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首尔大学实现亚伏特HZO铁电电容器

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AI 综述

首尔大学研究团队发表面向DRAM级亚伏电容器的HZO铁电材料研究，在5纳米Hf0.5Zr0.5O2电容器上实现0.6伏饱和回线，2Pr达31.5 μC cm−2、Ec为0.62 MV cm−1，经10^12次双极循环无硬击穿。该团队称，其采用等离子体工程处理的(111)织构TiN电极抑制界面氧化，从而获得上述亚伏特操作与耐久表现。

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最新进展11月4日 01:10

首尔大学团队实现亚伏特 HZO 铁电电容器，面向 DRAM 级存储

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11月4日

01:10
Semiconductor Engineering
首尔大学团队实现亚伏特 HZO 铁电电容器，面向 DRAM 级存储
首尔大学团队用等离子体工程处理的 (111) 织构 TiN 电极抑制界面氧化，在 5 nm Hf0.5Zr0.5O2 电容器上实现 0.6 V 饱和回线，2Pr 达 31.5 μC cm−2、Ec 为 0.62 MV cm−1，经 10^12 次双极循环无硬击穿。