中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备，首台已付运国内一家集成电路封装客户。该设备采用 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术，兼容带框架 200mm、300mm 晶圆，可切割最小 5μm 切割道、支持 25–700μm 晶圆厚度，系统最多搭载 6 个刻蚀反应台，并支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后切割及背面刻蚀等工艺。
推荐理由：首台等离子体晶圆切割设备付运封装客户，国产设备进入先进封装切割环节的落地节点。
NVIDIA 在 KubeCon + CloudNativeCon 上把用于保障和治理自主智能体的开源运行时 NVIDIA OpenShell 捐赠给 CNCF，成为 Sandbox 项目。
华海清科11月4日面向Micro LED领域推出的磨-划-洗成套方案首套集成系统装备顺利出机，这是公司首次实现集成系统装备出机。该方案由Versatile-GM300HC减薄装备、Versatile-DT200边缘修整装备和HPC-F3400单片清洗装备构成，兼容8/12英寸产品。
华海清科全资子公司华海清科（上海）半导体有限公司通过公开挂牌竞得浦东新区金桥“装备小镇”一宗国有建设用地使用权，出让面积约4.6万平方米，上海集成电路高端装备研发制造基地项目用地正式落定。
推荐理由：原文给出上海基地约17亿元投资与4.6万平方米用地落定，可跟踪离子注入、CMP、减薄装备产能扩充节奏。
北方华创首台面向先进工艺节点的12英寸微波ECR等离子体刻蚀设备Acme Helix430正式问世，与公司现有ICP和CCP刻蚀设备形成技术路线互补。该设备采用自研微波ECR等离子体技术，可同步获得高密度等离子体与超低离子轰击能量，适配浅沟槽隔离、栅极刻蚀等核心工艺，并引入原子层刻蚀（ALE）模式。
推荐理由：原文给出北方华创首台12英寸微波ECR刻蚀设备的技术路线与工艺验证，读者可据此跟踪国产刻蚀在GAA节点的路线补齐。
中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺，采用全对称腔体结构、集成气柜设计和双制冷/双加热晶圆基座，并搭载量产的Primo C6V3传输系统。中微公司称该产品填补了国内下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
推荐理由：中微公司首台气相高选择性刻蚀设备付运国内客户，可据此跟踪其在GAA与3D存储器件工艺中的导入节奏。
华海清科在2026湾芯展发布中束流离子注入机 iHQ-900E 和面向先进封装的国产面板级 CMP 量产方案 Master-P510APEX。iHQ-900E 围绕剂量均匀性、角度及 WPH 等指标展示相较国外竞品的性能优势。同期 Universal-200 Smart 通过深圳平湖实验室国产化验收，公司获授湾芯展卓越企业荣誉。
华海清科在第二十六届国芯展上集中展示CMP、离子注入、减薄、划切、湿法等高端半导体装备及服务，离子注入系列装备成为现场交流热点。公司面向板级先进封装推出Panel CMP、Panel减薄等系列装备与成套解决方案，副总裁陈炯在同期论坛重点解读了离子注入系列装备的产品布局。
中微公司在2026湾芯展上重点推介最新发布的两款设备，Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀机与Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备。
推荐理由：中微在展会上推介两款新设备，其中ALD钼设备切入存储厂商钼基字线切换窗口，可跟踪其客户导入节奏。
中微公司携平台化产品矩阵亮相首届国芯展，其自主研发的Primo UD-RIE电容耦合等离子体刻蚀设备同时获得2026工博会CIIF大奖与"国芯展"创新成果奖。该设备为12英寸高端CCP刻蚀机，配备六个单反应台反应腔，可满足极高深宽比刻蚀要求。截至2026年6月底，中微公司累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。
华海清科（688120）2026年向特定对象发行A股股票项目收官，发行16,080,508股、发行价236.00元/股，募资总额近38亿元。资金将投向上海集成电路装备研发制造基地项目、昆山晶圆再生扩产项目和高端半导体装备研发项目。该项目从交易所受理至证监会注册生效仅耗时1个半月，其中受理至审核通过仅15个自然日。
华海清科自主研发的全自动板级CMP量产装备Master-P510APEX顺利出机，发往先进封装产线投入量产应用，为国内首台进入量产线的全自动板级CMP装备。该装备针对大尺寸板级封装设计，具备全板面均匀性与平坦化控制能力，支持低缺陷抛光，并通过智能终点检测与自动化控制实现多种工艺模式切换。华海清科称将围绕面板级工艺需求逐步推出覆盖多工艺环节的成套解决方案。
推荐理由：国产板级CMP装备首次进入量产线，可跟踪板级封装工艺环节的国产设备配套进度。
中微公司在CSEAC 2026期间推出六款自主研发的高端设备，覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD金属钼、金属硅化物集成沉积及碳化硅外延等环节。其中Primo XD-RIE™刻蚀机支持70到90比1深宽比，Performo QuaStar® ON单系统最多同时处理16片晶圆，Prefima Unicore™ AM为12英寸ALD金属钼设备，面向三维超高堆叠字线填充。
推荐理由：中微公司一次发布六款自研设备，覆盖极高深宽比刻蚀与多类薄膜沉积，产品矩阵向存储与逻辑关键工艺延伸。
北方华创凭《射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备》专利获第二十六届中国专利金奖，是本届30项金奖中唯一一家半导体设备企业。该专利可快速扫频匹配目标参数、保证脉冲等离子体点火，降低射频反射功率与功耗，满足先进刻蚀工艺需求。截至最新年报，公司累计申请专利超11300项、授权超6500项，发明专利占比超80%。
拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地项目（沈阳二厂）于2026年8月10日主体结构封顶，项目总占地面积147亩、总投资近18亿元。基地全面建成投产后将成为拓荆科技产能规模最大的总部级生产基地，最大产能规模达每年超1000台。董事长吕光泉表示将打造绿色、智能化示范工厂，作为公司全球核心研发制造中心。
推荐理由：拓荆沈阳二厂封顶并给出年产超1000台的总部级基地规划，可跟踪其产能释放节奏。
北方华创面向全球市场推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备SICRIUS SN302D Ⅱ，基于全石英腔体架构从源头切断金属污染源。该设备通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线，替代人工经验调参，并配备多温区复合式精密温控系统与原位智能清洗工艺。公司称其适配先进逻辑、存储、功率及第三代半导体、先进封装、硅光集成等场景，已构建涵盖氧化、退火、LPCVD、PEALD的全品类立式炉量产平台。
推荐理由：北方华创推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备，全石英腔体与智能温控是其针对金属污染和均匀性的设计取向。
北方华创多项自主研发真空核心技术成果入选工信部2026年度工业母机创新产品典型案例名单。入选成果来自真空新能源装备事业群，涵盖真空高压气淬炉关键零部件、曲面PVD镀膜设备，以及大型复杂腔室与多腔室真空系统两大测试评价平台。
北方华创在SNEC 2026光伏展展出光伏硅片及电池片整线解决方案，并推出新一代大尺寸单晶硅生长设备，热场预留扩容至42英寸，整体功耗降10%、氧含量缩减5%、晶棒生长稳定性提升30%。电池端同步推出新一代磷扩散、硼扩散、氧化退火、PECVD、LPCVD、PVD等关键工艺装备，炉体电能损耗下降8%、气体利用率提升10%、热排降低40%。
北方华创正式发布全新12英寸气体团簇离子束（GCIB）刻蚀设备Acme Glaion130，覆盖先进逻辑、存储、封装、硅光芯片及AR/VR应用场景。设备攻克气体团簇离子源、高速运动下电极、动态精确控制算法三大技术，搭载原位膜厚量测装置，可实现晶圆局部定点精修。公司称其整面刻蚀膜厚控制精准，保持原子级光滑表面，综合性能达到同类型设备领先水平。
推荐理由：北方华创发布12英寸GCIB刻蚀设备，覆盖先进逻辑、存储与先进封装，可跟踪国产高端刻蚀设备的场景落地。
北方华创首台600mm×600mm面板级封装去胶设备（Descum）成功出厂，用于面板级封装去胶工艺。该设备在大翘曲度基板低温去胶、大面积刻蚀均匀性等核心技术上取得突破，刻蚀均匀性与基座表面温度均匀性满足业内主流需求。北方华创称该定制化方案为客户面板级封装研发与后续规模化量产提供技术基础。
推荐理由：原文给出首台600mm×600mm面板级封装Descum设备出厂节点，读者可据此跟踪国产设备在面板级封装环节的导入进展。