中微公司发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备，首台已付运国内一家集成电路封装客户。该设备采用 Primo TSV 的等离子体深硅刻蚀技术，兼容带框架 200mm、300mm 晶圆，可切割最小 5μm 切割道、支持 25–700μm 晶圆厚度，系统最多搭载 6 个刻蚀反应台，并支持带凸点晶圆正面切割、激光开槽后切割及背面刻蚀等工艺。
推荐理由：首台等离子体晶圆切割设备付运封装客户，国产设备进入先进封装切割环节的落地节点。
中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺，采用全对称腔体结构、集成气柜设计和双制冷/双加热晶圆基座，并搭载量产的Primo C6V3传输系统。中微公司称该产品填补了国内下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
推荐理由：中微公司首台气相高选择性刻蚀设备付运国内客户，可据此跟踪其在GAA与3D存储器件工艺中的导入节奏。
中微公司在2026湾芯展上重点推介最新发布的两款设备，Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀机与Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备。
推荐理由：中微在展会上推介两款新设备，其中ALD钼设备切入存储厂商钼基字线切换窗口，可跟踪其客户导入节奏。
中微公司在CSEAC 2026期间推出六款自主研发的高端设备，覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD金属钼、金属硅化物集成沉积及碳化硅外延等环节。其中Primo XD-RIE™刻蚀机支持70到90比1深宽比，Performo QuaStar® ON单系统最多同时处理16片晶圆，Prefima Unicore™ AM为12英寸ALD金属钼设备，面向三维超高堆叠字线填充。
推荐理由：中微公司一次发布六款自研设备，覆盖极高深宽比刻蚀与多类薄膜沉积，产品矩阵向存储与逻辑关键工艺延伸。