GlobalFoundries公布FDX Fusion工艺细节与量产时间表

GlobalFoundries公布FDX Fusion工艺细节：该工艺基于FD-SOI和平面晶体管，使用DUV光刻而非EUV，据公司FD-SOI业务副总裁Sudipto Bose称可实现8nm级逻辑密度（1400万门/平方毫米）和7nm级功耗性能。 公司给出的时间表是2028年开始商业化生产、2030年实现高量产；后续报道则称，演示硅片计划于2027年初推出，PDK于2027年中推出，2028年在德累斯顿工厂量产，并称其逻辑密度为1400万至1800万门/平方毫米、晶体管密度超过第一代22FDX的两倍。 Bose称，该工艺最关键的层因栅极和金属间距更紧，可能需要大量多重曝光，并将需要新设备。

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1. 11月9日 14:11 · 1 篇报道
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2. 11月6日 22:00 · 1 篇报道
   GlobalFoundries公布FDX Fusion工艺细节
   Tom's Hardware · Semiconductors：GlobalFoundries 高管详解 FDX Fusion：无需 EUV 实现 7nm 级性能，目标 2030 年量产

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。