俄光刻机连跳两级：130nm 已验收，2036 年目标 10nm
俄罗斯光刻机跳过中间节点直接推进两级，130nm 设备已通过验收。按其规划，2036 年将攻关 10nm 制程。
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Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 荷兰专家：中国囤积大量ASML DUV光刻机，意在与美国打持久战
荷兰专家称，中国此前大量囤积ASML DUV光刻机，目的是在与美国的科技博弈中打持久战。该观点认为这批设备储备为中国争取了时间窗口。
Semiconductor EngineeringAI 评分5858 eBeam Initiative调查显示66%专家预计十年内采用6x12英寸大尺寸掩模
eBeam Initiative第15届Luminaries调查显示，66%的受访专家预计行业将在未来十年内采用约6x12英寸的大尺寸掩模，该调查在TSMC与ASML宣布2031年12英寸掩模试产线计划之前完成。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用High NA EUV光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Semiconductor EngineeringAI 评分3838 KU Leuven 等团队发现干法沉积卤化 a-ZIF 光刻胶在 EUV 与电子束下呈现不同调性转换
KU Leuven、群山国立大学、VUB 与 imec 等团队发表研究，报道一种完全干法沉积的卤化非晶沸石咪唑酯骨架（a-ZIF）金属有机光刻胶，在电子束与 EUV 曝光下表现出明显的辐照源依赖调性转换。相关论文发表于 ACS Applied Materials & Interfaces。
Semiconductor EngineeringAI 评分3434 中科院等团队研究Pt-W合金作为更薄High-NA EUV掩模吸收层
中国科学院、吉林大学等团队发表论文，评估Pt-W合金作为下一代低n EUV掩模吸收层，研究其薄膜特性与成像性能。该合金有望用于更薄的High-NA EUV掩模吸收层。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 DUV光刻机立功！中国芯片的EUV替代方案：三次曝光追平一次EUV
新浪财经报道，中国芯片的EUV替代方案是用DUV光刻机进行三次曝光，以追平一次EUV的效果。原文未披露具体厂商、制程节点与良率数据。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2020 余承东曾称国产EUV可期：光刻机被抢购，ASML、佳能、尼康均在扩产
驱动之家报道称光刻机需求旺盛、被抢购，ASML、佳能、尼康均在扩产。文章同时提及余承东此前曾称国产EUV可期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用High NA EUV光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4040 阿斯麦新一代EUV光刻机获台积电和三星承诺
阿斯麦新一代EUV光刻机获得台积电和三星的采购承诺，为其后续量产落地提供支撑。财联社报道称，这两家主要代工厂的表态为阿斯麦新一代EUV设备提供了强力“护航”。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电的关键在于规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电的关键在于规模问题。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 余承东曾称国产EUV可期：ASML、佳能、尼康光刻机被抢购并扩产
凤凰网报道称光刻机需求旺盛、被抢购，ASML、佳能、尼康均在扩产。文中提及余承东此前曾表示国产EUV可期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1515 一台光刻机为何能卖30个亿？数十万个零件、一年组装
一台光刻机售价高达30亿元，原因在于其由数十万个零件组成，组装周期长达一年。文章围绕这一价格构成，解释了光刻机为何"贵得有理"。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分1818 一台光刻机为何能卖30个亿？数十万个零件、一年组装
一台光刻机售价可达30亿元，原因在于其由数十万个零件组成、组装周期长达一年。文章围绕光刻机的造价构成与制造难度展开解释。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分4040 没有 EUV，中国如何用 DUV 多重曝光造先进芯片，代价是什么
出口管制使 ASML 的 EUV 无法进入中国，中国芯片厂转而用 DUV 多重曝光生产先进芯片。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 称，193 浸没式机台三次曝光成本约与一次 EUV 曝光持平，到四层掩膜时 EUV 更具成本效益且缺陷更少。摩根士丹利估计长鑫存储每片晶圆产出的 bit 数仅约为西方厂商的三分之一。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分4242 Intel 亚利桑那 Fab 62 开始安装生产设备，俄亥俄工厂同步更新进展
Intel 周三宣布亚利桑那 Fab 62 已开始安装生产设备，该厂预计 2028 年底前投入运营，但尚未公布量产时间与制程。Intel 同时确认 High-NA EUV 已进入大规模量产，用于 D1X 厂生产 Panther Lake 等芯片。俄亥俄 One 工厂首座厂房完成首个主要结构桁架安装，Intel 未给出投产时间表。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分5858 Musk 称 ASML 等关键设备供应商加速向 Terafab 交货，目标 2028 年三四季度量产
Musk 在 SpaceX 2026 年三季度财报直播中称，ASML 及其他关键半导体设备供应商已加速向 Tesla 与 SpaceX 合作的 Terafab 项目交货，该项目位于得州 Gibbons Creek 的主厂目标在 2028 年第三或第四季度实现芯片量产，他同时强调这一时间表极具挑战、误差很大。
Tokyo Electron · Product News精选AI 评分5858 TEL 发布 CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE 300mm 涂胶显影机
TEL 发布 CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE 300mm 涂胶显影机，面向 EUV 超精细图形化制程。该设备采用新的缺陷控制技术，可将光刻胶涂布缺陷及相关成本较前代降低 50% 以上，涂布与显影速度为业界最快，洁净室占地利用与产能、环保表现较前代提升 25% 以上。
推荐理由：TEL 发布新一代涂胶显影机，缺陷控制与产能指标较前代提升，可跟踪其在高数值孔径 EUV 产线的导入节奏。