混合键合间距缩小至5μm以下，检测与量测面临极限挑战
混合键合间距正从当前量产的4至9μm向5μm以下收缩，50nm颗粒和表面污染即可导致键合失效。CMP需将铜凹陷控制在几纳米并保持0.5nm RMS粗糙度，预键合检测须区分致命缺陷与无害形貌变化。键合后的埋藏缺陷检测仍是最大难题，红外、X射线和超声成像在分辨率、灵敏度与吞吐上各有局限。
#量检测
Semiconductor EngineeringAI 评分4949
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苏大维格（300331.SZ）表示，公司在先进封装检测领域的布局尚未实现量产收入。该回应明确了这一业务目前仍处于未产生规模化营收的阶段。
Semiconductor EngineeringAI 评分5858 先进封装从晶圆转向面板时哪些工艺环节会失效
Semiconductor Engineering 汇总多位业界人士观点指出，先进封装从 300mm 晶圆转向 600mm 面板并非简单放大，涂布、光刻、翘曲控制与检测等围绕圆形工件建立的工艺假设都需要重新审视。