消息称三星电子、SK海力士均将向ASML EUV光刻机投资超10万亿韩元
消息称三星电子与SK海力士均将向ASML的EUV光刻机投资超10万亿韩元。两家存储芯片厂商的投资均指向EUV设备采购,金额规模各自超过10万亿韩元。此事目前为消息层面报道。
消息称三星电子与SK海力士均将向ASML的EUV光刻机投资超10万亿韩元。两家存储芯片厂商的投资均指向EUV设备采购,金额规模各自超过10万亿韩元。此事目前为消息层面报道。
消息称三星电子与 SK 海力士均计划向 ASML 的 EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元。两家存储厂商的这项投资规模均超过 10 万亿韩元,指向 EUV 光刻设备的采购。
财联社报道,存储双雄正争夺EUV光刻机,以支撑先进DRAM扩产,单家投资上限接近千亿元。报道未披露两家公司的具体名称、设备采购数量与时间表。
ASML 预警其规划产能将无法满足 2027 年和 2028 年的客户需求,三星电子与 SK hynix 正竞相锁定 EUV 光刻设备。这一供应缺口引发对先进 DRAM 扩产所需关键设备可得性的担忧。
推荐理由:ASML 预警 2027 至 2028 年 EUV 产能不足,读者可据此跟踪先进 DRAM 扩产的设备交期约束。
出口管制使 ASML 的 EUV 无法进入中国,中国芯片厂转而用 DUV 多重曝光生产先进芯片。Fractilia 联合创始人 Chris Mack 称,193 浸没式机台三次曝光成本约与一次 EUV 曝光持平,到四层掩膜时 EUV 更具成本效益且缺陷更少。摩根士丹利估计长鑫存储每片晶圆产出的 bit 数仅约为西方厂商的三分之一。