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三菱电机称阐明并抑制GaN晶体管频率色散

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先了解这件事

AI 综述

三菱电机称，其全球首次阐明了在单晶 GaN 衬底上、由单晶 GaN 外延层制成的 GaN 晶体管中，晶体缺陷引起频率色散的机理，并证明可显著抑制该频率色散。频率色散指高频器件的电流等特性随工作频率变化。上述结论来自三菱电机自身的说法；报道未给出该抑制效果的具体数据、适用器件范围或验证条件。

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最新进展11月10日 19:43

沿着报道，了解事件的不同侧面。

11月10日

19:43
Semiconductor Today
三菱电机利用 GaN 衬底抑制 GaN 晶体管频率色散
三菱电机称全球首次阐明单晶 GaN 衬底上单晶 GaN 外延层所制 GaN 晶体管中晶体缺陷引起的频率色散机理，并证明可显著抑制该频率色散。该现象指高频器件的电流等特性随工作频率变化。

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