RWTH Aachen优化电子束蒸发抑制接触退化

RWTH Aachen 团队提出一种优化电子束蒸发装置，称可在金属镀膜过程中抑制对4英寸半导体样品的带电粒子轰击。在铂-硅肖特基二极管的对比中，采用该装置后费米能级钉扎减弱，对n型硅的肖特基势垒提高。相关论文发表于 Micro and Nano Engineering。上述抑制效果针对该装置在4英寸样品上的测试结果，能否推广至其他工艺条件未见说明。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。