跳到正文
热点事件持续更新

华邦电子计划2030年引入EUV用于14nm DRAM

1 篇报道1 个报道来源15 小时前更新

先了解这件事

AI 综述

华邦电子计划引入EUV光刻技术,并打算在2030年将其用于14nm DRAM芯片。 目前公开的信息只有这一计划本身,没有披露具体投资规模、设备供应商或量产时间表。

AI 根据报道生成 · 39 分钟前更新

报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

11月11日
  1. Google新闻 · HBM/光刻/封装
    华邦电子计划引入EUV光刻技术:2030年用于14nm DRAM芯片

    华邦电子计划引入EUV光刻技术,2030年用于14nm DRAM芯片。

本事件热度走势

还没有足够的连续观测数据,暂不绘制趋势。