SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加
SK海力士在电话会上表示，DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时称明年资本开支将大幅增加。
推荐理由：SK海力士称DRAM与HBM产能已售罄至2029年，需求为供应的两倍，并计划明年大幅增加资本开支。
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RF Generator 双寡头、扩产周期与国产替代。
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Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7070 DIGITIMES精选AI 评分7070 三星电机称 AI 客户提前锁定 2027 年 MLCC 与基板供应
三星电机（SEMCO）10 月 28 日向投资者表示，明年长期协议预计将占其 MLCC 收入的 60% 以上，显示 AI 数据中心建设方正提前锁定元器件供应。公司称尽管有新增产能，需求增长仍快于预期，MLCC 与 FCBGA 基板供应将在第四季度进一步趋紧。
推荐理由：AI 数据中心客户提前锁定 2027 年 MLCC 与 FCBGA 基板供应，长期协议占比与四季度供应趋紧给出产能紧张的观察窗口。
DIGITIMES精选AI 评分7272 旺宏冻结 NOR 扩产、逐步退出 ROM，押注 300 亿新台币扩产 eMMC NAND
旺宏国际董事长吴敏求宣布，公司将逐步退出传统游戏机用 ROM 业务并冻结 NOR Flash 扩产，把逾 300 亿新台币（约 9.25 亿美元）资本支出投向 eMMC 与 NAND Flash。新产能首期预计从 2027 年下半年起逐步爬坡至年底。旺宏 2026 年第三季度利润创历史新高，首次突破 100 亿新台币；吴敏求表示只要锁定对的客户，合约涨价不可避免。
推荐理由：原文给出旺宏冻结 NOR 扩产、转向 eMMC 与 NAND 的产能调整节点，读者可据此跟踪其新产能爬坡节奏。
DIGITIMES精选AI 评分6565 三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，存储供给增量推迟至2028年
三星电子与SK hynix 在2026年启动各自史上最大规模的设备投资，但存储供给增量预计要到2028年才会落地。届时韩国新厂与中国长鑫存储（CXMT）的扩产产能将同时上线，可能引发通用DRAM价格竞争。
推荐理由：三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，但存储供给增量要到2028年才释放，读者可据此判断扩产周期与后续价格竞争时点。
DIGITIMES精选AI 评分6262 联电预计 2027 年 ASP 同比增长约 10%，AI 营收占比三年内升至 25%
联电 CEO Jason Wang 预计 2027 年晶圆代工价格将继续上涨，公司全年 ASP 同比增长约 10%。他同时提出 AI 营收占比将在三年内升至 25%。
推荐理由：原文给出联电 2027 年 ASP 约 10% 的同比涨幅指引，读者可据此跟踪代工价格周期与 AI 营收占比变化。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7878 SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加
SK海力士在电话会上称DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时表示明年资本开支将大幅增加。
推荐理由：SK海力士称DRAM与HBM产能售罄至2029年、需求为供应两倍，并计划明年大幅增加资本开支，读者可据此跟踪存储扩产周期。
SK hynix News精选AI 评分7878 SK hynix 三季度营收首破100万亿韩元，HBM4四季度成主流
SK hynix 公布 2026 年第三季度营收 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元，单季营收首次突破 100 万亿韩元，营业利润率 80%。
推荐理由：公司披露2027至2028年逾五成产能已被长期协议锁定，并给出HBM4四季度转主流与M15X满产的节奏。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6767 SK hynix Q3 电话会称 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄
SK hynix 在 Q3 电话会上表示，DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄。公司同时提到 AI 投资主体正从大型云厂商向主权基金与企业级客户扩散。
推荐理由：SK hynix 在 Q3 电话会给出 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年近售罄的排产口径，可用于跟踪存储供给紧张周期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士CEO郭鲁正称DRAM及HBM产能直至2029年已近乎售罄
SK海力士CEO郭鲁正表示，DRAM及HBM内存直至2029年的产能已近乎售罄。该表态显示存储供给已被长期订单锁定。
推荐理由：SK海力士CEO称DRAM与HBM产能已排至2029年，读者可据此观察存储供给紧张周期的长度。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士CEO称未来三年DRAM与HBM产能近乎售罄
SK海力士CEO表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。
推荐理由：SK hynix CEO 给出未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄的判断，反映存储供给紧张周期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士称未来三年DRAM与HBM产能近乎售罄
SK海力士表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。该表述指向存储供给在较长周期内维持紧张。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张周期的长度。
DIGITIMES精选AI 评分7575 DRAM价格涨幅收窄，供给收缩幅度达30%至50%
2026年第四季度DRAM价格涨幅明显放缓，但主要厂商持续限制出货，供给短缺加剧。业界消息预计未来两到三个季度主要厂商DRAM供给将收缩30%至50%，2027年供需缺口进一步扩大。
推荐理由：原文给出DRAM供给收缩30%至50%的幅度与两到三个季度的持续时间，读者可据此跟踪缺货对价格周期的影响。
Tom's Hardware · Semiconductors精选AI 评分8585 NVIDIA 与六家供应商签数十亿美元协议，锁定基板、先进封装、测试与光引擎产能
NVIDIA 在 10 月 21 日 GTC Berlin 宣布与基板、先进封装、半导体测试和光引擎领域的多家供应商达成数十亿美元级协议，以扩充产能并为其 AI 加速器预留产能，相关承诺与量产路线图延伸至 2028 年。
推荐理由：NVIDIA 一次性锁定基板、先进封装、测试与光引擎产能，读者可据此跟踪各环节扩产节奏与交期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7070 三星2027年内存产能80%被长约锁定，HBM涨价最高150%
三星2027年内存产能的80%已被长约锁定，HBM价格最高上涨150%。消费级内存同期再迎两位数上涨。
推荐理由：原文给出三星2027年内存长约锁定比例与HBM涨幅区间，可据此观察存储价格周期。
DRAMeXchange精选AI 评分5858 TrendForce：AI 服务器需求支撑 4Q26 存储合约价续涨，消费端压力仍在
TrendForce 最新存储产业研究指出，AI 服务器需求支撑 4Q26 存储合约价继续上涨，消费端压力仍在。DRAM 供应商继续把先进制程产能优先分配给高性能产品。
推荐理由：TrendForce 判断 AI 服务器需求支撑 4Q26 存储合约价续涨，消费端承压，读者可据此跟踪合约价走势。
DRAMeXchange精选AI 评分5858 TrendForce 上调 2027 年 HBM 价格展望，综合 ASP 预计同比上涨 121%
TrendForce 最新研究显示，AI 服务器需求持续扩张，使 HBM 与常规 DRAM 争夺有限的先进制程和晶圆产能，HBM 供给约束持续存在。基于此，TrendForce 上调 2027 年 HBM 价格展望，预计综合 ASP 同比上涨 121%。
推荐理由：TrendForce 上调 2027 年 HBM 价格展望，读者可据此跟踪 AI 服务器需求对先进制程与晶圆产能的挤占。
拓荆科技 · 企业新闻精选AI 评分5858 拓荆科技沈阳二厂主体封顶，规划年产能超1000台
拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地项目（沈阳二厂）于2026年8月10日主体结构封顶，项目总占地面积147亩、总投资近18亿元。基地全面建成投产后将成为拓荆科技产能规模最大的总部级生产基地，最大产能规模达每年超1000台。董事长吕光泉表示将打造绿色、智能化示范工厂，作为公司全球核心研发制造中心。
推荐理由：拓荆沈阳二厂封顶并给出年产超1000台的总部级基地规划，可跟踪其产能释放节奏。