首尔大学团队实现亚伏特 HZO 铁电电容器，面向 DRAM 级存储

首尔大学团队用等离子体工程处理的 (111) 织构 TiN 电极抑制界面氧化，在 5 nm Hf0.5Zr0.5O2 电容器上实现 0.6 V 饱和回线，2Pr 达 31.5 μC cm−2、Ec 为 0.62 MV cm−1，经 10^12 次双极循环无硬击穿。