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英特尔高管:采用High NA EUV光刻机是正确选择,追赶台积电是规模问题
英特尔高管:采用High NA EUV光刻机是正确选择 追赶台积电是规模问题 - 新浪财经
AI 导读
英特尔高管表示,采用High NA EUV光刻机是正确选择,并称追赶台积电是规模问题。
来源:Google新闻 · HBM/光刻/封装 · news.google.com
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英特尔高管表示,采用High NA EUV光刻机是正确选择,并称追赶台积电是规模问题。
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