佳能发布KrF半导体光刻机FPA-6400ES6a
佳能发布KrF半导体光刻机FPA-6400ES6a。原文未披露该机的分辨率、套刻精度、产能或上市时间等具体参数。
#光刻进展
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分3434 DIGITIMESAI 评分4646 Canon 将于12月推出 KrF 光刻扫描机 FPA-6400ES6a，产能达每小时400片晶圆
Canon 宣布将于2026年12月上旬推出用于存储与逻辑半导体制造的 KrF 扫描机 FPA-6400ES6a，产能达每小时400片晶圆。官方未公布具体上市日期、价格或出货量。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2424 清华系华卓精科二闯科创板，复旦系另一国产半导体先锋同步冲刺IPO
华卓精科再度冲刺科创板IPO，与另一家复旦系国产半导体公司形成"清华VS复旦"的IPO对照。原文未披露两家公司的具体产品型号、募资金额与发行估值等细节。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4747 消息称三星电子、SK海力士均将向ASML EUV光刻机投资超10万亿韩元
消息称三星电子与SK海力士均将向ASML的EUV光刻机投资超10万亿韩元。两家存储芯片厂商的投资均指向EUV设备采购，金额规模各自超过10万亿韩元。此事目前为消息层面报道。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4444 佳能推出高性能KrF光刻机，套刻精度可达4nm
佳能推出高性能KrF光刻机，套刻精度可达4nm。原文未披露该机型的型号、产能与上市时间等具体信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1515 国产新一代光刻机模型亮相博览会，默克加码共筑半导体底盘
国产新一代光刻机模型在博览会亮相，默克同步加码，参与共筑半导体底盘。原文未披露该光刻机型号、制程节点或性能参数，也未说明默克加码的具体金额与项目内容。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5252 消息称三星电子、SK海力士均将向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元
消息称三星电子与 SK 海力士均计划向 ASML 的 EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元。两家存储厂商的这项投资规模均超过 10 万亿韩元，指向 EUV 光刻设备的采购。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4545 佳能KrF光刻机时隔十四年全面换代：成熟制程的产能焦虑与翘曲难题有了新解法
佳能KrF光刻机时隔十四年全面换代，针对成熟制程的产能焦虑与晶圆翘曲难题给出新解法。原文未披露具体型号、参数与售价等信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2929 香港01报道国产光刻机国产化率破90%并步入量产
香港01报道称，新一代光刻机步入量产，国产化率突破90%，关键部件实现全自主。报道以“突破封锁”描述这一进展，但未披露设备型号、制程节点、产能或具体零部件清单。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2626 中国新一代光刻机模型亮相，国产化率超90%
中国新一代光刻机模型亮相，国产化率超过90%。原文未披露该机型的型号、制程节点、光源类型及厂商信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5757 上海微电子新一代前道干式光刻机亮相进博会，关键零部件国产化率超90%
上海微电子新一代前道干式光刻机在进博会上亮相，关键零部件国产化率超过90%。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分3131 佳能新款KrF光刻机即将推出，套刻精度达4.0nm
佳能即将推出一款新的KrF光刻机，套刻精度为4.0nm。原文未披露该机型的具体型号、发布时间及售价等信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4141 佳能发售KrF半导体光刻机FPA-6400ES6a，主打高生产率与业界高水平套刻精度
佳能发售KrF半导体光刻机FPA-6400ES6a，主打高生产率与业界高水平套刻精度。该机型面向KrF光刻环节，官方强调其在生产率和套刻精度两方面的表现。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1212 国产光刻设备出海潮，海思光刻机11月集中交付
搜狐网报道称国产光刻设备出现出海潮，海思光刻机将于11月集中交付。原文未披露具体型号、交付数量、客户及目的地等信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5353 三星和 SK 海力士抢购 EUV 光刻机，ASML 预计未来两年供应短缺
三星和 SK 海力士正在抢购 EUV 光刻机，ASML 预计未来两年都将出现供应短缺。报道未披露具体采购数量、机型与交期数字。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分3636 佳能推出高性能KrF光刻机，套刻精度可达4nm
佳能推出一款高性能KrF光刻机，套刻精度可达4nm。该设备不采用EUV方案。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 第九届进博会：中国新一代光刻机模型亮相，性能直追国际标杆
第九届进博会上，中国新一代光刻机模型亮相，报道称其性能直追国际标杆。原文未披露该光刻机的型号、制程节点、产能或厂商信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4141 三星电子与SK海力士争夺EUV光刻机 各自投入或达20万亿韩元
三星电子与SK海力士围绕EUV光刻机展开争夺，各自投入或达20万亿韩元。两家存储厂商正以大规模设备投资抢占EUV产能。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1515 我国新一代光刻机模型亮相
我国新一代光刻机模型亮相。原文未披露该模型的型号、制程节点、光源方案与性能参数，也未说明研发主体与展出场合。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 国产光刻机亮相：国产化率超90%，ASML这次要慌了？
搜狐网报道一款国产光刻机亮相，称其国产化率超过90%，并以“ASML这次要慌了？”作设问。原文未披露该设备的型号、制程节点、产能或量产时间等具体信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 国产光刻机出海潮：海思光刻机11月集中交付，12寸/8寸/6寸齐发日本等国
海思光刻机于11月集中交付，覆盖12寸、8寸、6寸三种规格，并发往日本等国。原文未披露具体型号、交付数量与客户名称。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5858 中国新一代光刻机模型亮相进博会，关键零部件国产化率突破90%
中国新一代光刻机模型在进博会上亮相，其关键零部件国产化率突破90%。
DIGITIMES精选AI 评分6767 ASML 预警 2027 至 2028 年 EUV 设备产能不足，三星与 SK hynix 争抢设备
ASML 预警其规划产能将无法满足 2027 年和 2028 年的客户需求，三星电子与 SK hynix 正竞相锁定 EUV 光刻设备。这一供应缺口引发对先进 DRAM 扩产所需关键设备可得性的担忧。
推荐理由：ASML 预警 2027 至 2028 年 EUV 产能不足，读者可据此跟踪先进 DRAM 扩产的设备交期约束。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 中国新一代光刻机模型亮相，国产化率超90%
中国新一代光刻机模型亮相，国产化率超过90%。原文未披露该模型的型号、制程节点、光源方案及厂商信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 我国新一代光刻机模型亮相
我国新一代光刻机模型亮相。原文未披露该模型的型号、技术参数、制程节点或研发主体等具体信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 SMEE 在进博会展示共享干法光刻平台模型
SMEE 在进博会上展示了共享干法光刻平台模型。原文未披露该平台的具体型号、参数或可用性信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 我国新一代光刻机模型亮相
我国新一代光刻机模型亮相。原文未披露该模型的型号、技术参数、研发主体及曝光方式等具体信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2626 上海微电子新一代光刻机模型亮相，展示我国前道光刻装备自主化阶段性成果
上海微电子新一代光刻机模型亮相，展示我国前道光刻装备自主化的阶段性成果。原文未披露该机型的具体型号、制程节点与量产时间等信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2626 上海微电子展出两款前道干式光刻机模型
上海微电子展出两款前道干式光刻机模型。原文未披露具体型号、制程节点与参数信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分3030 中国新一代光刻机模型亮相，关键零部件国产化率突破90%
中国新一代光刻机模型亮相，关键零部件国产化率突破90%。原文未披露该模型的型号、制程节点、光源方案及展出场合等具体信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 国产光刻机进博会"开盖"：不是登顶，是先站稳
国产光刻机在进博会上以"开盖"形式展出，文章将其定位为"先站稳"而非"登顶"。原文未披露具体型号、参数或性能数据。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 国产新一代光刻机模型亮相，性能直追国际标杆
国产新一代光刻机模型亮相，性能直追国际标杆。原文未披露该模型的型号、制程节点、光源方案或具体性能参数，也未说明研发主体与展出场合。报道称全国产半导体可期，但未给出量产时间表或可用性信息。
DIGITIMESAI 评分6060 SMEE 展示新一代前道与先进封装光刻设备，称关键部件国产化率超 90%
上海微电子（SMEE）展示覆盖前道晶圆制造与先进封装的新一代自研光刻系统，并称前道设备关键部件国产化率超过 90%，相关设备正推进量产。这是中国半导体设备本土化进程的又一进展。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4242 上海微电子新一代前道干式光刻机模型亮相进博会，累计流片超千万片
上海微电子在进博会展出新一代前道干式光刻机模型，该系列设备累计流片已超千万片。原文未披露新机型的具体型号、制程节点与参数信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5252 上海微电子前道干式光刻机落地：流片破千万片
上海微电子前道干式光刻机落地，流片突破千万片。该报道将这一进展称为国产光刻机的里程碑，但未披露设备型号、制程节点或客户信息。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 上海微电子新一代光刻机模型亮相，展示我国前道光刻装备自主化阶段性成果
上海微电子新一代光刻机模型亮相，展示我国前道光刻装备自主化的阶段性成果。原文未披露该机型的型号、制程节点、光源方案与量产时间等具体参数。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 我国新一代光刻机模型亮相
我国新一代光刻机模型亮相。华尔街见闻报道称其为重大突破，但未披露该模型的型号、技术参数或研发主体等信息。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分5858 GlobalFoundries 高管详解 FDX Fusion：无需 EUV 实现 7nm 级性能，目标 2030 年量产
GlobalFoundries FD-SOI 业务部门副总裁 Sudipto Bose 在采访中详解 FDX Fusion 工艺，称其基于平面晶体管和 DUV 光刻实现 8nm 级逻辑密度（1400 万门/平方毫米）与 7nm 级功耗性能，无需 EUV。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4242 国产化率 21%、光刻仅 1%：2026 年报告解读 40 余家国产厂商晶圆制造设备竞争态势
电子工程专辑解读一份 2026 年报告，梳理 40 余家国产厂商在晶圆制造设备领域的竞争态势，指出整体国产化率为 21%，其中光刻环节仅 1%。报告以国产化率为主线对比各环节厂商进展。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5858 上海微电子前道干式光刻机落地，流片突破千万片
驱动之家报道称，上海微电子前道干式光刻机已落地，流片突破千万片。原文仅给出这一标题式信息，未披露具体机型、客户或时间节点。