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三菱电机利用 GaN 衬底抑制 GaN 晶体管频率色散
Mitsubishi Electric suppresses frequency dispersion in GaN transistors using GaN substrates
AI 导读
三菱电机称全球首次阐明单晶 GaN 衬底上单晶 GaN 外延层所制 GaN 晶体管中晶体缺陷引起的频率色散机理，并证明可显著抑制该频率色散。该现象指高频器件的电流等特性随工作频率变化。
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