上海微电子前道干式光刻机落地，流片突破千万片
驱动之家报道称，上海微电子前道干式光刻机已落地，流片突破千万片。原文仅给出这一标题式信息，未披露具体机型、客户或时间节点。
#光刻进展
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5858
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分6060 ASML 2028 年产能被抢空，EUV 光刻机出货量有望达 120 台
驱动之家报道称，ASML 2028 年产能已被抢空，EUV 光刻机出货量有望达到 120 台。原文未披露该产能预订的具体客户与订单金额。
Semiconductor Today精选AI 评分6767 Eulitha 交付多台 InP DFB 激光光刻设备，产能排满至 2028 年中
瑞士 Eulitha AG 已向代工厂交付多台自动化光刻设备，用于生产面向 AI 数据中心的 InP 分布式反馈（DFB）激光器。公司同时表示订单积压将使其产能排满至 2028 年中。这些 DUV 光刻设备基于 Eulitha 自研并商业化的 DTL 技术，可打印 DFB 激光器所需的高分辨率光栅。
推荐理由：Eulitha 已向代工厂交付多台 InP DFB 激光光刻设备，订单排满至 2028 年中，读者可据此跟踪 AI 数据中心光通信上游设备的产能紧张程度。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分5858 ASML 2028 年产能被抢空，EUV 光刻机出货量有望达 120 台
凤凰网科技报道称，ASML 2028 年产能已被抢空，EUV 光刻机出货量有望达到 120 台。原文未披露具体客户与订单金额。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 我国新一代光刻机模型亮相
新浪财经报道称，我国新一代光刻机模型亮相，被称为重大突破。原文未披露该模型的型号、技术参数、研发主体及可用性等具体信息。
EE TimesAI 评分3333 Ushio 开始接受 UX-4 系列 LED 光源投影光刻机订单
Ushio 的 UX-4 系列全视场投影光刻机已开始接受订单，该设备主要面向功率半导体和 MEMS 等应用，用于提升生产效率。该系列采用 LED 光源，多年来已有成熟的应用记录。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 俄光刻机连跳两级：130nm 已验收，2036 年目标 10nm
俄罗斯光刻机跳过中间节点直接推进两级，130nm 设备已通过验收。按其规划，2036 年将攻关 10nm 制程。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 荷兰专家：中国囤积大量ASML DUV光刻机，意在与美国打持久战
荷兰专家称，中国此前大量囤积ASML DUV光刻机，目的是在与美国的科技博弈中打持久战。该观点认为这批设备储备为中国争取了时间窗口。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 俄罗斯唯一90nm芯片厂抵押资产换贷款，光刻机一并抵押，总额超116亿卢布
俄罗斯唯一90nm芯片厂以资产作抵押换取贷款，抵押物包括光刻机，总额超过116亿卢布。该厂是俄罗斯境内唯一具备90nm制程能力的芯片制造厂。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1515 运营商财经网康钊：全球光刻机供不应求，国产光刻机不争气
运营商财经网康钊指出，全球光刻机供不应求，而中国国产光刻机表现不争气。原文未给出具体机型、参数或数据。
Semiconductor EngineeringAI 评分5858 eBeam Initiative调查显示66%专家预计十年内采用6x12英寸大尺寸掩模
eBeam Initiative第15届Luminaries调查显示，66%的受访专家预计行业将在未来十年内采用约6x12英寸的大尺寸掩模，该调查在TSMC与ASML宣布2031年12英寸掩模试产线计划之前完成。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用High NA EUV光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 日媒称中国将成日荷后第三个造出光刻机的国家
日媒称，中国将成为继日本、荷兰之后第三个造出光刻机的国家，目前只差光刻技术这一环。该报道未披露具体厂商、机型或时间表。
Semiconductor EngineeringAI 评分3434 中科院等团队研究Pt-W合金作为更薄High-NA EUV掩模吸收层
中国科学院、吉林大学等团队发表论文，评估Pt-W合金作为下一代低n EUV掩模吸收层，研究其薄膜特性与成像性能。该合金有望用于更薄的High-NA EUV掩模吸收层。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 DUV光刻机立功！中国芯片的EUV替代方案：三次曝光追平一次EUV
凤凰网报道，中国芯片的EUV替代方案是用DUV光刻机进行三次曝光，以追平一次EUV的效果。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 DUV光刻机立功！中国芯片的EUV替代方案：三次曝光追平一次EUV
新浪财经报道，中国芯片的EUV替代方案是用DUV光刻机进行三次曝光，以追平一次EUV的效果。原文未披露具体厂商、制程节点与良率数据。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 余承东曾称国产EUV可期：光刻机被抢购，ASML、佳能、尼康均在扩产
驱动之家报道称光刻机需求旺盛、被抢购，ASML、佳能、尼康均在扩产。文章同时提及余承东此前曾称国产EUV可期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用High NA EUV光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 DUV光刻机立功！中国芯片的EUV替代方案：三次曝光追平一次EUV
驱动之家报道，中国芯片的EUV替代方案是用DUV光刻机进行三次曝光，以追平一次EUV的效果。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4040 阿斯麦新一代EUV光刻机获台积电和三星承诺
阿斯麦新一代EUV光刻机获得台积电和三星的采购承诺，为其后续量产落地提供支撑。财联社报道称，这两家主要代工厂的表态为阿斯麦新一代EUV设备提供了强力“护航”。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电的关键在于规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电的关键在于规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 余承东曾称国产EUV可期：ASML、佳能、尼康光刻机被抢购并扩产
凤凰网报道称光刻机需求旺盛、被抢购，ASML、佳能、尼康均在扩产。文中提及余承东此前曾表示国产EUV可期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1515 一台光刻机为何能卖30个亿？数十万个零件、一年组装
一台光刻机售价高达30亿元，原因在于其由数十万个零件组成，组装周期长达一年。文章围绕这一价格构成，解释了光刻机为何"贵得有理"。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 一台光刻机为何能卖30个亿？数十万个零件、一年组装
一台光刻机售价可达30亿元，原因在于其由数十万个零件组成、组装周期长达一年。文章围绕光刻机的造价构成与制造难度展开解释。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分4040 没有 EUV，中国如何用 DUV 多重曝光造先进芯片，代价是什么
出口管制使 ASML 的 EUV 无法进入中国，中国芯片厂转而用 DUV 多重曝光生产先进芯片。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 称，193 浸没式机台三次曝光成本约与一次 EUV 曝光持平，到四层掩膜时 EUV 更具成本效益且缺陷更少。摩根士丹利估计长鑫存储每片晶圆产出的 bit 数仅约为西方厂商的三分之一。
Semiconductor EngineeringAI 评分2222 SPIE 光掩模与 EUV 光刻会议专家小组：EPE 已成系统级问题，计算光刻需重构
在 SPIE Photomask Technology + EUV Lithography 会议上，来自 IBM、Carl Zeiss SMT、Micron、ASML、Tekscend 与 Applied Materials 的专家小组讨论指出，EPE 已不再是单一光刻指标，而是涵盖掩模、扫描仪、光刻胶、刻蚀、量测与 OPC 的系统级问题。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分4242 Intel 亚利桑那 Fab 62 开始安装生产设备，俄亥俄工厂同步更新进展
Intel 周三宣布亚利桑那 Fab 62 已开始安装生产设备，该厂预计 2028 年底前投入运营，但尚未公布量产时间与制程。Intel 同时确认 High-NA EUV 已进入大规模量产，用于 D1X 厂生产 Panther Lake 等芯片。俄亥俄 One 工厂首座厂房完成首个主要结构桁架安装，Intel 未给出投产时间表。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分5858 Musk 称 ASML 等关键设备供应商加速向 Terafab 交货，目标 2028 年三四季度量产
Musk 在 SpaceX 2026 年三季度财报直播中称，ASML 及其他关键半导体设备供应商已加速向 Tesla 与 SpaceX 合作的 Terafab 项目交货，该项目位于得州 Gibbons Creek 的主厂目标在 2028 年第三或第四季度实现芯片量产，他同时强调这一时间表极具挑战、误差很大。
Tokyo Electron · Product News精选AI 评分5858 TEL 发布 CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE 300mm 涂胶显影机
TEL 发布 CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE 300mm 涂胶显影机，面向 EUV 超精细图形化制程。该设备采用新的缺陷控制技术，可将光刻胶涂布缺陷及相关成本较前代降低 50% 以上，涂布与显影速度为业界最快，洁净室占地利用与产能、环保表现较前代提升 25% 以上。
推荐理由：TEL 发布新一代涂胶显影机，缺陷控制与产能指标较前代提升，可跟踪其在高数值孔径 EUV 产线的导入节奏。