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存储芯片巨头财报周来袭：大摩、花旗、野村密集看多，“存储荒”持续、HBM价格或翻倍

存储芯片巨头财报周来临之际，大摩、花旗、野村密集看多，认为“存储荒”将持续，HBM价格或翻倍。

SK hynix 三季度营收首破100万亿韩元，HBM4四季度成主流

SK hynix 公布 2026 年第三季度营收 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元，单季营收首次突破 100 万亿韩元，营业利润率 80%。

高盛援引行业专家：HBM均价明年或涨122%，DRAM涨势或延至2028年

高盛援引行业专家观点称，HBM均价明年或上涨122%，DRAM涨势可能延续至2028年。该判断由财联社在海外研选栏目中转述。

高盛存储专家会：DRAM涨价或持续至2028年，HBM明年均价预计涨122%

高盛存储专家会认为，产能扩张远水难解近渴，DRAM涨价可能持续至2028年。会议同时预计HBM明年均价将上涨122%。

SK Hynix 三季度营收首破 100 万亿韩元，AI 内存需求推动业绩创纪录

SK Hynix 三季度营收达 104.62 万亿韩元（约 780 亿美元），首次突破 100 万亿韩元，营业利润创纪录达 83.33 万亿韩元（约 620 亿美元）。业绩增长由 AI 内存需求激增驱动。

SK海力士称DRAM和HBM到2029年产能售罄，内存短缺或持续至2030年

SK海力士表示DRAM和HBM到2029年产能已售罄，并判断内存短缺可能持续至2030年。该说法由观点网转述，原文未给出具体产能数字与客户结构。

同一件事，精选收录的是《SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加》

TrendForce：AI 推理带动 CPU 与 DDR5 需求，高容值 MLCC 缺货预计持续至 2027 年上半年

TrendForce 最新 MLCC 产业研究指出，AI 应用从模型训练快速转向推理与 AI 智能体，正带动新一轮 CPU 需求，每颗 CPU 都需配套电源模块与 DDR5 内存。该机构预计高容值 MLCC 缺货将持续至 2027 年上半年。

三星2027年HBM产能售罄，预计2028年DRAM供应仍将紧张

三星2027年HBM产能已售罄，并预计2028年DRAM供应仍将紧张。

三星电子称HBM产品2027年产能已售罄，正与客户协商将六至七成半导体产能长期合约化

三星电子宣布HBM产品2027年分产能已售罄，并计划到2030年将半导体生产能力的六至七成转为长期合约。公司正与客户就延长协议进行协商。

高盛研报：DRAM价格或涨至2028年上半年，HBM收入料增超230%

高盛研报预计DRAM价格将上涨至2028年上半年，同期HBM收入料增长超过230%。

高盛援引行业专家：HBM均价明年或涨122%，DRAM涨势或延至2028年

高盛援引行业专家观点称，HBM均价明年或上涨122%，DRAM涨势可能延续至2028年。该内容由富途牛牛转载，正文未展开具体数据与专家身份细节。

三星、SK海力士无惧内存涨价：国产HBM明年份额不到2%

新浪财经文章称内存价格还将继续上涨，三星与SK海力士等存储厂商并不担忧，国产HBM明年市场份额不到2%。

三星电子：存储需求将进一步增长，继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模

三星电子表示存储需求将进一步增长，公司将继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模。

三星电子：存储需求将进一步增长，继续扩大HBM、服务器DRAM及SSD销售规模

三星电子表示存储需求将进一步增长，公司将继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模。

高盛：DRAM 涨价延续至 2028 上半年，明年 HBM 收入增超 230%

高盛预计 DRAM 涨价周期将延续至 2028 年上半年，明年 HBM 收入增幅超过 230%。该判断来自新浪财经报道的高盛最新观点。

36Kr 报道长鑫存储良率不到30%仍推进HBM3E

36Kr 报道称长鑫存储 HBM3E 良率不到30%，仍在强推该产品。原文正文仅给出标题信息，未披露良率统计口径、时间节点或产能规划等细节。

SK海力士称DRAM和HBM产能已售罄至2029年

SK海力士表示，DRAM 和 HBM 到 2029 年的产能已全部售罄。该说法来自搜狐网关于存储芯片缺货程度的报道，原文未给出具体产能数字或客户信息。

SK hynix Q3 电话会称 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄

SK hynix 在 Q3 电话会上表示，DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄。公司同时提到 AI 投资主体正从大型云厂商向主权基金与企业级客户扩散。

SK hynix 称 HBM 和 DRAM 产品预计 2029 年前基本售罄

SK hynix 表示 HBM 和 DRAM 产品预计在 2029 年前基本售罄，并称其 AI 内存竞争力较强。该判断来自亚洲日报的报道，原文未给出具体产能或订单数字。

SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄

SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。

SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄

SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。

SK海力士CEO郭鲁正称DRAM及HBM产能直至2029年已近乎售罄

SK海力士CEO郭鲁正表示，DRAM及HBM内存直至2029年的产能已近乎售罄。该表态显示存储供给已被长期订单锁定。

SK海力士称未来三年DRAM和HBM产能基本售罄

SK海力士称未来三年DRAM和HBM产能基本售罄。该表述指向存储供给在较长周期内维持紧张。

SK 海力士 CEO 郭鲁正称 DRAM 及 HBM 产能直至 2029 年已近乎售罄

SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，DRAM 及 HBM 内存直至 2029 年的产能已近乎售罄。该表态指向存储供给在较长周期内维持紧张。

SK海力士CEO称未来三年DRAM与HBM产能近乎售罄

SK海力士CEO表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。

SK海力士称未来三年DRAM与HBM产能近乎售罄

SK海力士表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。该表述指向存储供给在较长周期内维持紧张。

SK海力士DRAM、HBM产能售罄至2030年，韩存储巨头股价集体上涨

SK海力士的DRAM与HBM产能已全部售罄，供不应求局面预计延续到2030年。受此影响，韩国存储巨头股价集体上涨。

存储芯片巨头财报周来袭：大摩、花旗、野村密集看多，“存储荒”持续、HBM价格或翻倍

存储芯片巨头财报周来临之际，大摩、花旗、野村密集看多，认为“存储荒”将持续，HBM价格或翻倍。

EPOCH：2025年第四季度 HBM 占 AI 芯片支出份额升至 63%

EPOCH 数据显示，2025 年第四季度 HBM 在 AI 芯片支出中的份额上升至 63%。该数据反映 HBM 在 AI 芯片支出结构中的占比变化。

韩国央行官员：受HBM产品带动，预计明年芯片产量将上升

韩国央行官员表示，受HBM产品带动，预计明年芯片产量将上升。该表态将HBM需求视为推动明年芯片产量增长的主要因素。

DRAM价格涨幅收窄，供给收缩幅度达30%至50%

2026年第四季度DRAM价格涨幅明显放缓，但主要厂商持续限制出货，供给短缺加剧。业界消息预计未来两到三个季度主要厂商DRAM供给将收缩30%至50%，2027年供需缺口进一步扩大。

越南首座晶圆厂被曝2027年试产目标存疑，开发商Viettel称仍按计划推进

越南首座晶圆厂被曝可能无法实现2027年试产目标，路透社10月26日援引对项目执行和设备采购的担忧。开发商Viettel则表示项目仍按计划推进。

国科微上调混合封装存储报价，海光信息考虑上调CPU与DCU价格

国科微上调混合封装存储产品报价，海光信息考虑上调CPU与DCU价格，中国半导体与电子供应链出现一轮涨价。涨价反映原材料、零部件和上游供应成本上升，但能否帮助中国摆脱通缩压力仍不确定。

Samsung 与 SK hynix 瞄准 2027 年二季度向 Nvidia 出货 8 层 HBM4

Samsung 与 SK hynix 计划于 2027 年第二季度开始向 Nvidia 量产出货 8 层 HBM4 内存。此举正值 Nvidia 重新评估其为下一代 Rubin Ultra 加速器所采用的存储策略。

俄罗斯唯一90nm芯片厂抵押资产换贷款，光刻机一并抵押，总额超116亿卢布

俄罗斯唯一90nm芯片厂以资产作抵押换取贷款，抵押物包括光刻机，总额超过116亿卢布。该厂是俄罗斯境内唯一具备90nm制程能力的芯片制造厂。

富士胶片扩大韩国 EUV 光刻胶与 CMP 抛光液产能

富士胶片电子材料扩大韩国半导体材料布局，在平泽增加 EUV 光刻胶产能，并在天安扩大 CMP 抛光液生产。公司称此举将加深对三星电子等客户的本地支持，背景是 AI 与先进制程需求增长。

Intel CEO 陈立武与 AMD CEO 苏姿丰讨论潜在合作

Intel CEO 陈立武在 10 月 24 日与 CASPA 会长 Jimmy Cheng 的炉边谈话中透露，他已与 AMD CEO 苏姿丰讨论潜在合作领域，但未公开具体内容，双方也尚未宣布新协议。他同时表示 Intel 18A 制程已进入量产，14A 的 0.5 版 PDK 已发布，0.9 版随后推出，1.0 版计划于 2027 年初用于量产。

英飞凌在奥地利投约11亿欧元建欧洲首条300mm GaN功率半导体量产线

英飞凌计划在奥地利Villach现有洁净室基础上投资约11亿欧元，建设全球首条300mm GaN功率半导体大规模量产线，到2034年完成投入。公司称利用现有及升级后的基础设施可高效、低成本扩产，生产预计于2027年底前启动。

AI 需求挤压汽车存储供应，车企被迫直接掌控芯片采购

AI 数据中心投资扩张挤压汽车存储供需，半导体厂商优先供应 HBM 与服务器产品，导致汽车存储涨价、供应趋紧。车企因此转向直接采购、长期合作与自研芯片设计。

PSMC 产能紧张制约济州半导体增长

韩国存储芯片设计公司济州半导体难以从台湾 Powerchip Semiconductor Manufacturing（PSMC）获得足够晶圆产能，销售增长因此受限。存储需求强劲推高价格与制造成本，产能瓶颈成为其增长的主要制约。