SK海力士称DRAM和HBM到2029年产能售罄,内存短缺或持续至2030年
SK海力士表示DRAM和HBM到2029年产能已售罄,并判断内存短缺可能持续至2030年。该说法由观点网转述,原文未给出具体产能数字与客户结构。
同一件事,精选收录的是《SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年,明年资本开支将大幅增加》
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新浪财经文章称内存价格还将继续上涨,三星与SK海力士等存储厂商并不担忧,国产HBM明年市场份额不到2%。
SK海力士表示,DRAM 和 HBM 到 2029 年的产能已全部售罄。该说法来自搜狐网关于存储芯片缺货程度的报道,原文未给出具体产能数字或客户信息。
SK hynix 在 Q3 电话会上表示,DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄。公司同时提到 AI 投资主体正从大型云厂商向主权基金与企业级客户扩散。
推荐理由:SK hynix 在 Q3 电话会给出 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年近售罄的排产口径,可用于跟踪存储供给紧张周期。
SK hynix 表示 HBM 和 DRAM 产品预计在 2029 年前基本售罄,并称其 AI 内存竞争力较强。该判断来自亚洲日报的报道,原文未给出具体产能或订单数字。
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道,原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由:SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄,读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
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SK海力士CEO郭鲁正表示,DRAM及HBM内存直至2029年的产能已近乎售罄。该表态显示存储供给已被长期订单锁定。
推荐理由:SK海力士CEO称DRAM与HBM产能已排至2029年,读者可据此观察存储供给紧张周期的长度。
SK 海力士 CEO 郭鲁正表示,DRAM 及 HBM 内存直至 2029 年的产能已近乎售罄。该表态指向存储供给在较长周期内维持紧张。
SK海力士CEO表示,未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄,中长期销售能见度大幅提升。
推荐理由:SK hynix CEO 给出未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄的判断,反映存储供给紧张周期。
SK海力士表示,未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄,中长期销售能见度大幅提升。该表述指向存储供给在较长周期内维持紧张。
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SK海力士的DRAM与HBM产能已全部售罄,供不应求局面预计延续到2030年。受此影响,韩国存储巨头股价集体上涨。
Samsung 与 SK hynix 计划于 2027 年第二季度开始向 Nvidia 量产出货 8 层 HBM4 内存。此举正值 Nvidia 重新评估其为下一代 Rubin Ultra 加速器所采用的存储策略。
有唱多观点认为存储芯片供应紧张将持续至2027年,SK海力士的HBM价格明年将翻倍。该观点预计“存储荒”延续时间较长,并给出HBM明年价格翻倍的判断。
Synaptics 与 Google 推出 xMCU,将异构 AI 原生计算与可扩展至数百 MB 的定制 DRAM 集成,Astra SR200 系列面向 AI 可穿戴与电池供电传感设备。NVIDIA 要求 Samsung、SK hynix、Micron 为其定制 HBM「NVHBM」采用 TSMC 3nm 基片。Qualcomm CEO 备忘录显示将启动全球裁员,通知于下月开始,人数未披露。
出口管制使 ASML 的 EUV 无法进入中国,中国芯片厂转而用 DUV 多重曝光生产先进芯片。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 称,193 浸没式机台三次曝光成本约与一次 EUV 曝光持平,到四层掩膜时 EUV 更具成本效益且缺陷更少。摩根士丹利估计长鑫存储每片晶圆产出的 bit 数仅约为西方厂商的三分之一。
美国商务部与四家公司签署最高3.89亿美元半导体研发资助意向书,涵盖垂直GaN与超高纯石英技术,政府将以少数无投票权股权作为条件。Nvidia与Amkor、SPIL、三星电机、KYEC、IBIDEN、Unimicron扩大制造与封装合作,其中Amkor协议使亚利桑那与韩国合计达30亿美元,目标2028年底中介层晶圆产能提升逾四倍。
Solidigm 已停止对潜在 pre-IPO 和 IPO 选项的评估,该审查原本旨在为其美国新建晶圆厂融资、以满足 AI 存储需求。公司称此举源于近期资本市场状况与股价走势,并不反映其增长前景或投资需求发生变化。SK hynix 表示将继续评估投资时机、规模与融资方式,并探索支持 Solidigm 增长的其他选项。
SK hynix 在 AI Infrastructure Insight 系列终篇中提出,AI 基础设施设计的基本单位正从单台服务器扩展到机架乃至整座数据中心,机架级系统将整个机架作为单一计算系统统一设计。文章强调,竞争不再只取决于单个组件性能,而取决于计算、内存、存储、网络与供电制冷的整合程度,并提出从设计初期就统筹各环节的 co-design 方法。
SK海力士正在推进一项HBM散热新技术,通过嵌入元件可将热阻降低30%。该技术针对HBM的散热问题,目前处于推进阶段。