全部硬科技卡点动态

AI 重塑存储架构，Macronix 扩展 Flash 产品组合

AI 驱动的高带宽存储需求正在重塑存储市场，并带动成熟 Flash 产品需求上升。Macronix 正针对 AI 工作负载扩展其 Flash 产品组合。

三星预计 2027 年 8nm 以下全节点需求超产能、稼动率超 100%

三星电子在第三季度财报电话会上表示，到 2027 年其 8nm 以下所有节点的需求都将超过产能，并预计这些节点稼动率将超过 100%。其晶圆代工业务此前多年面临工厂产能利用率不足的问题。

马斯克或让 TSMC 运营其得州芯片厂，独立建厂计划受阻

马斯克据报正重新考虑在 Terafab 项目上与 TSMC 的合作方式，其原本独立建设和运营半导体晶圆厂的计划可能生变。目前讨论的方向包括由 TSMC 负责运营这座位于得州的芯片厂。

三星2027年HBM产能全售罄，预计2028年DRAM供应紧张

三星2027年HBM产能已全部售罄，并预计2028年DRAM供应将趋紧。

三星电子：2027 年 HBM 产能售罄，预计整体内存供应将在 2028 年维持紧张

三星电子称 2027 年 HBM 产能已售罄，并预计整体内存供应紧张态势将延续至 2028 年。

台光电子 2026 年第三季营收 608.8 亿新台币创纪录，AI 需求带动产能满载

覆铜板（CCL）厂商台光电子（EMC）公布 2026 年第三季营收 608.8 亿新台币（约 18.75 亿美元），创单季新高。营收环比增长 28.8%，同比增长 142%，公司称增长来自 AI 产品所用高端材料的强劲需求以及产能满载。

存储涨价冲击旺季，中国品牌 4Q26 智能手机出货预计同比下滑超 35%

DIGITIMES Intelligence 分析师 Luke Lin 预计，2026 年第四季度中国智能手机出货同比下滑超 13.5%，中国品牌合计出货同比降幅超 35%。尽管 Apple、Huawei、Oppo、Vivo、Xiaomi 均有新机发布，存储涨价仍在削弱销售动能，迫使中国品牌调整产品组合。

三星获得Faraday 2nm ASIC代工订单

三星电子获得台湾ASIC设计厂商Faraday的2nm代工订单，使其2nm制程应用范围从移动设备扩展至云端AI与HPC。该订单预计将帮助三星拓宽先进制程客户基础，并增强其晶圆代工业务竞争力。

三星与SK hynix称存储短缺或持续数年，扩产难快速释放产能

三星电子与SK hynix预计存储芯片短缺将持续数年，尽管晶圆厂投资在增加。AI需求激增与制程日益复杂，限制了新增产能的上线速度。

阿里、腾讯、字节据报寻求与三星、SK hynix 签订10年期DRAM长约

阿里、腾讯、字节跳动据报正寻求与三星电子和SK hynix签订服务器DRAM长期供应协议，部分请求期限延伸至2035年。中国云服务商由此加入美国科技巨头争夺未来存储产能的行列。

HBM4 周期遭挤压：产能与规格成关键，客户已推动 HBM4E 开发

韩国供应链分析显示，AI 芯片厂商对内存性能要求提升，正加速从第六代 HBM4 向 HBM4E 过渡，主要 AI 半导体客户已推动 HBM4E 开发，可能缩短 HBM4 的量产周期。供应商的开发与制造能力、散热管理及客户验证仍是决定性因素。

Sandisk 称 AI 客户回头追加 NAND 采购，长期供货意向超计划产出

Sandisk 表示，AI 基础设施客户此前低估存储需求，如今回头锁定更多 NAND 闪存供应。其潜在长期供货协议的规模已超过公司到本十年末的计划产出。

东进世美肯：正在供应EUV光刻胶，也在开发先进封装材料

东进世美肯表示正在供应EUV光刻胶，同时也在开发先进封装材料。

Sandisk：AI 智能体负载下每颗 CPU 约需 60–90GB NAND

Sandisk 观察到，在某些 AI 推理与智能体编排应用中，每颗 CPU 对应约 60–90GB 的 NAND 闪存需求。客户正在重新思考如何在 AI 系统中搭配使用不同的内存与存储技术。

芯片行业一周回顾：Marvell 拟 1150 亿美元收购 Lumentum，HBM 供应紧张延续至 2030 年

Marvell 同意以全股票交易收购 Lumentum，隐含企业价值 1150 亿美元，合并其定制芯片、网络互连技术与 Lumentum 的激光器、光收发器和光路交换能力，交易预计 2028 年上半年完成。

SK Hynix 任命 HBM 资深负责人执掌新设美国业务部门

SK Hynix 任命其 AI 存储开发负责人领导新设立的美国美洲业务部门，将该技术资深人士安排到更贴近美国主要客户的位置。此举正值行业转向定制化 HBM，并与芯片开发商深化合作。

三星电子：存储需求将进一步增长，继续扩大HBM、服务器DRAM及SSD销售规模

三星电子表示存储需求将进一步增长，将继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模。

SK hynix 首次在日本举办合作伙伴日，与 20 余家本地供应商共商业务方向

SK hynix 于 29 日在日本千叶县首次举办 Partners Day，邀请 Shin-Etsu、SUMCO、JSR、Namics、Tokyo Electron（TEL）、SCREEN、DISCO、Advantest 等 20 余家本地合作伙伴高管参加。

SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加

SK海力士在电话会上表示，DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时称明年资本开支将大幅增加。

三星电子称2027年HBM产能售罄，预计2028年内存供应仍紧张

三星电子表示2027年HBM产能已售罄，并预计整体内存供应将在2028年维持紧张。该表述给出了HBM与整体内存供需偏紧延续到2028年的时间判断。

Samsung AI 存储需求推动利润创新高，设备部门仍陷亏损

Samsung Electronics 最新财报显示，HBM 销售大幅扩张与存储涨价推动集团再度创下季度利润纪录，半导体利润飙升抵消了消费设备部门的持续亏损。公司预计，随着客户扩大 AI 投资，供应压力将进一步加大。

存储缺货推高利基型存储价格，北京君正三季度净利同比增 2,595%

北京君正三季度归属于股东的净利润为 14.19 亿元人民币（约 2.1239 亿美元），同比增长 2,595.49%。这家无晶圆厂芯片设计公司的存储产品主要面向汽车、工厂设备、医疗设备和网络设备，而非智能手机与 PC；供应紧张推高了其特种 DRAM、SRAM 和闪存产品的价格，这些产品目前占其销售的大部分。

旺宏冻结 NOR 扩产、逐步退出 ROM，押注 300 亿新台币扩产 eMMC NAND

旺宏国际董事长吴敏求宣布，公司将逐步退出传统游戏机用 ROM 业务并冻结 NOR Flash 扩产，把逾 300 亿新台币（约 9.25 亿美元）资本支出投向 eMMC 与 NAND Flash。新产能首期预计从 2027 年下半年起逐步爬坡至年底。旺宏 2026 年第三季度利润创历史新高，首次突破 100 亿新台币；吴敏求表示只要锁定对的客户，合约涨价不可避免。

存储涨价未推高CPI，消费电子承压最重

存储价格大幅上涨，部分IC设计公司开始自行开发和生产SRAM以替代DRAM。仍需要DRAM的电子组装厂和品牌厂商则面临成本转嫁困难，以及通过长期合约锁定供应的挑战。

SK海力士称未来三年DRAM和HBM产能基本售罄

SK海力士表示，未来三年DRAM和HBM产能基本售罄。该说法来自TradingView的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。

同一件事，精选收录的是《SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加》

三星2027年HBM产能全售罄，预计2028年DRAM供应紧张

三星2027年HBM产能已全部售罄，并预计2028年DRAM供应将趋紧。

三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，存储供给增量推迟至2028年

三星电子与SK hynix 在2026年启动各自史上最大规模的设备投资，但存储供给增量预计要到2028年才会落地。届时韩国新厂与中国长鑫存储（CXMT）的扩产产能将同时上线，可能引发通用DRAM价格竞争。

长鑫存储拟启动HBM3E生产，良率仅20%至30%

长鑫存储（CXMT）计划开始生产HBM3E，目前良率仅达到20%至30%。此举反映中国市场在关键设备进口受限下仍寻求扩大本土存储产能、应对内存短缺。

联电预计 2027 年 ASP 同比增长约 10%，AI 营收占比三年内升至 25%

联电 CEO Jason Wang 预计 2027 年晶圆代工价格将继续上涨，公司全年 ASP 同比增长约 10%。他同时提出 AI 营收占比将在三年内升至 25%。

三星电话会：存储短缺或至2028年，AI需求从HBM扩展至SSD，内存商业模式正彻底重塑

三星在电话会上判断存储短缺可能持续到2028年，AI需求正从HBM扩展到SSD。公司同时认为内存的商业模式正在被彻底重塑。

SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加

SK海力士在电话会上称DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时表示明年资本开支将大幅增加。

AXT子公司通美获最高5.45亿美元私募融资，用于InP衬底扩产

AXT宣布其控股的中国晶圆制造子公司北京通美晶体技术股份有限公司已签署私募融资最终协议，融资规模最低约19.12亿元人民币（约2.85亿美元）、最高约36.69亿元人民币（约5.45亿美元），以通美普通股形式由部分机构投资者认购。资金将用于进一步扩大InP衬底产能、扩展主营业务、资本开支及一般营运资金。

三星、SK 海力士无惧内存涨价：国产 HBM 明年份额不到 2%

驱动之家文章称内存价格还将继续上涨，三星与 SK 海力士并不担心竞争，国产 HBM 明年市场份额不到 2%。

三星三季度利润几乎全部来自存储涨价，并预计短缺持续到2028年

三星电子三季度利润几乎全部来自存储芯片涨价，而非出货量增加。公司在财报电话会上告诉投资者，支撑这轮价格的短缺将持续到2028年，即便芯片制造商正在加大支出。

EPOCH：2025年第四季度 HBM 占 AI 芯片支出份额升至 63%

EPOCH 数据显示，2025 年第四季度 HBM 在 AI 芯片支出中的份额上升至 63%。

友达以 388 亿新台币向 TSMC 出售台中二期厂房，广达收购案终止

友达董事会通过将台中二期厂房及相关基础设施以 388 亿新台币（约 12 亿美元）出售给 TSMC，不含税；预计扣除相关交易成本与预估税费后，可产生约 185 亿新台币处分利益。同时，友达终止原计划以 197 亿新台币将华亚厂区出售给广达的交易，原因是双方未能就使用规格与交期达成一致。

ST 预计四季度营收 40 亿美元，全年约 145 亿美元

ST 公布三季度营收 37.6 亿美元、毛利率 37.3%、净利润 2.91 亿美元，营收同比增长 17.9%。公司预计四季度营收中值 41.5 亿美元，环比增约 10.5%、同比增约 24.7%，毛利率约 39.0%，对应 2026 全年营收约 145 亿美元、同比增长 22.8%。

ADATA 2026 年第三季度净利同比增 616.4%，AI 需求加剧存储供应压力

ADATA 公布 2026 年第三季度及前三季度业绩创历史新高，第三季度归属股东净利润达 126.1 亿新台币（约 3.886 亿美元），同比增长 616.4%，每股收益 38.69 新台币。前三季度每股收益 101.47 新台币，净利润超过公司过去 25 年利润总和。业绩增长源于全球 AI 基础设施扩张带动存储产品需求走强。

Episil 磊晶厂发生火灾，或加剧磊晶片供应紧张

半导体磊晶片厂商 Episil 的创新厂于10月28日发生火灾，设备受损程度、停产范围与恢复时间仍在厘清。由于部分产品已因晶圆制造客户缺乏内部可调产能而供应紧张，现有量产设备若受损，可能进一步扩大当前的供应缺口。

SK海力士CEO称未来三年DRAM及HBM产能近乎售罄

SK海力士CEO表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。该表态由东方财富转述，未披露具体产能数字或客户信息。