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英飞凌在奥地利投约11亿欧元建欧洲首条300mm GaN功率半导体量产线
Infineon establishing first high-volume fab for GaN power semiconductors on 300mm wafers in Europe
AI 导读
英飞凌计划在奥地利Villach现有洁净室基础上投资约11亿欧元，建设全球首条300mm GaN功率半导体大规模量产线，到2034年完成投入。公司称利用现有及升级后的基础设施可高效、低成本扩产，生产预计于2027年底前启动。
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