马斯克 Terafab 计划 2032 年后月产 100 万片晶圆,其中 70 万片为存储
据 Financial News 报道,特斯拉与 SpaceX 合资的 Terafab 已向设备商非正式提出,2032 年后月产 100 万片晶圆的目标,其中约 70%(70 万片)规划为存储、逾 30 万片为逻辑芯片,存储部分若全部为 DRAM 将接近三星估算的月产 65 万至 70 万片水平。
推荐理由:Terafab 万片级月产能规划与采购团队赴日催交期并列,呈现一处新进者的产能爬坡时间表。
据 Financial News 报道,特斯拉与 SpaceX 合资的 Terafab 已向设备商非正式提出,2032 年后月产 100 万片晶圆的目标,其中约 70%(70 万片)规划为存储、逾 30 万片为逻辑芯片,存储部分若全部为 DRAM 将接近三星估算的月产 65 万至 70 万片水平。
推荐理由:Terafab 万片级月产能规划与采购团队赴日催交期并列,呈现一处新进者的产能爬坡时间表。
VIS 表示新加坡晶圆厂预计 2027 年成为增长引擎,产能接近售罄且客户承诺已锁定,AI 中介层预计贡献约一半营收。扩产可能加速,但折旧与固定成本上升预计将给盈利能力带来压力。
推荐理由:VIS 新加坡 12 英寸厂产能接近售罄、AI 中介层约占一半营收,可观察折旧与固定成本对利润的挤压。
TrendForce 指出,移动 DRAM 合约价持续上涨正推动手机品牌采用重植球内存,预计 2027 年智能手机渗透率达 7–9%。
推荐理由:移动 DRAM 合约价持续走高,品牌转向重植球内存,读者可跟踪价格周期对手机物料结构的影响。
南亚科技 2026 年 10 月合并营收 464.76 亿新台币(约 14.2 亿美元),月增 3.07%、年增 487.73%。受 DRAM 价格持续上涨带动,月度营收连续 12 个月创下新高,但出货量出现下滑。前 10 个月合并营收累计 3117.61 亿新台币,年增 602.15%。
推荐理由:DRAM 价格连续上涨推动南亚科技月度营收连续 12 个月创高,读者可据此跟踪存储价格周期与出货量的背离。
SK hynix 正为 NVIDIA Vera Rubin AI 平台量产扩大 SOCAMM2 PCB 订单,同时铜箔基板(CCL)等材料短缺推高基板价格。该消息由韩国媒体 Dealsite 于 10 月 30 日报道。
推荐理由:SK hynix 为 NVIDIA Vera Rubin 平台扩大 SOCAMM2 PCB 订单,同时 CCL 等材料短缺推高基板价格,读者可据此跟踪扩产节奏与材料成本传导。
覆铜板(CCL)厂商台光电子(EMC)公布 2026 年第三季营收 608.8 亿新台币(约 18.75 亿美元),创单季新高。营收环比增长 28.8%,同比增长 142%,公司称增长来自 AI 产品所用高端材料的强劲需求以及产能满载。
推荐理由:AI 高端材料需求带动稼动满载,季度营收环比增 28.8%,可观察覆铜板供给紧张程度。
阿里、腾讯、字节跳动据报正寻求与三星电子和SK hynix签订服务器DRAM长期供应协议,部分请求期限延伸至2035年。中国云服务商由此加入美国科技巨头争夺未来存储产能的行列。
推荐理由:中国云厂商寻求长约锁定服务器DRAM供应,反映存储产能争夺向长约环节延伸。
SK海力士在电话会上表示,DRAM和HBM产能已售罄至2029年,需求是供应的两倍。公司同时称明年资本开支将大幅增加。
推荐理由:SK海力士称DRAM与HBM产能已售罄至2029年,需求为供应的两倍,并计划明年大幅增加资本开支。
北京君正三季度归属于股东的净利润为 14.19 亿元人民币(约 2.1239 亿美元),同比增长 2,595.49%。这家无晶圆厂芯片设计公司的存储产品主要面向汽车、工厂设备、医疗设备和网络设备,而非智能手机与 PC;供应紧张推高了其特种 DRAM、SRAM 和闪存产品的价格,这些产品目前占其销售的大部分。
推荐理由:存储缺货推高利基型 DRAM、SRAM 与闪存价格,北京君正三季度净利同比增 2,595%,显示涨价已传导至非消费类存储设计端。
旺宏国际董事长吴敏求宣布,公司将逐步退出传统游戏机用 ROM 业务并冻结 NOR Flash 扩产,把逾 300 亿新台币(约 9.25 亿美元)资本支出投向 eMMC 与 NAND Flash。新产能首期预计从 2027 年下半年起逐步爬坡至年底。旺宏 2026 年第三季度利润创历史新高,首次突破 100 亿新台币;吴敏求表示只要锁定对的客户,合约涨价不可避免。
推荐理由:原文给出旺宏冻结 NOR 扩产、转向 eMMC 与 NAND 的产能调整节点,读者可据此跟踪其新产能爬坡节奏。
三星电子与SK hynix 在2026年启动各自史上最大规模的设备投资,但存储供给增量预计要到2028年才会落地。届时韩国新厂与中国长鑫存储(CXMT)的扩产产能将同时上线,可能引发通用DRAM价格竞争。
推荐理由:三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资,但存储供给增量要到2028年才释放,读者可据此判断扩产周期与后续价格竞争时点。
联电 CEO Jason Wang 预计 2027 年晶圆代工价格将继续上涨,公司全年 ASP 同比增长约 10%。他同时提出 AI 营收占比将在三年内升至 25%。
推荐理由:原文给出联电 2027 年 ASP 约 10% 的同比涨幅指引,读者可据此跟踪代工价格周期与 AI 营收占比变化。
三星电子三季度利润几乎全部来自存储芯片涨价,而非出货量增加。公司在财报电话会上告诉投资者,支撑这轮价格的短缺将持续到2028年,即便芯片制造商正在加大支出。
推荐理由:三星三季度利润几乎全部来自存储涨价而非出货增加,并称短缺将持续到2028年,读者可据此跟踪存储价格周期的持续时间。
SK hynix 公布 2026 年第三季度营收 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元,单季营收首次突破 100 万亿韩元,营业利润率 80%。
推荐理由:公司披露2027至2028年逾五成产能已被长期协议锁定,并给出HBM4四季度转主流与M15X满产的节奏。
SK海力士在电话会上称DRAM和HBM产能已售罄至2029年,需求是供应的两倍。公司同时表示明年资本开支将大幅增加。
推荐理由:SK海力士称DRAM与HBM产能售罄至2029年、需求为供应两倍,并计划明年大幅增加资本开支,读者可据此跟踪存储扩产周期。
TrendForce 最新 MLCC 产业研究指出,AI 应用从模型训练快速转向推理与 AI 智能体,正带动新一轮 CPU 需求,每颗 CPU 都需配套电源模块与 DDR5 内存。该机构预计高容值 MLCC 缺货将持续至 2027 年上半年。
高盛援引行业专家观点称,HBM均价明年或上涨122%,DRAM涨势可能延续至2028年。该内容由富途牛牛转载,正文未展开具体数据与专家身份细节。
推荐理由:高盛援引行业专家给出HBM均价明年涨122%的预测,读者可据此跟踪存储价格周期的延续节奏。
SK hynix 在 Q3 电话会上表示,DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄。公司同时提到 AI 投资主体正从大型云厂商向主权基金与企业级客户扩散。
推荐理由:SK hynix 在 Q3 电话会给出 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年近售罄的排产口径,可用于跟踪存储供给紧张周期。
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道,原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由:SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄,读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道,原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由:SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄,读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。