SPIE 光掩模与 EUV 光刻会议专家小组：EPE 已成系统级问题，计算光刻需重构

在 SPIE Photomask Technology + EUV Lithography 会议上，来自 IBM、Carl Zeiss SMT、Micron、ASML、Tekscend 与 Applied Materials 的专家小组讨论指出，EPE 已不再是单一光刻指标，而是涵盖掩模、扫描仪、光刻胶、刻蚀、量测与 OPC 的系统级问题。