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华邦电子计划引入EUV光刻技术：2030年用于14nm DRAM芯片
华邦电子计划引入EUV光刻技术：2030年用于14nm DRAM芯片 - Sohu
AI 导读
华邦电子计划引入EUV光刻技术，2030年用于14nm DRAM芯片。
来源：Google新闻 · HBM/光刻/封装 · news.google.com
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