NVIDIA 发布 Minerva:为 AI 工厂提供端到端可观测性
NVIDIA 推出 AIOps 平台 Minerva,汇聚 GPU、网络、存储、调度器与工作负载的遥测数据,用专用 AI 模型把告警聚合成带根因的单一事件。平台以 AI 工厂良率为核心指标,覆盖 GPU 小时、goodput、集群正常运行时间与 token 产出,并内置 AI 助手支持自然语言排查。
NVIDIA 推出 AIOps 平台 Minerva,汇聚 GPU、网络、存储、调度器与工作负载的遥测数据,用专用 AI 模型把告警聚合成带根因的单一事件。平台以 AI 工厂良率为核心指标,覆盖 GPU 小时、goodput、集群正常运行时间与 token 产出,并内置 AI 助手支持自然语言排查。
SK hynix 在 AI Infrastructure Insight 系列终篇中提出,AI 基础设施设计的基本单位正从单台服务器扩展到机架乃至整座数据中心,机架级系统将整个机架作为单一计算系统统一设计。文章强调,竞争不再只取决于单个组件性能,而取决于计算、内存、存储、网络与供电制冷的整合程度,并提出从设计初期就统筹各环节的 co-design 方法。
Revolut 正基于 NVIDIA 加速计算以单一基础模型 PRAGMA 重建技术栈,在 Blackwell Ultra GPU 上使用 cuDF 与 Dynamo-Triton 将其规模化用于生产,初期服务 8000 万客户并设计支持 3 倍扩展。
NVIDIA 扩展 Cosmos 平台,新增训练工具、仿真 checkpoint 和 Cosmos Data Factory 蓝图,该平台在六个开放模型排行榜中进入前五。
NVIDIA DSX AI Factory Platform 将电网、变电站与机架内的算力作为同一系统进行规划、仿真和运行,以应对电力瓶颈——目前超 3000 亿美元设备积压、美国并网队列中逾 200 吉瓦项目等待接入。
华海清科(688120)首席科学家路新春在韩国首尔召开的ICPT 2026上获颁杰出成就奖,以表彰其在CMP领域的开创性研究与产业化贡献。他带领团队研制出我国首台12英寸商用CMP装备并实现规模化量产,打破国外长期技术垄断。
中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺,采用全对称腔体结构、集成气柜设计和双制冷/双加热晶圆基座,并搭载量产的Primo C6V3传输系统。中微公司称该产品填补了国内下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
推荐理由:中微公司首台气相高选择性刻蚀设备付运国内客户,可据此跟踪其在GAA与3D存储器件工艺中的导入节奏。
SK hynix 将于 10 月 28 日发布 2026 年第三季度财报,财报新闻稿在当天上午 9:00 前公布,电话会议于同一时间以韩英交替传译方式直播,以上时间均为首尔时间。
华海清科在2026湾芯展发布中束流离子注入机 iHQ-900E 和面向先进封装的国产面板级 CMP 量产方案 Master-P510APEX。iHQ-900E 围绕剂量均匀性、角度及 WPH 等指标展示相较国外竞品的性能优势。同期 Universal-200 Smart 通过深圳平湖实验室国产化验收,公司获授湾芯展卓越企业荣誉。
华海清科在第二十六届国芯展上集中展示CMP、离子注入、减薄、划切、湿法等高端半导体装备及服务,离子注入系列装备成为现场交流热点。公司面向板级先进封装推出Panel CMP、Panel减薄等系列装备与成套解决方案,副总裁陈炯在同期论坛重点解读了离子注入系列装备的产品布局。
中微公司在2026湾芯展上重点推介最新发布的两款设备,Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀机与Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备。
推荐理由:中微在展会上推介两款新设备,其中ALD钼设备切入存储厂商钼基字线切换窗口,可跟踪其客户导入节奏。
北方华创在英飞凌于曼谷举办的年度全球供应商大会上获授“Rising Star Award Winner”,是此次参会供应商中16家获奖企业之一。英飞凌业务覆盖汽车电子、工业功率、智能传感、安全互联等核心领域,北方华创则提供刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗等全系列工艺装备产品。
中微公司携平台化产品矩阵亮相首届国芯展,其自主研发的Primo UD-RIE电容耦合等离子体刻蚀设备同时获得2026工博会CIIF大奖与"国芯展"创新成果奖。该设备为12英寸高端CCP刻蚀机,配备六个单反应台反应腔,可满足极高深宽比刻蚀要求。截至2026年6月底,中微公司累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。
华海清科(688120)2026年向特定对象发行A股股票项目收官,发行16,080,508股、发行价236.00元/股,募资总额近38亿元。资金将投向上海集成电路装备研发制造基地项目、昆山晶圆再生扩产项目和高端半导体装备研发项目。该项目从交易所受理至证监会注册生效仅耗时1个半月,其中受理至审核通过仅15个自然日。
中微公司(688012)入选福布斯中国2026 ESG 50榜单,成为半导体设备行业唯一连续三年上榜的企业。2025年其碳排放强度同比下降超20%,可再生电力使用占比提升至42%,刻蚀设备通过双反应台设计节省约30%制造成本。公司MSCI ESG评级为A,Wind与华证ESG评级均为AAA。
华海清科自主研发的全自动板级CMP量产装备Master-P510APEX顺利出机,发往先进封装产线投入量产应用,为国内首台进入量产线的全自动板级CMP装备。该装备针对大尺寸板级封装设计,具备全板面均匀性与平坦化控制能力,支持低缺陷抛光,并通过智能终点检测与自动化控制实现多种工艺模式切换。华海清科称将围绕面板级工艺需求逐步推出覆盖多工艺环节的成套解决方案。
推荐理由:国产板级CMP装备首次进入量产线,可跟踪板级封装工艺环节的国产设备配套进度。
中微公司在CSEAC 2026期间推出六款自主研发的高端设备,覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD金属钼、金属硅化物集成沉积及碳化硅外延等环节。其中Primo XD-RIE™刻蚀机支持70到90比1深宽比,Performo QuaStar® ON单系统最多同时处理16片晶圆,Prefima Unicore™ AM为12英寸ALD金属钼设备,面向三维超高堆叠字线填充。
推荐理由:中微公司一次发布六款自研设备,覆盖极高深宽比刻蚀与多类薄膜沉积,产品矩阵向存储与逻辑关键工艺延伸。
北方华创凭《射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备》专利获第二十六届中国专利金奖,是本届30项金奖中唯一一家半导体设备企业。该专利可快速扫频匹配目标参数、保证脉冲等离子体点火,降低射频反射功率与功耗,满足先进刻蚀工艺需求。截至最新年报,公司累计申请专利超11300项、授权超6500项,发明专利占比超80%。
华海清科新一代双工作台高效划切装备Versatile-DT300D首台正式出机,发往国内先进存储龙头企业。该装备面向存储芯片、先进封装、图像传感器场景定制开发,搭载双工作台全自动切割模块与高洁净清洗系统,并集成智能量测模块拓展切割量测与缺陷检测范围。华海清科现有产品矩阵覆盖CMP、离子注入、减薄、划切、边缘抛光、湿法、晶圆再生及耗材维保服务。
推荐理由:国产划切装备首台进入国内先进存储龙头产线,可跟踪其在先进封装与存储场景的验证进展。
8月19日-22日,第一届半导体装备学术会议在天津召开,由中国机械工程学会主办,半导体装备分会、清华大学和华海清科(688120)承办。会议围绕半导体装备关键技术与产学研协同展开交流,设大会报告、产业专家特邀报告、分会场学术交流和企业成果展示。华海清科表示将持续深化与高校、科研院所及产业链上下游的协同创新,贯通基础研究、技术攻关、装备验证和规模应用全链条。
拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地项目(沈阳二厂)于2026年8月10日主体结构封顶,项目总占地面积147亩、总投资近18亿元。基地全面建成投产后将成为拓荆科技产能规模最大的总部级生产基地,最大产能规模达每年超1000台。董事长吕光泉表示将打造绿色、智能化示范工厂,作为公司全球核心研发制造中心。
推荐理由:拓荆沈阳二厂封顶并给出年产超1000台的总部级基地规划,可跟踪其产能释放节奏。
北方华创面向全球市场推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备SICRIUS SN302D Ⅱ,基于全石英腔体架构从源头切断金属污染源。该设备通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线,替代人工经验调参,并配备多温区复合式精密温控系统与原位智能清洗工艺。公司称其适配先进逻辑、存储、功率及第三代半导体、先进封装、硅光集成等场景,已构建涵盖氧化、退火、LPCVD、PEALD的全品类立式炉量产平台。
推荐理由:北方华创推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备,全石英腔体与智能温控是其针对金属污染和均匀性的设计取向。
北方华创多项自主研发真空核心技术成果入选工信部2026年度工业母机创新产品典型案例名单。入选成果来自真空新能源装备事业群,涵盖真空高压气淬炉关键零部件、曲面PVD镀膜设备,以及大型复杂腔室与多腔室真空系统两大测试评价平台。
庆祝中国共产党成立105周年大会7月1日表彰“两优一先”,北方华创董事长赵晋荣被授予“全国优秀共产党员”称号,旗下沈阳芯源微电子设备股份有限公司党委被授予“全国先进基层党组织”称号。七一前夕,赵晋荣还获中共北京市委授予“北京市优秀共产党员”称号。芯源微专注半导体涂胶显影等湿法设备,北方华创2025年完成对其收购,补全高端湿法产品布局。
中微公司董事长兼总经理尹志尧博士第四次入选福布斯中国2026中国最佳CEO榜单,此前曾于2020年、2024年、2025年三次上榜。该榜单从数千家海内外上市公司CEO中评选出综合得分前50名。尹志尧2004年创立中微公司,公司刻蚀设备技术能力已达3纳米及更先进工艺水平。
北方华创在SNEC 2026光伏展展出光伏硅片及电池片整线解决方案,并推出新一代大尺寸单晶硅生长设备,热场预留扩容至42英寸,整体功耗降10%、氧含量缩减5%、晶棒生长稳定性提升30%。电池端同步推出新一代磷扩散、硼扩散、氧化退火、PECVD、LPCVD、PVD等关键工艺装备,炉体电能损耗下降8%、气体利用率提升10%、热排降低40%。
北方华创正式发布全新12英寸气体团簇离子束(GCIB)刻蚀设备Acme Glaion130,覆盖先进逻辑、存储、封装、硅光芯片及AR/VR应用场景。设备攻克气体团簇离子源、高速运动下电极、动态精确控制算法三大技术,搭载原位膜厚量测装置,可实现晶圆局部定点精修。公司称其整面刻蚀膜厚控制精准,保持原子级光滑表面,综合性能达到同类型设备领先水平。
推荐理由:北方华创发布12英寸GCIB刻蚀设备,覆盖先进逻辑、存储与先进封装,可跟踪国产高端刻蚀设备的场景落地。
北方华创首台600mm×600mm面板级封装去胶设备(Descum)成功出厂,用于面板级封装去胶工艺。该设备在大翘曲度基板低温去胶、大面积刻蚀均匀性等核心技术上取得突破,刻蚀均匀性与基座表面温度均匀性满足业内主流需求。北方华创称该定制化方案为客户面板级封装研发与后续规模化量产提供技术基础。
推荐理由:原文给出首台600mm×600mm面板级封装Descum设备出厂节点,读者可据此跟踪国产设备在面板级封装环节的导入进展。
Tokyo Electron 发布 Prexa SDP 器件探针台,面向先进封装中单颗未封装器件的 KGD 筛选测试。该设备沿用 Prexa 系列晶圆探针台平台,配备可高精度主动控温的热头与更强吸热能力,用于应对高发热器件测试中的散热与温度控制难题。TEL 表示,随着 HPC 与 AI 芯片采用 2.5D/3D 封装,单颗器件的高精度测试对提升最终良率愈发关键。
推荐理由:TEL 推出面向先进封装 KGD 筛选的单颗器件探针台,温度控制与散热能力是差异化点。
TEL 发布 CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE 300mm 涂胶显影机,面向 EUV 超精细图形化制程。该设备采用新的缺陷控制技术,可将光刻胶涂布缺陷及相关成本较前代降低 50% 以上,涂布与显影速度为业界最快,洁净室占地利用与产能、环保表现较前代提升 25% 以上。
推荐理由:TEL 发布新一代涂胶显影机,缺陷控制与产能指标较前代提升,可跟踪其在高数值孔径 EUV 产线的导入节奏。
Tokyo Electron 发布面向 300mm 晶圆的批量热处理系统 EVAROS,单批最多可处理 200 片晶圆,超过此前 300mm 机型。该系统采用新开发的多区控制加热器,并配备大直径排气管道以提升 conductance,面向 ALD 等先进器件沉积工艺;每片晶圆 CO2 排放较 TELINDY PLUS 减少约 25%,同时降低电力、冷却水和气体消耗。
推荐理由:TEL 发布新一代批量热处理系统,单批 200 片与每片 CO2 减排约 25% 是核心规格变化。