金属化环节,具体客户与量产时间未在原文披露。
荷兰半导体设备制造商 ASM International(ASMIY.US)上调 2027 年营收目标约 24%,并有望提前三年实现 2030 年目标。
精测电子宣布多款设备已完成客户交付并实现落地应用。原文未披露具体设备型号、交付数量及客户名称。
北方华创首台面向先进工艺节点的12英寸微波ECR等离子体刻蚀设备Acme Helix430正式问世,与公司现有ICP和CCP刻蚀设备形成技术路线互补。该设备采用自研微波ECR等离子体技术,可同步获得高密度等离子体与超低离子轰击能量,适配浅沟槽隔离、栅极刻蚀等核心工艺,并引入原子层刻蚀(ALE)模式。
推荐理由:原文给出北方华创首台12英寸微波ECR刻蚀设备的技术路线与工艺验证,读者可据此跟踪国产刻蚀在GAA节点的路线补齐。
韩国 OLED 蒸镀设备厂商 Sunic System 再获一笔海外 OLEDoS(硅基 OLED)蒸镀设备订单,瞄准 XR 与智能眼镜市场增长。随着 AI 向可穿戴设备延伸,公司正借此扩大在 OLEDoS 设备领域的海外布局。