GlobalFoundries 计划明年演示 7nm FDSOI 工艺 FDX Fusion
GlobalFoundries 表示计划于 2027 年初演示 7nm FDSOI 工艺 FDX Fusion，其逻辑密度达 14M–18M gates/mm²，晶体管密度超过第一代 22FDX 的两倍。
#国产化率
Electronics WeeklyAI 评分5858
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分5858 GlobalFoundries 高管详解 FDX Fusion：无需 EUV 实现 7nm 级性能，目标 2030 年量产
GlobalFoundries FD-SOI 业务部门副总裁 Sudipto Bose 在采访中详解 FDX Fusion 工艺，称其基于平面晶体管和 DUV 光刻实现 8nm 级逻辑密度（1400 万门/平方毫米）与 7nm 级功耗性能，无需 EUV。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分3636 日本光刻胶10月提价，国产替代进入加速兑现期
日本光刻胶于10月提价，多重催化下国产替代进入加速兑现期。原文未披露具体厂商、涨幅与产品型号等信息。
DIGITIMESAI 评分5858 长鑫存储拟启动HBM3E生产，良率仅20%至30%
长鑫存储（CXMT）计划开始生产HBM3E，目前良率仅达到20%至30%。此举反映中国市场在关键设备进口受限下仍寻求扩大本土存储产能、应对内存短缺。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 三星、SK 海力士无惧内存涨价：国产 HBM 明年份额不到 2%
驱动之家文章称内存价格还将继续上涨，三星与 SK 海力士并不担心竞争，国产 HBM 明年市场份额不到 2%。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 三星、SK海力士无惧内存涨价：国产HBM明年份额不到2%
新浪财经文章称内存价格还将继续上涨，三星与SK海力士等存储厂商并不担忧，国产HBM明年市场份额不到2%。