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onsemi 推出 EliteSiC M4 第四代碳化硅平台，功率密度提升最高 30%、损耗降低 35%
onsemi introduces EliteSiC M4 fourth-gen silicon carbide platform, with up to 30% higher power density and 35% lower losses
AI 导读
onsemi 推出基于沟槽架构的第四代碳化硅平台 EliteSiC M4，功率密度最高提升 30%、损耗降低 35%。该平台面向电动汽车、AI 数据中心和工业应用，主打业内领先的导通与开关性能，并带来更大的设计自由度。
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