台光电子 2026 年第三季营收 608.8 亿新台币创纪录，AI 需求带动产能满载
覆铜板（CCL）厂商台光电子（EMC）公布 2026 年第三季营收 608.8 亿新台币（约 18.75 亿美元），创单季新高。营收环比增长 28.8%，同比增长 142%，公司称增长来自 AI 产品所用高端材料的强劲需求以及产能满载。
推荐理由：AI 高端材料需求带动稼动满载，季度营收环比增 28.8%，可观察覆铜板供给紧张程度。
卡点环节
HBM 与先进封装 最新动态
HBM、CoWoS/混合键合产能与材料约束。
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DIGITIMES精选AI 评分6262 DIGITIMES精选AI 评分6565 阿里、腾讯、字节据报寻求与三星、SK hynix 签订10年期DRAM长约
阿里、腾讯、字节跳动据报正寻求与三星电子和SK hynix签订服务器DRAM长期供应协议，部分请求期限延伸至2035年。中国云服务商由此加入美国科技巨头争夺未来存储产能的行列。
推荐理由：中国云厂商寻求长约锁定服务器DRAM供应，反映存储产能争夺向长约环节延伸。
DIGITIMES精选AI 评分7575 NVIDIA 在台日韩锁定先进载板产能，FCBGA 市场 2030 年目标 273 亿美元
NVIDIA 已开始在台湾、日本和韩国锁定先进载板产能，通过产能预订协议和预付款支持供应商扩产，以配合下一代 AI 加速器放量。全球封装载板市场预计从 2025 年的 149 亿美元增长至 2030 年的 402 亿美元，而先进 ABF 积层材料的需求预计从 2027 年起超过供给。
推荐理由：NVIDIA 以产能预订和预付款锁定台日韩先进载板产能，读者可据此跟踪 ABF 载板供需缺口的时间窗口。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 TSMC拟将CoWoS封装价格上调20%，受AI需求压力推动
据Foro3D报道，TSMC拟将CoWoS封装价格上调20%，原因是AI需求带来的压力。原文未披露调价生效时间与具体客户范围。
推荐理由：原文给出TSMC CoWoS封装拟涨价20%的幅度，读者可据此跟踪先进封装价格周期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7070 SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加
SK海力士在电话会上表示，DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时称明年资本开支将大幅增加。
推荐理由：SK海力士称DRAM与HBM产能已售罄至2029年，需求为供应的两倍，并计划明年大幅增加资本开支。
DIGITIMES精选AI 评分7070 三星电机称 AI 客户提前锁定 2027 年 MLCC 与基板供应
三星电机（SEMCO）10 月 28 日向投资者表示，明年长期协议预计将占其 MLCC 收入的 60% 以上，显示 AI 数据中心建设方正提前锁定元器件供应。公司称尽管有新增产能，需求增长仍快于预期，MLCC 与 FCBGA 基板供应将在第四季度进一步趋紧。
推荐理由：AI 数据中心客户提前锁定 2027 年 MLCC 与 FCBGA 基板供应，长期协议占比与四季度供应趋紧给出产能紧张的观察窗口。
DIGITIMES精选AI 评分7272 旺宏冻结 NOR 扩产、逐步退出 ROM，押注 300 亿新台币扩产 eMMC NAND
旺宏国际董事长吴敏求宣布，公司将逐步退出传统游戏机用 ROM 业务并冻结 NOR Flash 扩产，把逾 300 亿新台币（约 9.25 亿美元）资本支出投向 eMMC 与 NAND Flash。新产能首期预计从 2027 年下半年起逐步爬坡至年底。旺宏 2026 年第三季度利润创历史新高，首次突破 100 亿新台币；吴敏求表示只要锁定对的客户，合约涨价不可避免。
推荐理由：原文给出旺宏冻结 NOR 扩产、转向 eMMC 与 NAND 的产能调整节点，读者可据此跟踪其新产能爬坡节奏。
DIGITIMES精选AI 评分6565 三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，存储供给增量推迟至2028年
三星电子与SK hynix 在2026年启动各自史上最大规模的设备投资，但存储供给增量预计要到2028年才会落地。届时韩国新厂与中国长鑫存储（CXMT）的扩产产能将同时上线，可能引发通用DRAM价格竞争。
推荐理由：三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，但存储供给增量要到2028年才释放，读者可据此判断扩产周期与后续价格竞争时点。
DIGITIMES精选AI 评分6262 联电预计 2027 年 ASP 同比增长约 10%，AI 营收占比三年内升至 25%
联电 CEO Jason Wang 预计 2027 年晶圆代工价格将继续上涨，公司全年 ASP 同比增长约 10%。他同时提出 AI 营收占比将在三年内升至 25%。
推荐理由：原文给出联电 2027 年 ASP 约 10% 的同比涨幅指引，读者可据此跟踪代工价格周期与 AI 营收占比变化。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7878 SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加
SK海力士在电话会上称DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时表示明年资本开支将大幅增加。
推荐理由：SK海力士称DRAM与HBM产能售罄至2029年、需求为供应两倍，并计划明年大幅增加资本开支，读者可据此跟踪存储扩产周期。
Electronics Weekly精选AI 评分7373 Yole：PCB 行业 2031 年将达 1400 亿美元，AI 板卡与普通板增速分化
Yole 预测 PCB 行业 2025 年营收约 880 亿美元，到 2031 年将达 1400 亿美元，年复合增速 8.1%，但这一均值掩盖了 AI 相关板块每年 45% 至 70% 的增长与普通板几乎停滞的分化。
推荐理由：Yole 给出 PCB 市场分层数据，AI 板卡与普通板增速相差约二十倍，价值正从封装向基板层迁移。
DIGITIMES精选AI 评分6262 三星三季度利润几乎全部来自存储涨价，并预计短缺持续到2028年
三星电子三季度利润几乎全部来自存储芯片涨价，而非出货量增加。公司在财报电话会上告诉投资者，支撑这轮价格的短缺将持续到2028年，即便芯片制造商正在加大支出。
推荐理由：三星三季度利润几乎全部来自存储涨价而非出货增加，并称短缺将持续到2028年，读者可据此跟踪存储价格周期的持续时间。
SK hynix News精选AI 评分7878 SK hynix 三季度营收首破100万亿韩元，HBM4四季度成主流
SK hynix 公布 2026 年第三季度营收 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元，单季营收首次突破 100 万亿韩元，营业利润率 80%。
推荐理由：公司披露2027至2028年逾五成产能已被长期协议锁定，并给出HBM4四季度转主流与M15X满产的节奏。
DRAMeXchange精选AI 评分6060 TrendForce：AI 推理带动 CPU 与 DDR5 需求，高容值 MLCC 缺货预计持续至 2027 年上半年
TrendForce 最新 MLCC 产业研究指出，AI 应用从模型训练快速转向推理与 AI 智能体，正带动新一轮 CPU 需求，每颗 CPU 都需配套电源模块与 DDR5 内存。该机构预计高容值 MLCC 缺货将持续至 2027 年上半年。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 高盛援引行业专家：HBM均价明年或涨122%，DRAM涨势或延至2028年
高盛援引行业专家观点称，HBM均价明年或上涨122%，DRAM涨势可能延续至2028年。该内容由富途牛牛转载，正文未展开具体数据与专家身份细节。
推荐理由：高盛援引行业专家给出HBM均价明年涨122%的预测，读者可据此跟踪存储价格周期的延续节奏。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6767 SK hynix Q3 电话会称 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄
SK hynix 在 Q3 电话会上表示，DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄。公司同时提到 AI 投资主体正从大型云厂商向主权基金与企业级客户扩散。
推荐理由：SK hynix 在 Q3 电话会给出 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年近售罄的排产口径，可用于跟踪存储供给紧张周期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士CEO郭鲁正称DRAM及HBM产能直至2029年已近乎售罄
SK海力士CEO郭鲁正表示，DRAM及HBM内存直至2029年的产能已近乎售罄。该表态显示存储供给已被长期订单锁定。
推荐理由：SK海力士CEO称DRAM与HBM产能已排至2029年，读者可据此观察存储供给紧张周期的长度。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士CEO称未来三年DRAM与HBM产能近乎售罄
SK海力士CEO表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。
推荐理由：SK hynix CEO 给出未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄的判断，反映存储供给紧张周期。