eBeam Initiative调查显示66%专家预计十年内采用6x12英寸大尺寸掩模
eBeam Initiative第15届Luminaries调查显示，66%的受访专家预计行业将在未来十年内采用约6x12英寸的大尺寸掩模，该调查在TSMC与ASML宣布2031年12英寸掩模试产线计划之前完成。
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Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分4040 阿斯麦新一代EUV光刻机获台积电和三星承诺
阿斯麦新一代EUV光刻机获得台积电和三星的采购承诺，为其后续量产落地提供支撑。财联社报道称，这两家主要代工厂的表态为阿斯麦新一代EUV设备提供了强力“护航”。
Google新闻 · HBM/光刻/封装AI 评分2222 英特尔高管：采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，追赶台积电是规模问题
英特尔高管表示，采用 High NA EUV 光刻机是正确选择，并称追赶台积电是规模问题。
Tom's Hardware · SemiconductorsAI 评分4040 没有 EUV，中国如何用 DUV 多重曝光造先进芯片，代价是什么
出口管制使 ASML 的 EUV 无法进入中国，中国芯片厂转而用 DUV 多重曝光生产先进芯片。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 称，193 浸没式机台三次曝光成本约与一次 EUV 曝光持平，到四层掩膜时 EUV 更具成本效益且缺陷更少。摩根士丹利估计长鑫存储每片晶圆产出的 bit 数仅约为西方厂商的三分之一。