DIGITIMES· Levi Li·· 9 天前AI 评分50
Micron 质疑 4F-squared DRAM 商业化前景，CXMT 推进量产，Samsung 与 SK Hynix 路线分化
Micron dismisses 4F-squared DRAM as CXMT presses ahead — why Samsung, SK Hynix remain divided
AI 导读
Micron 认为 4F-squared 存储单元架构受电容微缩限制、成本优势不成立，转而优先推进 6F-squared 并布局长期向 3D DRAM 过渡。CXMT 则推动 4F-squared 走向商业化量产以提升位密度，Samsung 与 SK Hynix 各自走不同开发路线，行业在 DRAM 密度提升路径上出现分歧。
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