#扩产/产能

ASM 上调增长目标，供应链执行能力成焦点

ASM International 上调增长目标，反映先进制程投资对其沉积设备的需求增速快于原计划。公司接下来需确保零部件供应充足，以支撑客户向更复杂逻辑与存储制造迁移带来的扩张。

三星电子称2027年HBM产能售罄，预计2028年内存供应仍紧张

三星电子表示2027年HBM产能已售罄，并预计整体内存供应将在2028年维持紧张。该表述给出了HBM与整体内存供需偏紧延续到2028年的时间判断。

Samsung AI 存储需求推动利润创新高，设备部门仍陷亏损

Samsung Electronics 最新财报显示，HBM 销售大幅扩张与存储涨价推动集团再度创下季度利润纪录，半导体利润飙升抵消了消费设备部门的持续亏损。公司预计，随着客户扩大 AI 投资，供应压力将进一步加大。

旺宏冻结 NOR 扩产、逐步退出 ROM，押注 300 亿新台币扩产 eMMC NAND

旺宏国际董事长吴敏求宣布，公司将逐步退出传统游戏机用 ROM 业务并冻结 NOR Flash 扩产，把逾 300 亿新台币（约 9.25 亿美元）资本支出投向 eMMC 与 NAND Flash。新产能首期预计从 2027 年下半年起逐步爬坡至年底。旺宏 2026 年第三季度利润创历史新高，首次突破 100 亿新台币；吴敏求表示只要锁定对的客户，合约涨价不可避免。

Team Group 2026 年三季度每股收益同比激增 1,483%，新厂目标产能提升约 50%

存储模组厂商 Team Group 公布 2026 年第三季度创纪录业绩，每股收益同比激增 1,482.55%。董事会同时批准在新北市新建工厂，计划于 2027 年第二季度投产，总产能将提升约 50%。

SK海力士称未来三年DRAM和HBM产能基本售罄

SK海力士表示，未来三年DRAM和HBM产能基本售罄。该说法来自TradingView的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。

同一件事，精选收录的是《SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加》

三星2027年HBM产能全售罄，预计2028年DRAM供应紧张

三星2027年HBM产能已全部售罄，并预计2028年DRAM供应将趋紧。

三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，存储供给增量推迟至2028年

三星电子与SK hynix 在2026年启动各自史上最大规模的设备投资，但存储供给增量预计要到2028年才会落地。届时韩国新厂与中国长鑫存储（CXMT）的扩产产能将同时上线，可能引发通用DRAM价格竞争。

长鑫存储拟启动HBM3E生产，良率仅20%至30%

长鑫存储（CXMT）计划开始生产HBM3E，目前良率仅达到20%至30%。此举反映中国市场在关键设备进口受限下仍寻求扩大本土存储产能、应对内存短缺。

联电预计 2027 年 ASP 同比增长约 10%，AI 营收占比三年内升至 25%

联电 CEO Jason Wang 预计 2027 年晶圆代工价格将继续上涨，公司全年 ASP 同比增长约 10%。他同时提出 AI 营收占比将在三年内升至 25%。

坤通科技登陆台交所兴柜，LEO 卫星与 AI 散热双引擎驱动

台湾高端精密金属件厂商坤通科技于10月29日以每股390元新台币参考价登陆台交所兴柜，其为美国低轨卫星运营商的主要供应商。公司计划自2027年起扩产泰国产能，同时布局AI服务器液冷与半导体设备业务。

LB Semicon 与 Qualcomm 签十年协议，投 300 亿韩元扩 PMIC 后段产能

韩国封测厂 LB Semicon 计划投资 300 亿韩元（约 2240 万美元），用于扩大电源管理 IC（PMIC）后段产能。该扩产基于其与 Qualcomm 签订的十年供货协议。

三星电话会：存储短缺或至2028年，AI需求从HBM扩展至SSD，内存商业模式正彻底重塑

三星在电话会上判断存储短缺可能持续到2028年，AI需求正从HBM扩展到SSD。公司同时认为内存的商业模式正在被彻底重塑。

SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加

SK海力士在电话会上称DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时表示明年资本开支将大幅增加。

AXT子公司通美获最高5.45亿美元私募融资，用于InP衬底扩产

AXT宣布其控股的中国晶圆制造子公司北京通美晶体技术股份有限公司已签署私募融资最终协议，融资规模最低约19.12亿元人民币（约2.85亿美元）、最高约36.69亿元人民币（约5.45亿美元），以通美普通股形式由部分机构投资者认购。资金将用于进一步扩大InP衬底产能、扩展主营业务、资本开支及一般营运资金。

友达以 388 亿新台币向 TSMC 出售台中二期厂房，广达收购案终止

友达董事会通过将台中二期厂房及相关基础设施以 388 亿新台币（约 12 亿美元）出售给 TSMC，不含税；预计扣除相关交易成本与预估税费后，可产生约 185 亿新台币处分利益。同时，友达终止原计划以 197 亿新台币将华亚厂区出售给广达的交易，原因是双方未能就使用规格与交期达成一致。

ST 预计四季度营收 40 亿美元，全年约 145 亿美元

ST 公布三季度营收 37.6 亿美元、毛利率 37.3%、净利润 2.91 亿美元，营收同比增长 17.9%。公司预计四季度营收中值 41.5 亿美元，环比增约 10.5%、同比增约 24.7%，毛利率约 39.0%，对应 2026 全年营收约 145 亿美元、同比增长 22.8%。

ADATA 2026 年第三季度净利同比增 616.4%，AI 需求加剧存储供应压力

ADATA 公布 2026 年第三季度及前三季度业绩创历史新高，第三季度归属股东净利润达 126.1 亿新台币（约 3.886 亿美元），同比增长 616.4%，每股收益 38.69 新台币。前三季度每股收益 101.47 新台币，净利润超过公司过去 25 年利润总和。业绩增长源于全球 AI 基础设施扩张带动存储产品需求走强。

UMT 前三季营收同比增长 71%，将于第四季度启动台湾、美国、越南扩产

UMT 2026 年前三季营收同比增长 71%，主要受全球低轨卫星部署需求带动毫米波通信产品销售。公司表示将从 2026 年第四季度起推进台湾、美国、越南的制造扩产计划，以支持国际客户需求并提升交付弹性。

Episil 磊晶厂发生火灾，或加剧磊晶片供应紧张

半导体磊晶片厂商 Episil 的创新厂于10月28日发生火灾，设备受损程度、停产范围与恢复时间仍在厘清。由于部分产品已因晶圆制造客户缺乏内部可调产能而供应紧张，现有量产设备若受损，可能进一步扩大当前的供应缺口。

SK海力士CEO称未来三年DRAM及HBM产能近乎售罄

SK海力士CEO表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。该表态由东方财富转述，未披露具体产能数字或客户信息。

SK hynix 三季度营收首破100万亿韩元，HBM4四季度成主流

SK hynix 公布 2026 年第三季度营收 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元，单季营收首次突破 100 万亿韩元，营业利润率 80%。

高盛存储专家会：DRAM涨价或持续至2028年，HBM明年均价预计涨122%

高盛存储专家会认为，产能扩张远水难解近渴，DRAM涨价可能持续至2028年。会议同时预计HBM明年均价将上涨122%。

SK Hynix 三季度营收首破 100 万亿韩元，AI 内存需求推动业绩创纪录

SK Hynix 三季度营收达 104.62 万亿韩元（约 780 亿美元），首次突破 100 万亿韩元，营业利润创纪录达 83.33 万亿韩元（约 620 亿美元）。业绩增长由 AI 内存需求激增驱动。

赣州经开区年产10万件半导体设备零组件项目建设提速

赣州经开区年产10万件半导体设备零组件项目建设提速。原文未披露项目投资额、投产时间及具体产品类型等细节。

SK海力士称DRAM和HBM到2029年产能售罄，内存短缺或持续至2030年

SK海力士表示DRAM和HBM到2029年产能已售罄，并判断内存短缺可能持续至2030年。该说法由观点网转述，原文未给出具体产能数字与客户结构。

同一件事，精选收录的是《SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加》

三星2027年HBM产能售罄，预计2028年DRAM供应仍将紧张

三星2027年HBM产能已售罄，并预计2028年DRAM供应仍将紧张。

三星电子称HBM产品2027年产能已售罄，正与客户协商将六至七成半导体产能长期合约化

三星电子宣布HBM产品2027年分产能已售罄，并计划到2030年将半导体生产能力的六至七成转为长期合约。公司正与客户就延长协议进行协商。

三星电子：存储需求将进一步增长，继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模

三星电子表示存储需求将进一步增长，公司将继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模。

三星电子：存储需求将进一步增长，继续扩大HBM、服务器DRAM及SSD销售规模

三星电子表示存储需求将进一步增长，公司将继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模。

长电科技追加72亿元先进封装产线投资

长电科技追加72亿元投资先进封装产线。原文仅给出投资金额与产线方向，未披露具体产能规模与投产时间。

36Kr 报道长鑫存储良率不到30%仍推进HBM3E

36Kr 报道称长鑫存储 HBM3E 良率不到30%，仍在强推该产品。原文正文仅给出标题信息，未披露良率统计口径、时间节点或产能规划等细节。

SK海力士称DRAM和HBM产能已售罄至2029年

SK海力士表示，DRAM 和 HBM 到 2029 年的产能已全部售罄。该说法来自搜狐网关于存储芯片缺货程度的报道，原文未给出具体产能数字或客户信息。

SK hynix Q3 电话会称 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄

SK hynix 在 Q3 电话会上表示，DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄。公司同时提到 AI 投资主体正从大型云厂商向主权基金与企业级客户扩散。

SK hynix 称 HBM 和 DRAM 产品预计 2029 年前基本售罄

SK hynix 表示 HBM 和 DRAM 产品预计在 2029 年前基本售罄，并称其 AI 内存竞争力较强。该判断来自亚洲日报的报道，原文未给出具体产能或订单数字。

SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄

SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。

SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄

SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。

SK海力士CEO郭鲁正称DRAM及HBM产能直至2029年已近乎售罄

SK海力士CEO郭鲁正表示，DRAM及HBM内存直至2029年的产能已近乎售罄。该表态显示存储供给已被长期订单锁定。

SK海力士称未来三年DRAM和HBM产能基本售罄

SK海力士称未来三年DRAM和HBM产能基本售罄。该表述指向存储供给在较长周期内维持紧张。

SK 海力士 CEO 郭鲁正称 DRAM 及 HBM 产能直至 2029 年已近乎售罄

SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，DRAM 及 HBM 内存直至 2029 年的产能已近乎售罄。该表态指向存储供给在较长周期内维持紧张。