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Atomera 与 IQE 签署 JDA，推动高性能低成本 RF GaN-on-Si 走向量产市场
Atomera signs JDA with IQE to bring high-performance, cost-effective RF GaN-on-Si to volume markets
AI 导读
Atomera 与 IQE 签署联合开发协议（JDA），共同推动高性能、低成本的 RF GaN-on-Si 进入量产市场。Atomera 提供晶体管材料与技术授权，IQE 负责外延晶圆与衬底制造。
来源：Semiconductor Today · semiconductor-today.com