马斯克 Terafab 计划 2032 年后月产 100 万片晶圆，其中 70 万片为存储
据 Financial News 报道，特斯拉与 SpaceX 合资的 Terafab 已向设备商非正式提出，2032 年后月产 100 万片晶圆的目标，其中约 70%（70 万片）规划为存储、逾 30 万片为逻辑芯片，存储部分若全部为 DRAM 将接近三星估算的月产 65 万至 70 万片水平。
推荐理由：Terafab 万片级月产能规划与采购团队赴日催交期并列，呈现一处新进者的产能爬坡时间表。
#扩产/产能
Tom's Hardware · Semiconductors精选AI 评分7070 DIGITIMES精选AI 评分6868 VIS 称新加坡晶圆厂 2027 年成增长引擎，产能近售罄、AI 中介层约占半营收
VIS 表示新加坡晶圆厂预计 2027 年成为增长引擎，产能接近售罄且客户承诺已锁定，AI 中介层预计贡献约一半营收。扩产可能加速，但折旧与固定成本上升预计将给盈利能力带来压力。
推荐理由：VIS 新加坡 12 英寸厂产能接近售罄、AI 中介层约占一半营收，可观察折旧与固定成本对利润的挤压。
DIGITIMES精选AI 评分6262 南亚科技 10 月营收 464.76 亿新台币，DRAM 涨价带动连续 12 个月创高
南亚科技 2026 年 10 月合并营收 464.76 亿新台币（约 14.2 亿美元），月增 3.07%、年增 487.73%。受 DRAM 价格持续上涨带动，月度营收连续 12 个月创下新高，但出货量出现下滑。前 10 个月合并营收累计 3117.61 亿新台币，年增 602.15%。
推荐理由：DRAM 价格连续上涨推动南亚科技月度营收连续 12 个月创高，读者可据此跟踪存储价格周期与出货量的背离。
DIGITIMES精选AI 评分6565 SK hynix 为 NVIDIA Vera Rubin 扩大 SOCAMM2 PCB 订单，材料短缺推高 PCB 价格
SK hynix 正为 NVIDIA Vera Rubin AI 平台量产扩大 SOCAMM2 PCB 订单，同时铜箔基板（CCL）等材料短缺推高基板价格。该消息由韩国媒体 Dealsite 于 10 月 30 日报道。
推荐理由：SK hynix 为 NVIDIA Vera Rubin 平台扩大 SOCAMM2 PCB 订单，同时 CCL 等材料短缺推高基板价格，读者可据此跟踪扩产节奏与材料成本传导。
DIGITIMES精选AI 评分6262 台光电子 2026 年第三季营收 608.8 亿新台币创纪录，AI 需求带动产能满载
覆铜板（CCL）厂商台光电子（EMC）公布 2026 年第三季营收 608.8 亿新台币（约 18.75 亿美元），创单季新高。营收环比增长 28.8%，同比增长 142%，公司称增长来自 AI 产品所用高端材料的强劲需求以及产能满载。
推荐理由：AI 高端材料需求带动稼动满载，季度营收环比增 28.8%，可观察覆铜板供给紧张程度。
DIGITIMES精选AI 评分6565 阿里、腾讯、字节据报寻求与三星、SK hynix 签订10年期DRAM长约
阿里、腾讯、字节跳动据报正寻求与三星电子和SK hynix签订服务器DRAM长期供应协议，部分请求期限延伸至2035年。中国云服务商由此加入美国科技巨头争夺未来存储产能的行列。
推荐理由：中国云厂商寻求长约锁定服务器DRAM供应，反映存储产能争夺向长约环节延伸。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7070 SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加
SK海力士在电话会上表示，DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时称明年资本开支将大幅增加。
推荐理由：SK海力士称DRAM与HBM产能已售罄至2029年，需求为供应的两倍，并计划明年大幅增加资本开支。
DIGITIMES精选AI 评分7272 旺宏冻结 NOR 扩产、逐步退出 ROM，押注 300 亿新台币扩产 eMMC NAND
旺宏国际董事长吴敏求宣布，公司将逐步退出传统游戏机用 ROM 业务并冻结 NOR Flash 扩产，把逾 300 亿新台币（约 9.25 亿美元）资本支出投向 eMMC 与 NAND Flash。新产能首期预计从 2027 年下半年起逐步爬坡至年底。旺宏 2026 年第三季度利润创历史新高，首次突破 100 亿新台币；吴敏求表示只要锁定对的客户，合约涨价不可避免。
推荐理由：原文给出旺宏冻结 NOR 扩产、转向 eMMC 与 NAND 的产能调整节点，读者可据此跟踪其新产能爬坡节奏。
DIGITIMES精选AI 评分6565 三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，存储供给增量推迟至2028年
三星电子与SK hynix 在2026年启动各自史上最大规模的设备投资，但存储供给增量预计要到2028年才会落地。届时韩国新厂与中国长鑫存储（CXMT）的扩产产能将同时上线，可能引发通用DRAM价格竞争。
推荐理由：三星与SK hynix 2026年启动史上最大设备投资，但存储供给增量要到2028年才释放，读者可据此判断扩产周期与后续价格竞争时点。
DIGITIMES精选AI 评分6262 联电预计 2027 年 ASP 同比增长约 10%，AI 营收占比三年内升至 25%
联电 CEO Jason Wang 预计 2027 年晶圆代工价格将继续上涨，公司全年 ASP 同比增长约 10%。他同时提出 AI 营收占比将在三年内升至 25%。
推荐理由：原文给出联电 2027 年 ASP 约 10% 的同比涨幅指引，读者可据此跟踪代工价格周期与 AI 营收占比变化。
SK hynix News精选AI 评分7878 SK hynix 三季度营收首破100万亿韩元，HBM4四季度成主流
SK hynix 公布 2026 年第三季度营收 104.6155 万亿韩元、营业利润 83.3338 万亿韩元，单季营收首次突破 100 万亿韩元，营业利润率 80%。
推荐理由：公司披露2027至2028年逾五成产能已被长期协议锁定，并给出HBM4四季度转主流与M15X满产的节奏。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7878 SK海力士电话会称DRAM和HBM产能售罄至2029年，明年资本开支将大幅增加
SK海力士在电话会上称DRAM和HBM产能已售罄至2029年，需求是供应的两倍。公司同时表示明年资本开支将大幅增加。
推荐理由：SK海力士称DRAM与HBM产能售罄至2029年、需求为供应两倍，并计划明年大幅增加资本开支，读者可据此跟踪存储扩产周期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6767 SK hynix Q3 电话会称 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄
SK hynix 在 Q3 电话会上表示，DRAM 与 HBM 产能到 2029 年已近售罄。公司同时提到 AI 投资主体正从大型云厂商向主权基金与企业级客户扩散。
推荐理由：SK hynix 在 Q3 电话会给出 DRAM 与 HBM 产能到 2029 年近售罄的排产口径，可用于跟踪存储供给紧张周期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄
SK hynix 表示未来三年 DRAM 以及 HBM 产能近乎售罄。该说法来自搜狐网转载的报道，原文未披露具体产能数字与客户信息。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张的持续时间。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士CEO郭鲁正称DRAM及HBM产能直至2029年已近乎售罄
SK海力士CEO郭鲁正表示，DRAM及HBM内存直至2029年的产能已近乎售罄。该表态显示存储供给已被长期订单锁定。
推荐理由：SK海力士CEO称DRAM与HBM产能已排至2029年，读者可据此观察存储供给紧张周期的长度。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士CEO称未来三年DRAM与HBM产能近乎售罄
SK海力士CEO表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。
推荐理由：SK hynix CEO 给出未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄的判断，反映存储供给紧张周期。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分6262 SK海力士称未来三年DRAM与HBM产能近乎售罄
SK海力士表示，未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄，中长期销售能见度大幅提升。该表述指向存储供给在较长周期内维持紧张。
推荐理由：SK hynix 称未来三年 DRAM 与 HBM 产能近乎售罄，读者可据此观察存储供给紧张周期的长度。
DIGITIMES精选AI 评分7575 DRAM价格涨幅收窄，供给收缩幅度达30%至50%
2026年第四季度DRAM价格涨幅明显放缓，但主要厂商持续限制出货，供给短缺加剧。业界消息预计未来两到三个季度主要厂商DRAM供给将收缩30%至50%，2027年供需缺口进一步扩大。
推荐理由：原文给出DRAM供给收缩30%至50%的幅度与两到三个季度的持续时间，读者可据此跟踪缺货对价格周期的影响。
Google新闻 · HBM/光刻/封装精选AI 评分7070 三星2027年内存产能80%被长约锁定，HBM涨价最高150%
三星2027年内存产能的80%已被长约锁定，HBM价格最高上涨150%。消费级内存同期再迎两位数上涨。
推荐理由：原文给出三星2027年内存长约锁定比例与HBM涨幅区间，可据此观察存储价格周期。