SK hynix锁定2027–28年过半产能,中小买家转向现货市场
据独立电子元器件分销商Smith,大型客户通过长期协议锁定未来存储供应,SK hynix已锁定2027–28年过半产能,规模较小的电子制造商则转向现货市场采购存储。原文未披露具体协议数量与价格水平。
据独立电子元器件分销商Smith,大型客户通过长期协议锁定未来存储供应,SK hynix已锁定2027–28年过半产能,规模较小的电子制造商则转向现货市场采购存储。原文未披露具体协议数量与价格水平。
华勤技术计划投资10亿元(约1.4986亿美元)设立晶圆代工业务,在拓展AI服务器与数据中心业务的同时加强上游半导体布局。
三星与 SK 海力士重金争夺 EUV 产能,加码先进 DRAM 扩产。双方围绕 EUV 光刻设备展开竞争,以支撑先进 DRAM 的产能扩张。
据 Financial News 报道,特斯拉与 SpaceX 合资的 Terafab 已向设备商非正式提出,2032 年后月产 100 万片晶圆的目标,其中约 70%(70 万片)规划为存储、逾 30 万片为逻辑芯片,存储部分若全部为 DRAM 将接近三星估算的月产 65 万至 70 万片水平。
推荐理由:Terafab 万片级月产能规划与采购团队赴日催交期并列,呈现一处新进者的产能爬坡时间表。
Rapidus 总裁 Atsuyoshi Koike 表示,将以台湾为范本在北海道构建半导体产业集群,并计划在北海道再建 3 座工厂。IBM Japan 正在 Rapidus 工厂附近设立新办公室,以加强对该公司的支持。
世界先进(Vanguard)预计 2026 年第四季度其 8 英寸成熟制程晶圆厂产能利用率将超过 90%,AI 数据中心需求带动电源管理 IC 与功率元件订单增长。公司称这一趋势指向产能趋紧、价格走高,AI 相关营收在其业务中的比重也在上升。
VIS 表示新加坡晶圆厂预计 2027 年成为增长引擎,产能接近售罄且客户承诺已锁定,AI 中介层预计贡献约一半营收。扩产可能加速,但折旧与固定成本上升预计将给盈利能力带来压力。
推荐理由:VIS 新加坡 12 英寸厂产能接近售罄、AI 中介层约占一半营收,可观察折旧与固定成本对利润的挤压。
日本 Tekscend Photomask 称,AI 芯片需求挤压自有产能,存储芯片厂商正将更多光掩模生产外包。最先进的 EUV 掩模仍由厂商内部制造,更多传统掩模则转向外部供应商。
Phison Electronics CEO Pua Khein-Seng 预计春节后 AI 需求将再次升温,NAND Flash 供应趋紧,大容量 TLC 和 QLC 产品的争夺将加剧。公司已锁定 2027 年目标供应量的 70% 以上。
AI 服务器需求导致材料供应商将产能转向 AI 服务器,印度电子产品制造商 PCB 采购价格大幅上涨。行业团体警告可能出现减产和消费价格上涨。
TSMC 2026 年 10 月营收同比增长 59.7%,延续强劲增长势头。AI 基础设施所用先进芯片需求持续支撑半导体行业,为其业绩提供动力。
三星电子与SK海力士围绕EUV光刻机展开争夺,各自投入或达20万亿韩元。两家存储厂商正以大规模设备投资抢占EUV产能。
彤程新材当前光刻胶产能利用率超过50%。该数据由公司在回应中披露,未提及具体产线或产品型号。
彤程新材当前光刻胶产能利用率超过50%,电子材料板块多个品类已贡献收入。
由 Tesla 和 SpaceX 支持的芯片制造项目 Terafab 据报规划的存储产能将比肩全球最大 DRAM 厂商。该项目已在接触日本和韩国的设备与材料供应商,但供应商和分析师对时间表与需求能否兑现存疑。
三星电子位于德州泰勒的晶圆厂可能在2026年12月中下旬开始试运行,目前正在安装和测试生产设备,计划2027年进入商业量产。
GlobalFoundries 表示计划于 2027 年初演示 7nm FDSOI 工艺 FDX Fusion,其逻辑密度达 14M–18M gates/mm²,晶体管密度超过第一代 22FDX 的两倍。
多家行业报道称 TSMC 已任命副总裁徐国晋评估切入 3D DRAM 的路径,包括新建晶圆厂还是改造现有产线,但相关动作预计仍需数年。3D DRAM 在单一 die 内垂直堆叠存储单元,相比堆叠 die 的 HBM 可在更小面积提供更大容量。
威刚(Adata)2026 年 10 月合并营收 170.6 亿新台币(约 5.216 亿美元),环比增长 8.5%、同比增长 282.3%,创单月营收第三高。公司预计年末客户库存调整将令第四季度营收低于第三季度,2026 年前 10 个月营收达 1343.7 亿新台币、同比增长 222.7%。威刚预计 2026 年全年营运表现将继续攀升。
DIGITIMES 分析师 Luke Lin 从苹果与英特尔近期财报中提炼出两条供应链信号:苹果正通过激进的长约采购锁定产能,英特尔则将 18A 产能回退至较旧的 Intel 3 节点,以应对紧迫的服务器 CPU 需求。上述变化发生在存储成本飙升与大规模 AI 基础设施建设的背景下。
驱动之家指出,即便AI需求降温,内存也未必便宜,因为三大厂的产能已被HBM占用,转向HBM后难以回头恢复普通内存供给。
三星电子计划于 2027 年 1 月在韩国平泽 P5 Fab 2 启动结构施工,以加快存储产能扩张。DealSite 报道称,芯片短缺预计将持续至 2028 年。
沪硅产业(NSIG)预计到2026年底完成扩产,300mm硅片月产能达到120万片。公司希望借此受益于硅片价格回升,以及硅光用SOI衬底需求增长,但盈利能力仍面临压力。
GlobalFoundries FD-SOI 业务部门副总裁 Sudipto Bose 在采访中详解 FDX Fusion 工艺,称其基于平面晶体管和 DUV 光刻实现 8nm 级逻辑密度(1400 万门/平方毫米)与 7nm 级功耗性能,无需 EUV。
三星电子据报已同意将已关闭的器兴8英寸S7晶圆厂的约300台半导体制造设备出售给韩国DB Group。此举背景是DB HiTek面临产能紧张,而三星正准备退出8英寸代工业务。
SK Hynix 子公司 Solidigm 正考虑在美国建设一座 NAND 闪存晶圆厂,但资金和投资时间表尚未确定。DIGITIMES Intelligence 认为,在 AI 驱动的存储需求和美国政府支持前景下,该项目很可能推进。
全球 AI 需求激增引发内存短缺,导致供应持续紧张与涨价,市场目前由 Samsung Electronics、SK Hynix 和 Micron Technology 主导。台湾据此启动先进内存计划。中国 ChangXin Memory Technologies(CXMT)虽快速扩大量产能力,但受美国出口管制与网络安全顾虑影响,仍无法在美国市场与美韩对手直接竞争。
英伟达正寻求破解存储瓶颈,台积电据悉考虑布局3D DRAM。财联社报道了这一动向,但未披露具体技术路线、时间表或投资规模。
英伟达正寻求破解存储瓶颈,台积电据悉考虑布局3D DRAM。财联社电报报道了这一动向,但未披露具体技术路线、时间表或投资规模。
Micron 自 10 月中旬起暂停其台湾桃园 Fab 11E 新无尘室的建设,与当地工会的劳资纠纷尚未解决,复工时间未定。公司近期推出与利润挂钩的季度奖金方案,但 EUV 相关计划保持不变。
长江存储(YMTC)已暂停上海 IPO,原计划募资 49 亿美元,公司在致员工通知中称因"多种因素"撤回,未作进一步说明。中国证监会已非正式指导投行放缓 AI 与芯片企业 IPO,并暂停 IPO 及大股东减持直至市场恢复。目前市场预计 YMTC 将于 2027 年上半年上市。
美光已暂停桃园 Fab 11E 厂区建设,原因是公司与桃园工会未能就利润分享条款达成一致,工地除少量安全作业外基本停工。美光称台湾在其全球布局中地位重要、当前运营正常,双方将于 11 月 6 日再次会谈;桃园工会此前已发动一日罢工。美光同时在推进日本 HBM 厂、新加坡 240 亿美元项目及美国多处设施。
三星电子和SK海力士股价较前期高点下跌40%~50%以上,证券界反而上调两家公司明年业绩预测值。分析认为,AI产业扩张带动HBM需求增加,与存储器半导体供应不足相叠加。
消息称AMD已包下三星美国泰勒厂二期的HBM产能。该工厂为三星在美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂,二期产能与HBM供应相关。目前双方均未对此消息作出公开回应。
高带宽闪存(HBF)可为 AI 加速器提供更多内存,每 GB 制造成本约为 HBM4 的十分之一。但其生产消耗的晶圆产能远超传统 NAND,可能收紧 SSD 厂商的供应。
据韩国《每日经济新闻》11月3日援引业界消息,三星电子计划在得州泰勒的第二座晶圆厂为AMD生产HBM基础裸片,AMD预计占该厂规划产能的大部分。报道称该厂也将向NVIDIA供货,但三星尚未确认任何一方的订单。
Intel Foundry 在 GSA 欧洲高管论坛上阐述 AI 扩展的瓶颈已从晶体管转向供电、连接、先进封装与供应链韧性。
消息称三星电子计划在美国泰勒第二晶圆厂为AMD等客户生产HBM基础裸片。该工厂将承担HBM基础裸片制造,客户包括AMD等。
南亚科技 2026 年 10 月合并营收 464.76 亿新台币(约 14.2 亿美元),月增 3.07%、年增 487.73%。受 DRAM 价格持续上涨带动,月度营收连续 12 个月创下新高,但出货量出现下滑。前 10 个月合并营收累计 3117.61 亿新台币,年增 602.15%。
推荐理由:DRAM 价格连续上涨推动南亚科技月度营收连续 12 个月创高,读者可据此跟踪存储价格周期与出货量的背离。
兆易创新表示,利基 DRAM 价格已大幅上涨,一定程度上抑制了部分消费电子需求,供给压力略有缓解,但有限的供给将使价格在一段时间内维持高位。全球主要存储厂商正将产能转向更高价值产品,叠加 AI 需求持续升温,利基存储短期供给仍然偏紧。