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HBM4 周期遭挤压：产能与规格成关键，客户已推动 HBM4E 开发

韩国供应链分析显示，AI 芯片厂商对内存性能要求提升，正加速从第六代 HBM4 向 HBM4E 过渡，主要 AI 半导体客户已推动 HBM4E 开发，可能缩短 HBM4 的量产周期。供应商的开发与制造能力、散热管理及客户验证仍是决定性因素。

Sandisk 称 AI 客户回头追加 NAND 采购，长期供货意向超计划产出

Sandisk 表示，AI 基础设施客户此前低估存储需求，如今回头锁定更多 NAND 闪存供应。其潜在长期供货协议的规模已超过公司到本十年末的计划产出。

Sandisk：AI 智能体负载下每颗 CPU 约需 60–90GB NAND

Sandisk 观察到，在某些 AI 推理与智能体编排应用中，每颗 CPU 对应约 60–90GB 的 NAND 闪存需求。客户正在重新思考如何在 AI 系统中搭配使用不同的内存与存储技术。

芯片行业一周回顾：Marvell 拟 1150 亿美元收购 Lumentum，HBM 供应紧张延续至 2030 年

Marvell 同意以全股票交易收购 Lumentum，隐含企业价值 1150 亿美元，合并其定制芯片、网络互连技术与 Lumentum 的激光器、光收发器和光路交换能力，交易预计 2028 年上半年完成。

SK Hynix 任命 HBM 资深负责人执掌新设美国业务部门

SK Hynix 任命其 AI 存储开发负责人领导新设立的美国美洲业务部门，将该技术资深人士安排到更贴近美国主要客户的位置。此举正值行业转向定制化 HBM，并与芯片开发商深化合作。

三星电子：存储需求将进一步增长，继续扩大HBM、服务器DRAM及SSD销售规模

三星电子表示存储需求将进一步增长，将继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模。

SK hynix 首次在日本举办合作伙伴日，与 20 余家本地供应商共商业务方向

SK hynix 于 29 日在日本千叶县首次举办 Partners Day，邀请 Shin-Etsu、SUMCO、JSR、Namics、Tokyo Electron（TEL）、SCREEN、DISCO、Advantest 等 20 余家本地合作伙伴高管参加。

SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加

SK海力士在电话会上表示，DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时称明年资本开支将大幅增加。

三星电子称2027年HBM产能售罄，预计2028年内存供应仍紧张

三星电子表示2027年HBM产能已售罄，并预计整体内存供应将在2028年维持紧张。该表述给出了HBM与整体内存供需偏紧延续到2028年的时间判断。

Samsung AI 存储需求推动利润创新高，设备部门仍陷亏损

Samsung Electronics 最新财报显示，HBM 销售大幅扩张与存储涨价推动集团再度创下季度利润纪录，半导体利润飙升抵消了消费设备部门的持续亏损。公司预计，随着客户扩大 AI 投资，供应压力将进一步加大。

NVIDIA 下调 Rubin 平台 HBM4 带宽规格

NVIDIA 据称调整 Vera Rubin NVL72 平台的第四代高带宽内存 HBM4 规格，将每 GPU 带宽从先前公布的 22TB/s 降至 19.2TB/s，降幅约 13%。韩国业内人士认为，此举可能提升供应灵活性，并有助于在性能与量产交付之间取得平衡，但调整原因及对供应商订单的实际影响尚未确认。

SK海力士称未来三年DRAM和HBM产能基本售罄

SK海力士表示，未来三年DRAM和HBM产能基本售罄。该说法来自TradingView的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。

同一件事，精选收录的是《SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加》

三星2027年HBM产能全售罄，预计2028年DRAM供应紧张

三星2027年HBM产能已全部售罄，并预计2028年DRAM供应将趋紧。

三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，存储供给增量推迟至2028年

三星电子与SK hynix 在2026年启动各自史上最大规模的设备投资，但存储供给增量预计要到2028年才会落地。届时韩国新厂与中国长鑫存储（CXMT）的扩产产能将同时上线，可能引发通用DRAM价格竞争。

长鑫存储拟启动HBM3E生产，良率仅20%至30%

长鑫存储（CXMT）计划开始生产HBM3E，目前良率仅达到20%至30%。此举反映中国市场在关键设备进口受限下仍寻求扩大本土存储产能、应对内存短缺。

三星电话会：存储短缺或至2028年，AI需求从HBM扩展至SSD，内存商业模式正彻底重塑

三星在电话会上判断存储短缺可能持续到2028年，AI需求正从HBM扩展到SSD。公司同时认为内存的商业模式正在被彻底重塑。

SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加

SK海力士在电话会上称DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时表示明年资本开支将大幅增加。

三星、SK 海力士无惧内存涨价：国产 HBM 明年份额不到 2%

驱动之家文章称内存价格还将继续上涨，三星与 SK 海力士并不担心竞争，国产 HBM 明年市场份额不到 2%。

三星三季度利润几乎全部来自存储涨价，并预计短缺持续到2028年

三星电子三季度利润几乎全部来自存储芯片涨价，而非出货量增加。公司在财报电话会上告诉投资者，支撑这轮价格的短缺将持续到2028年，即便芯片制造商正在加大支出。

EPOCH：2025年第四季度 HBM 占 AI 芯片支出份额升至 63%

EPOCH 数据显示，2025 年第四季度 HBM 在 AI 芯片支出中的份额上升至 63%。

高盛：DRAM 涨势延续至 2028 上半年，明年 HBM 收入增超 230%

高盛预计 DRAM 涨价周期将延续至 2028 年上半年，并预测明年 HBM 收入同比增长超过 230%。该判断将存储涨价与 HBM 高增长并列，指向 AI 需求对存储产业链的持续拉动。

ADATA 2026 年第三季度净利同比增 616.4%，AI 需求加剧存储供应压力

ADATA 公布 2026 年第三季度及前三季度业绩创历史新高，第三季度归属股东净利润达 126.1 亿新台币（约 3.886 亿美元），同比增长 616.4%，每股收益 38.69 新台币。前三季度每股收益 101.47 新台币，净利润超过公司过去 25 年利润总和。业绩增长源于全球 AI 基础设施扩张带动存储产品需求走强。

高盛研报：DRAM价格或涨至2028年上半年，HBM收入料增超230%

高盛研报预计DRAM价格将上涨至2028年上半年，HBM收入料增长超过230%。

SK海力士CEO称未来三年DRAM及HBM产能近乎售罄

SK海力士CEO表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。该表态由东方财富转述，未披露具体产能数字或客户信息。

存储芯片巨头财报周来袭：大摩、花旗、野村密集看多，“存储荒”持续、HBM价格或翻倍

存储芯片巨头财报周来临之际，大摩、花旗、野村密集看多，认为“存储荒”将持续，HBM价格或翻倍。

SK hynix 三季度营收首破100万亿韩元，HBM4四季度成主流

SK hynix 公布 2026 年第三季度营收 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元，单季营收首次突破 100 万亿韩元，营业利润率 80%。

高盛援引行业专家：HBM均价明年或涨122%，DRAM涨势或延至2028年

高盛援引行业专家观点称，HBM均价明年或上涨122%，DRAM涨势可能延续至2028年。该判断由财联社在海外研选栏目中转述。

SK hynix 技术笔记：硅光与 CPO 如何为 AI 工厂铺设“光之高速路”

汉阳大学 ERICA 半导体融合工程学院的 Younghyun Kim 教授在 SK hynix 技术笔记中解析了 AI 工厂的数据瓶颈，并探讨以硅光和共封装光学（CPO）作为下一代突破技术。随着 GPU 速度提升，铜互连在高速长距传输中面临信号衰减、发热与中继器功耗上升，光互连借助波分复用（WDM）提升单纤传输容量。硅光把波导、调制器和光电探测器集成到芯片上，实现光信号的上路、导向与还原。

高盛存储专家会：DRAM涨价或持续至2028年，HBM明年均价预计涨122%

高盛存储专家会认为，产能扩张远水难解近渴，DRAM涨价可能持续至2028年。会议同时预计HBM明年均价将上涨122%。

SK Hynix 三季度营收首破 100 万亿韩元，AI 内存需求推动业绩创纪录

SK Hynix 三季度营收达 104.62 万亿韩元（约 780 亿美元），首次突破 100 万亿韩元，营业利润创纪录达 83.33 万亿韩元（约 620 亿美元）。业绩增长由 AI 内存需求激增驱动。

SK hynix 技术笔记：数万 GPU 为何仍要等待？硅光子与 CPO 如何构建“光之高速公路”

SK hynix 技术笔记解释数万 GPU 仍需等待的原因，并介绍硅光子与 CPO 如何构建“光之高速公路”。文中对比 LPO 与 NPO：LPO 保留可插拔光模块架构但去掉模块内 DSP，NPO 将光引擎放在交换芯片附近但置于封装之外。

SK海力士称DRAM和HBM到2029年产能售罄，内存短缺或持续至2030年

SK海力士表示DRAM和HBM到2029年产能已售罄，并判断内存短缺可能持续至2030年。该说法由观点网转述，原文未给出具体产能数字与客户结构。

同一件事，精选收录的是《SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加》

TrendForce：AI 推理带动 CPU 与 DDR5 需求，高容值 MLCC 缺货预计持续至 2027 年上半年

TrendForce 最新 MLCC 产业研究指出，AI 应用从模型训练快速转向推理与 AI 智能体，正带动新一轮 CPU 需求，每颗 CPU 都需配套电源模块与 DDR5 内存。该机构预计高容值 MLCC 缺货将持续至 2027 年上半年。

SK hynix 技术笔记：硅光与 CPO 如何为 AI 搭建“光的高速公路”

SK hynix 发布技术笔记，解释硅光与 CPO 如何为 AI 搭建“光的高速公路”。文中指出 HBM 缩短了 GPU 同一封装内的数据传输距离，而 CPO 提升了连接多个 GPU 系统的网络间数据传输效率。

三星2027年HBM产能售罄，预计2028年DRAM供应仍将紧张

三星2027年HBM产能已售罄，并预计2028年DRAM供应仍将紧张。

花旗：AI需求撞上产能瓶颈，存储供应短缺远未结束，看高美光科技（MU.US）至1300美元

花旗看高美光科技（MU.US）目标价至1300美元，认为AI需求加速撞上产能瓶颈，存储供应短缺远未结束。

三星电子称HBM产品2027年产能已售罄，正与客户协商将六至七成半导体产能长期合约化

三星电子宣布HBM产品2027年分产能已售罄，并计划到2030年将半导体生产能力的六至七成转为长期合约。公司正与客户就延长协议进行协商。

高盛研报：DRAM价格或涨至2028年上半年，HBM收入料增超230%

高盛研报预计DRAM价格将上涨至2028年上半年，同期HBM收入料增长超过230%。

高盛援引行业专家：HBM均价明年或涨122%，DRAM涨势或延至2028年

高盛援引行业专家观点称，HBM均价明年或上涨122%，DRAM涨势可能延续至2028年。该内容由富途牛牛转载，正文未展开具体数据与专家身份细节。

三星、SK海力士无惧内存涨价：国产HBM明年份额不到2%

新浪财经文章称内存价格还将继续上涨，三星与SK海力士等存储厂商并不担忧，国产HBM明年市场份额不到2%。