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英飞凌在 300mm SiC 晶圆上制出首批功能性功率器件
Infineon presents first functional power devices on 300mm SiC wafers
AI 导读
英飞凌在奥地利 Villach 工厂将 300mm 碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为首家在全尺寸半导体工厂环境中实现这一进展的公司。该里程碑依托现有硅制造设备完成。
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