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三星据悉将采用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底裸片
三星据悉将采用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底裸片 - 观点网
AI 导读
三星据悉将采用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底裸片。消息未披露具体产品型号、产能规模或时间表。
来源：Google新闻 · HBM/光刻/封装 · news.google.com
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三星据悉将采用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底裸片。消息未披露具体产品型号、产能规模或时间表。
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