英飞凌在300mm SiC晶圆上制成功能功率器件
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英飞凌在300mm SiC晶圆上制成功能功率器件
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英飞凌在奥地利 Villach 工厂把 300mm 碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，并称自己是首家在全尺寸半导体工厂环境中实现这一进展的公司。 该加工依托现有硅制造设备完成。报道未披露器件性能、良率或量产时间。
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最新进展11月9日 22:17
英飞凌在 300mm SiC 晶圆上制出首批功能性功率器件报道时间线
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11月9日
- Semiconductor Today英飞凌在 300mm SiC 晶圆上制出首批功能性功率器件
英飞凌在奥地利 Villach 工厂将 300mm 碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为首家在全尺寸半导体工厂环境中实现这一进展的公司。该里程碑依托现有硅制造设备完成。
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