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11月11日周三
  1. Semiconductor Engineering38

    缩短光刻学习周期以加速 FOPLP 量产爬坡

    针对扇出面板级封装(FOPLP)爬坡中的光刻难题,将离线量测数据与良率预测算法结合,可在投入实际试产前评估工艺窗口。在 HVM 工艺的生产基板上评估时,良率预测与实测差异最初为 1.2% 至 2.7%,标准化检查流程后降至 0.2% 至 0.8%。该方法用仿真筛选参数组合、再用 qualification 基板验证,减少试错迭代并缩短开发周期。

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