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11月11日周三
  1. Semiconductor Today36

    三菱电机利用 GaN 衬底抑制 GaN 晶体管频率色散

    三菱电机称全球首次阐明单晶 GaN 衬底上单晶 GaN 外延层所制 GaN 晶体管中晶体缺陷引起的频率色散机理,并证明可显著抑制该频率色散。该现象指高频器件的电流等特性随工作频率变化。

  2. Semiconductor Today22

    Staera 结束隐身模式亮相,获 460 万美元 pre-seed 融资

    Staera 结束隐身模式,获得 460 万美元 pre-seed 融资,由 Openspace Capital 领投,SGInnovate、Black Kite Capital 等参投。该公司前身为 New Silicon Corp(NSC),其技术可直接将光数据链路建入硅芯片,瞄准芯片间数据传输这一限制 AI 系统规模与速度的瓶颈。

  3. Semiconductor Today35

    Nexperia 推出超低导通电阻 GaN FET,覆盖 18V 至 200V

    Nexperia 推出超低导通电阻 GaN FET,扩展其中低压 GaN 产品组合,器件覆盖 18V 至 200V。新品面向 AI 数据中心、人形机器人、电池供电工具、可再生能源及高效 SR 与 DC-DC 转换,结合大电流、快速开关与紧凑散热增强封装,提升效率与功率密度。

  4. Semiconductor Engineering28

    应对 AI 时代硅光工艺控制挑战

    AI 推动电互连逼近极限,硅光与 CPO 用光传输数据成为可行路径,但量产需在光学结构、材料与集成工艺上保持精确工艺控制。硅光良率与性能取决于关键尺寸及几何、薄膜、缺陷的严格管控,光纤 V 型槽、波导与包层、微透镜、激光器件、键合与 TSV 等环节对微小工艺波动高度敏感。

  5. Semiconductor Engineering49

    混合键合间距缩小至5μm以下,检测与量测面临极限挑战

    混合键合间距正从当前量产的4至9μm向5μm以下收缩,50nm颗粒和表面污染即可导致键合失效。CMP需将铜凹陷控制在几纳米并保持0.5nm RMS粗糙度,预键合检测须区分致命缺陷与无害形貌变化。键合后的埋藏缺陷检测仍是最大难题,红外、X射线和超声成像在分辨率、灵敏度与吞吐上各有局限。

  6. Semiconductor Engineering20

    AFM 模式权威手册 2026 版发布

    Semiconductor Engineering 发布《AFM 模式权威手册》2026 版,梳理原子力显微镜自 1980 年代初问世以来的模式演进。AFM 已实现微米至纳米尺度结构与性能成像,应用覆盖半导体、压电材料、能源研究与生物领域。

  7. Semiconductor Engineering29

    通过测试的芯片为何仍需额外筛选?PDF Solutions、Teradyne、proteanTecs 谈边际器件的可靠性风险

    PDF Solutions、Teradyne、proteanTecs 等厂商指出,通过晶圆分选与终测的芯片仍可能因时序裕量偏薄、电阻漂移等边际行为在现场失效。器件级参数模型、跨插入数据和物理检测可标记可疑的"合格"芯片,但异常并不等于缺陷。只有当额外筛选能以低于所避免失效的成本暴露疑似弱点时,加测才划算。

  8. Semiconductor Engineering42

    AI 迭代提速,芯片测试难以跟上节奏

    AI 模型与工作负载的迭代速度已超过芯片设计、制造和测试周期,迫使芯片厂商重新思考测试策略。多 die 封装和更多测试插入点产生海量数据,且分散在不同公司和工厂之间难以共享;硅光目前已有 5 个测试插入点,面板级封装还将带来全新设备与工艺。客户还要求延长昂贵的 AI 硬件寿命,使老化与可靠性监控变得更复杂。

  9. Semiconductor Engineering38

    缩短光刻学习周期以加速 FOPLP 量产爬坡

    针对扇出面板级封装(FOPLP)爬坡中的光刻难题,将离线量测数据与良率预测算法结合,可在投入实际试产前评估工艺窗口。在 HVM 工艺的生产基板上评估时,良率预测与实测差异最初为 1.2% 至 2.7%,标准化检查流程后降至 0.2% 至 0.8%。该方法用仿真筛选参数组合、再用 qualification 基板验证,减少试错迭代并缩短开发周期。

  10. Tom's Hardware · Semiconductors70

    马斯克 Terafab 计划 2032 年后月产 100 万片晶圆,其中 70 万片为存储

    据 Financial News 报道,特斯拉与 SpaceX 合资的 Terafab 已向设备商非正式提出,2032 年后月产 100 万片晶圆的目标,其中约 70%(70 万片)规划为存储、逾 30 万片为逻辑芯片,存储部分若全部为 DRAM 将接近三星估算的月产 65 万至 70 万片水平。

    推荐理由:Terafab 万片级月产能规划与采购团队赴日催交期并列,呈现一处新进者的产能爬坡时间表。

  11. DIGITIMES51

    华为发布青云 HM650:首款全国产组件 HarmonyOS 台式机

    华为在 HarmonyOS Office Industry Summit 2026 上推出青云 HM650,这是其首款完全采用国产组件的 HarmonyOS 台式机。该机型被定位为华为与中国科技产业的重要里程碑,显示全链条产业化正从目标走向商业现实,即便美国贸易限制持续收紧。

  12. DIGITIMES60

    蓝思科技计划2026年底前建成首条TGV玻璃基板中试线,寻求与韩国芯片厂合作

    蓝思科技计划在2026年底前建成并运行首条TGV玻璃基板中试线,从手机玻璃业务延伸至先进芯片封装。公司中国区总裁江南在10月28日深圳C-TOUCH & DISPLAY SHENZHEN 2026展会接受ZDNet Korea采访时表示,公司正寻求与韩国半导体及存储企业建立合作。

  13. DIGITIMES52

    AI 需求推高订单,世界先进 8 英寸成熟制程产能趋紧、价格看涨

    世界先进(Vanguard)预计 2026 年第四季度其 8 英寸成熟制程晶圆厂产能利用率将超过 90%,AI 数据中心需求带动电源管理 IC 与功率元件订单增长。公司称这一趋势指向产能趋紧、价格走高,AI 相关营收在其业务中的比重也在上升。

  14. DIGITIMES68

    VIS 称新加坡晶圆厂 2027 年成增长引擎,产能近售罄、AI 中介层约占半营收

    VIS 表示新加坡晶圆厂预计 2027 年成为增长引擎,产能接近售罄且客户承诺已锁定,AI 中介层预计贡献约一半营收。扩产可能加速,但折旧与固定成本上升预计将给盈利能力带来压力。

    推荐理由:VIS 新加坡 12 英寸厂产能接近售罄、AI 中介层约占一半营收,可观察折旧与固定成本对利润的挤压。

  15. DIGITIMES44

    中国资本涌入推动氧化镓衬底降价,拐点指向2027年

    半导体供应链消息称,氧化镓(Ga2O3)衬底价格预计在2027年迎来关键转折,部分材料供应商已向客户释放更大幅度降价信号。氧化镓是超宽禁带化合物半导体材料,当前市场关注点集中在衬底价格能否打破历史走势,中国资本涌入被认为是推动降价的因素之一。

  16. DIGITIMES28

    Winbond 董事长:AI 数据中心建设 2027-2028 年基本锁定,2029 年或成转折点

    Winbond 董事长 Arthur Chiao 表示,主要 CSP 为 2027 和 2028 年规划的 AI 数据中心建设已基本锁定,资金、土地、电力与基础设施几乎到位,短期内不必过度担心投资冻结。他认为 2029 年可能成为下一轮下行的关键节点,届时资金能否继续支撑如此庞大的支出仍待观察。