跳到正文
热点事件观察中

onsemi发布第四代SiC平台EliteSiC M4

1 篇报道1 个报道来源1 天前更新

先了解这件事

AI 综述

onsemi 推出基于沟槽架构的第四代碳化硅平台 EliteSiC M4,面向电动汽车、AI 数据中心和工业应用。onsemi 称,该平台可带来更大的设计自由度,功率密度和效率最高提升 30%,损耗降低 35%。上述性能提升幅度为 onsemi 的说法。

AI 根据报道生成 · 1 天前更新

报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

11月10日
  1. Semiconductor Today
    onsemi 推出 EliteSiC M4 第四代碳化硅平台,功率密度提升最高 30%、损耗降低 35%

    onsemi 推出基于沟槽架构的第四代碳化硅平台 EliteSiC M4,功率密度最高提升 30%、损耗降低 35%。该平台面向电动汽车、AI 数据中心和工业应用,主打业内领先的导通与开关性能,并带来更大的设计自由度。

本事件热度走势

可比范围当前
4
可比范围峰值
811月11日 03:00
近 24 小时变化
-49%

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体,范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度;键盘可用左右方向键切换。