Nexperia 推出超低导通电阻 GaN FET
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Nexperia 推出超低导通电阻 GaN FET
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Nexperia 推出超低导通电阻 GaN FET，扩展其中低压 GaN 产品组合，新器件覆盖 18V 至 200V 电压范围。 据 Nexperia 介绍，新品面向 AI 数据中心、人形机器人、电池供电工具、可再生能源以及高效同步整流（SR）和 DC-DC 转换，结合大电流、快速开关与紧凑散热增强封装，以提升效率和功率密度。
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最新进展11月11日 00:11
Nexperia 推出超低导通电阻 GaN FET，覆盖 18V 至 200V报道时间线
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11月11日
- Semiconductor TodayNexperia 推出超低导通电阻 GaN FET，覆盖 18V 至 200V
Nexperia 推出超低导通电阻 GaN FET，扩展其中低压 GaN 产品组合，器件覆盖 18V 至 200V。新品面向 AI 数据中心、人形机器人、电池供电工具、可再生能源及高效 SR 与 DC-DC 转换，结合大电流、快速开关与紧凑散热增强封装，提升效率与功率密度。
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